FSI International在矽化物形成製程的金屬去除技術上取得重大突破

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2008/1/3-全球性半導體製程設備、技術及支援服務供應商--FSI International 日前宣佈，該公司可在矽化物形成後採用FSI ViPR�技術成功去除未反應的金屬薄膜。藉由導入此一新製程，IC製造商將可在鈷、鎳和鎳鉑矽化物整合過程中，大幅減少化學品使用量並降低成本。在新訂單的FSI ZETA� Spray Cleaning System噴霧式清洗系統中均會導入FSI ViPR�技術，同時近期建置的系統亦可進行升級以採用此一技術。

1 P- z' P; i' _; X0 Y6 C/ X" Y/ S8 H鎳鉑矽化物最早應用於65nm的邏輯元件，由於它的阻抗更低，因此可大幅提升元件的性能；然而，在早期應用中也發現：要在不損害鎳鉑矽化物區域的情況下去除未反應的鎳和鉑極具挑戰性。到了2005年，藉由FSI所推出的鎳鉑去除製程則解決了此一問題。

隨著業界使用鎳鉑矽化物的經驗增加，IC製造商發現更低的矽化物形成溫度可降低接面漏電流。不過，此一更低溫度的製程不僅為金屬去除步驟帶來了其他的複雜性，甚至使得高良率整合方案難以實現。新的FSI ViPR�製程則不受限於此，因此使得這樣一個低成本、高良率的低溫退火鎳鉑矽化物製程得以實現。
「透過持續發展我們的ViPR�製程以解決更多製造上的問題，我們的客戶將可受惠於不斷改進的生產力和製程效益。」FSI主席暨執行長Don Mitchell表示，「我們很高興能在現有的機台上持續為業界提供創新的解決方案，以便在為未來技術世代提供擴展性的同時，也能進一步降低客戶的成本。」
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8 }# d% Y1 P8 Y0 U# ^8 w3 ~FSI的ViPR�技術最早是在2006年時針對全濕式光阻移除應用而推出，用於免除光阻移除程序上的灰化步驟，而藉由免除灰化工序引起的晶圓表面損害將可進一步減少元件材料的損失、縮短製程週期並降低總投資資金。ViPR�技術目前已被一些全球最大的IC製造商運用在生產製造上。
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ZETA� 系統使用離心噴霧和多功能化學品傳送技術，在一個配方成分和溫度可控制的情況下準備化學製品，並將它們直接擴散到晶圓表面上。ZETA 設備已證明能支援許多應用，包括矽化物製程中的殘留鈷和鎳金屬移除、光阻移除和電漿灰化後清洗、非超音波式微粒去除以及晶圓回收。