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仿真 ram 的时候遇到的,
9 c. ~0 h. ?) x- v先把ram的mos管的w,l都shrink到原来的0.85倍,加上激励,仿真的时候读出的数据是正确的(跟设置的状态是一样的)
" T; [$ z# k; M0 K- `此时的hsimspeed设置 整体为8,ram部分为3,hsimvdd=1.8 数字部分的电压也是1.8v8 ?' ?2 \( n- s, ?( T5 h
" a3 B* T5 K( q5 P3 n% f然后又把ram的周边控制数字电路也shrink,这时候仿真的时候,在原来没有毛刺的地方出现了几个毛刺
+ ^/ n0 b* V* E+ z+ y4 ]( {设置跟刚才是一样的4 g. b- N/ @# v9 C
& ~5 W, a, ?4 k. V) \
一开始觉得是设置的问题,于是把hsimspeed的的值设为6,ram部分仍然为3
2 @- ~$ k% P" Q仿真完的数据仍在错误的位置有毛刺,但是毛刺的位置变了。。
0 _) L1 [; F; V4 M4 d) F i7 s; Q8 ?- [* \9 l
我觉得这样反复的修改参数挺浪费时间的,每次把speed降低,都会多花很长时间,要24h,甚至更长,有没有什么好的办法debug?
3 W; E3 i2 A/ T4 N, e
' R* F Z M2 c) _" D U
) X6 A( _8 @) v0 p9 @( \这有可能是什么引起的呢?
! s/ J! L9 C, r$ H* W谢谢各位大大,欢迎指导。 |
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