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[問題求助] layout 的 metal 耐電流?

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1#
發表於 2007-8-1 09:40:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!7 h9 T4 t, t' M- n$ s( G
這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!, v9 T* ]( E- o9 [
要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
: L, ~% h0 M" T! H' p5 V! V- n  m% [- J不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!0 n' V5 F+ e$ x; K0 |; B
假如以下的狀況:
7 Q3 e  S, F! Y( j# X# M1. Peak current is 2A?
+ ^/ e5 \, @& j4 {/ j/ ?( z: p1 i( I2. Constant current current is 500mA?
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2#
發表於 2007-8-1 21:06:22 | 只看該作者
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
3#
發表於 2007-8-3 16:21:04 | 只看該作者
如以 1um /1mA  來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧

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參與人數 1Chipcoin +1 收起 理由
sjhor + 1 Peak current 可達 5~10mA/um吧!!

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4#
發表於 2007-8-7 22:19:03 | 只看該作者
為了因應Power MOS的巿場. T8 l5 X, D6 |2 D. V* w
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule
  K; j, Z( I' F, I  qthick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多9 K7 }3 _1 G- U) c+ w: E  D
thick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)
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