關于一個低壓低功耗基準電壓源的問題！

JTR6907

在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源，如下圖所示
  z& H9 y& P5 _: O* H8 `
  Y5 C: ^. N( S8 f
其中M1 M3是高Vth管子，工作在亞閾值區，其他管子均工作在飽和區。現在的問題是，電源電壓穩定性（LNR）很差，前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时，输出Vref变化10mV左右，而论文的测试结果是，Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。
8 X2 }/ H! p& E* h0 J+ ?' e我所有的管子在我关注的范围内（電源電壓0.8V∼2V）都是工作在饱和区的（有两个必须在亚阈值区，但Vds均保证大于4×VT），我所有的管子的L均取10um，除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm，也是为了降低vth和宽长比，这样就有了W/L＝250n/10u这样的倒比管，不知道有没什么问题。。。。另外，由于我的电流取得很小（两个支路是26nA左右），不知道leakage的影响是不是很大？似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数，这个基准电压源结构是全MOS管实现的，无电阻无电容无BJT，总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺，
3 _4 i9 j; k( N, |6 K8 yM1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv
5 w" U# Q& v3 q! X+ MM2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv
8 T8 ], b$ E% nM3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv
1 E! c  _; F$ sM4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv
! T+ M. h, K. N5 n" [M5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
M6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
$ U* v* x, c; Y8 |9 U: V1 kM7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
M8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
. A' K" |+ O3 m! x. `M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
M10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv
Vgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV
痲煩各位大大給點建議，怎樣纔能提高LNR。謝謝！

3 C9 T0 }/ V% z/ B- G8 [+ l2 r% J[ 本帖最後由 JTR6907 於 2009-5-2 07:23 PM 編輯 ]

JTR6907

自己先頂一下。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。