安森美半導體推出HighQ矽-銅整合被動元件製程技術以及IPD產品設計工具

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高品質IPD技術相當適合便攜式與無線應用產品中需要高效能與價格競爭力的被動元件
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0 E9 v  ^& M+ ?7 z5 w產品付運量每年超過300億顆的全球半導體方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）今天宣佈擴充先進製程技術，提供HighQ™矽-銅整合被動元件(IPD, Integrated Passive Device)製造服務，這個創新的八吋晶圓技術可以提供比較簡單的矽銅技術更高的效能，但在成本上卻比昂貴的超高效能砷化鎵-金被動產品要低上許多。

安森美半導體的HighQ™ IPD製程技術相當適合用來生產被動元件，例如便攜式與無線應用產品中需要更高效能以便取得更長電池使用時間的平衡非平衡轉換器、耦合器以及濾波器等。
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7 d( W+ D1 L6 f+ a  B- x0 \# m「直到現在，設計工程師在為電路設計選用元件時，還是經常得為了要提供具有價格競爭力的消費性產品而必須在效能上做出犧牲。」安森美半導體製造服務業務總經理Rich Carruth表示，「砷化鎵-金被動元件製程雖然能夠提供較好的效能表現，但卻由於成本太高而無法應用在大量生產的消費性產品，例如行動電話與其他無線設備上。典型的矽銅被動元件雖然在成本上比砷化鎵-金更佔優勢，但效能表現卻不佳，採用安森美半導體 HighQ™製程的被動元件為設計工程師提供了相當好的第三種選擇，那就是以比砷化鎵-金更有競爭力的價格提供比傳統矽銅技術更高的Q值。」

製程介紹

) }: h5 a+ _5 ~. H, Y9 h* W7 AIPD製程目前已經在安森美半導體位於美國的世界級八吋晶圓廠導入生產，這個晶圓廠擁有業界同級最佳的原型製作與量產週期時間，同時配備有先進技術良率與失敗分析設備以及系統。 HighQ™製程技術提供了銅質較厚的電感器、MIM電容器(0.62 fF/um2)以及TiN電阻器(9 ohms/square)，是一款能夠符合完整可靠度評估並展現解決方案穩固度的經驗證可靠製程。

·         循環溫度-65°C/150°C
& t. q3 v0 t  y' c% G3 B·         金屬、Vias 與 MIM固有可靠度
·         高溫運作壽命(150°C, 504 小時)
, U) |  b( z" ?; w$ [·         ESD規格：HBM, MM
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, S' K  R8 a& z' EIPD產品
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+ f9 [( ]: ]/ z3 z) m「安森美半導體可以提供給想要立即導入量產以及需要客製化產品設計客戶HighQ™製造服務。」Carruth表示，「我們快速的原型製造可以幫助客戶在最快6週以後就能夠由設計導入生產。」 最能夠取得HighQ製程技術優勢的產品包括應用在便攜式與無線產品中的平衡非平衡轉換器、濾波器與耦合器等。 安森美半導體目前正進行一系列應用在降低高速串列介面EMI高頻寬 HighQ™濾波器的開發，預計將在今年夏天推出樣品，並於2007年第4季進入量產。

/ s9 {4 Y1 b2 l+ e" T. QIPD Design設計工具
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安森美半導體提供有IPD技術全功能設計套件給採用公司製造服務的客戶使用，這個設計套件可以進行實際第一顆產出晶片結果的有效評估與模擬，並包含有標準的Cadence設計工具：

, y& E' B, \2 M9 k5 X' m·         PCELL產生器、檢視器以及其他
·         Cadence Assura DRC, LVS
4 G& {9 {+ ]2 |% t·         Cadence RFDE環境搭配安捷倫ADS模型
·         由佈局到HFSS模擬環境的全自動轉換
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! O! @7 P+ [5 N' A# s" f, E* n能夠進行安森美半導體快速原型製造的設計工具目前正提供給可能的潛在客戶。

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全新 PNP 與 NPN元件可以為便攜式電子應用帶來更高的能效及更長的電池使用時間  
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全球領先的電源管理半導體解決方案供應商安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擴充領先業界的低 Vce(sat) 雙載子接面電晶體(BJT) 產品系列，推出採用先進矽晶片技術的 PNP 與 NPN產品。這兩種新型電晶體與傳統的 BJT 或平面 MOSFET比較，不僅實現了能效的最大化，而且還可延長電池的使用時間。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式，非常適用於各種多樣化的便攜式應用。

