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對於Vdsat和Vov的初步研究

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1#
發表於 2014-3-7 13:19:17 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
中,短沟道器件存在着速度饱和效应,当MOS 沟道很短时,沟道内的电场强度会变得很强,场强达到一定程度时,载流子速度达到最大值,从而使得沟道电流也达到饱和。.................
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2#
發表於 2021-1-8 11:11:21 | 只看該作者
+ c" h$ I+ w  K; a" M9 u
謝謝大大無私的分享,感恩
3#
發表於 2021-1-19 21:48:08 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
4#
發表於 2021-1-27 15:39:35 | 只看該作者
感謝大大無私分享,謝謝* k4 }" u8 g) U
5#
發表於 2021-2-8 08:15:47 | 只看該作者
感謝大大分享~辛苦了 感謝提供教材參考及學習
: z7 n' j$ s3 [4 E7 X7 W
6#
發表於 2021-3-14 22:48:48 | 只看該作者
感謝無私的分享,由衷感謝,辛苦了
7#
發表於 2021-3-15 05:16:07 | 只看該作者
Is it a paper, a tutorial. or both?( C1 D8 [  z" r9 o* J5 M

1 {: T! y: p) wThanks for sharing ....
8#
發表於 2021-3-16 17:34:24 | 只看該作者
感謝大大無私分享,謝謝
9#
發表於 2022-7-20 14:38:32 | 只看該作者
. w1 `" m2 S; Z" U
感謝大大無私分享,謝謝
10#
發表於 2022-8-23 21:36:27 | 只看該作者
8 j! b' H+ t. s; Z: s5 u
感謝大大無私分享,謝謝
11#
發表於 2022-8-31 16:28:27 | 只看該作者
感謝大大無私分享,謝謝
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