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[問題求助] 能用下面方法得到mosfet的一些手工计算参数吗

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1#
發表於 2009-6-6 13:29:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想通过这么一个方式来得到mosfet的手工计算参数,不知道能否行得通!
/ m- l/ P3 Z  e  s首先我对一个单管进行仿真,以pmos为例,我给栅源加一个固定的足以保证管子处于饱和的电压,并在漏极加一个电流源,计算该管子在这个电流下的直流工作状况!从输出文件.lis中的beta、gm等计算kp、lamda这些参数,请问这样可行不可行?
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2#
發表於 2009-6-7 00:48:58 | 只看該作者
重要是看建模的複雜程度,像Level49這樣的Model,按照你這樣計算偏差應該較大。
6 M1 B" k/ t) q% \^_^
3#
發表於 2009-6-7 12:34:12 | 只看該作者
這個問題我也想請問一下,像ro就是gds,好像在1um以後就沒有這個參數的值了,那如此我要怎麼用手算設計電路呢??
4 |$ K, d4 _5 D像有一些參數例如Vth,它的計算雖然很複雜會飄,但還是在某一個固定值為中心去加減值,但gds我好像找不到了,想請問要怎麼找這個值??
% W  U$ X' B) `謝謝!!
4#
發表於 2009-7-18 02:18:45 | 只看該作者
你這樣模擬是有問題的
  O9 v4 M& Q; [
- Q& T- O$ \: N. T# ~5 m6 p5 A! {* F給定ID又給定VG這樣是不合理的
0 M( Q: q6 C5 l8 l; E0 B+ W8 Y3 Y) X3 Z' ~: d9 l6 x
應該是drain給一個足夠大的電壓確保電晶體在飽和區工作即可...
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