請教大家MOS做電阻構成RC濾波器的分析

kevinlin1

請教各位大大，

7 [' g/ z1 `' H( o9 i' {    MOS管偏置在亞閾值，非飽和狀態，這樣MOS管的電阻能夠做得很高，如下圖

( J. b  Z+ y1 v  z   
/ w$ v; V; g  N3 B5 l% \3 R5 P
    仿真得到的AC圖形，如下圖。可以看到一個極點（RC）還有一個右半平面的零點，這個零點從何而來？

' S5 j# t/ P2 B) |6 G   
0 ?3 m% \8 a4 V8 h
/ a3 g  o! q+ g: B  n: X. J    仿真得到的Trans圖形，如下圖。可以看到電容上的電壓隨時間在緩慢上升，但是不會上升到跟右邊一樣的DC電壓，說明MOS管有漏電嗎？

   

suewe

應該是把sin wave　input 換成pulse input。
- u1 d8 A% ^5 E3 e: |1 B" s! ^把圖上的va=50m, freq=1kHz, 及dc=400m的電壓源，
換成一個vpwl的電壓源，給一個step function,並設定dc=400m, ac mag=1，
只要transient 時間給１００秒，應該就可以充到400mv的位準。

dreamboy

正好現在有在研讀濾波器的部份，來看看有沒有幫助