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提供一個之前用的方法, 5 G" J& Q/ g) X4 y/ F1 i3 i9 a
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)5 u( u0 \- N, \
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,6 B3 u( d L$ q& f$ v
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
6 H: l: T* u! u3 l! e& M3 R( I# V8 G V/ H ` C
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect). k5 Z( W6 ~& K. r9 P6 a s9 z- ?
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]& H1 N5 `* ^1 A$ w, W
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)" c6 V) s' r7 k9 z6 S
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
% N: r( j6 @$ t
1 m0 T+ o7 ^1 L7 P9 z) V將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值/ c) y7 W) P* r6 U( _; D) C
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]! `- x1 N# Y" l: G0 R2 S
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
: u: p7 I! S' c. o# G( c8 P) a
q( j5 T4 s5 d之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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