2 n! V2 F) ]$ U& [安森美半導體離散產品部副總裁兼總經理 Mamoon Rashid 表示：「安森美半導體提供有目前市場上最豐富的高效能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領域的領先產品，為電源控制提供了非常經濟的解決方案。這些元件相當適合行動電話與汽車應用中的關鍵切換開關上，為設計工程師提供能夠幫助他們推出領先產品的高成本效益解決方案。」
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, M7 i( m- u! c, ?! X9 e安森美半導體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面黏著式封裝元件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1 A時，該元件可以提供45 mV的超低飽和電壓以及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的高靜電放電 (ESD)承受力，因此能夠在突波發生時進行自我保護避免受損。由於具備了卓越的電氣特性以及較低的溫度係數，因此這些元件可以提高能效，不需額外的 ESD 保護電路就能實現更好的電池節省。相對於 MOSFET而言，這些元件比較適中的切換速度可以降低雜訊諧波，因此更適於需要控制電磁干擾(EMI)的應用。   

) W$ F3 H: ^: h& a安森美半導體的低 Vce(sat) BJT 系列產品採用多種業界領先的封裝，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價為 0.14 ∼ 0.27 美元。

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電源管理半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充其低Vce(sat)雙載子接面電晶體(BJT) 產品系列，推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品。這2種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET比較，不僅實現能效的最大化，且還可延長電池的使用時間。

新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式，非常適用於各種多樣化的便攜式應用。Vce(sat) 表面黏著式封裝元件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1 A時，該元件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。

這種低Vce(sat)BJT還提供超過8 kV的高靜電放電 (ESD)承受力，因此能夠在突波發生時進行自我保護避免受損。具備卓越的電氣特性及較低的溫度係數，因此這些元件可提高效能，不需額外的 ESD 保護電路就能實現更好的電池節省。相對於MOSFET，這些元件較適中的切換速度可降低雜訊諧波，因此更適於需要控制電磁干擾(EMI)的應用。
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針對便攜設備的RGB裝飾光或LCD背光應用，新的NCP5623佔用極小的板級空間，具有漸進調光功能，峰值能效可達94%，同時支援顯示超過32,000種顏色
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9 [9 J$ d3 E0 _2 G. x0 O全球領先的電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高能效三路輸出LED驅動器 — NCP5623，帶有I2C介面，並且內置漸進調光功能。該器件特別設計用於驅動手機和MP3播放器等便攜產品中的三色RGB (紅、綠、藍)LED裝飾光和增強型LCD背光。NCP5623採用小巧LLGA-12封裝，是目前市場上採用非凸點式塑膠封裝中體積最小的RGB LED電荷泵驅動器。
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安森美半導體數位與消費類產品部副總裁兼總經理Manor Narayanan說：“便攜產品採用LED來產生發光圖案，可以持續提升產品的吸引力及互動趣味性。安森美半導體的高能效、超小型NCP5623 LED驅動器內置獨特的控制演算法，可為便攜應用提供即插即用型發光效果，同時支援極為充沛的色彩組合。”

NCP5623 LED驅動器通過其I2C介面接收處理器的指令，進行自動操作。它的三路控制電流輸出各自獨立，每路控制電流輸出都具備±0.5%的典型匹配容限和32個電流等級，從而使得1個三色RGB LED就能顯示超過32,000種顏色。該器件集成漸進調光功能，能夠逐漸增加或減小輸出電流，營造出劇場般的淡入/ 淡出效果。由於融入了對數電流演算法，該器件能夠確保光亮度和色彩變化以平緩和漸進的方式呈現眼前。
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' |1 x8 R, l) ~4 [9 U' q為了盡量延長電池壽命, NCP5623實現94%峰值能效和少於1微安的待機電流，超過一般鋰電池的工作範圍。對典型應用而言，該器件除了具備極小型IC封裝的優勢之外，兼具僅需4個無源元件就能工作的特點。該器件還具備短路和過壓保護功能，在LED失效時保護系統。
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7 R$ |6 u2 N/ J% M& r封裝與價格
* l5 M0 d; J3 L) s* Q/ QNCP5623採用2.0 mm×2.0 mm×0.55 mm LLGA-12無鉛封裝，每3,000片的批量預算單價為0.55美元。

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全球領先的電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)今日宣佈，其NCP5810的2 瓦(W)雙輸出直流-直流(DC-DC)轉換器榮獲《今日電子》(EPC)雜誌頒發的“Top 10 DC-DC 2007”獎項。這是安森美半導體連續第五年獲得EPC頒發這個獎項。

NCP5810包含1個升壓轉換器和1個逆變器，同時提供正負輸出電壓。它也是一款高能效的1.75 MHz脈寬調製(PWM)轉換器，專門針對有源矩陣發光二極體(有源矩陣OLED或AMOLED)面板的顯示驅動供電，為�定電壓應用進行了優化，用於可攜式應用的新興顯示技術，提供更多的色彩對比和視頻回播質量。

! D! f3 ]. a; R8 B) P0 X7 C- k安森美半導體數位消費產品部亞太區行銷經理劉偉強(W.K. Liew)說：「安森美半導體連續第五年獲得此獎項，這充分地證明了我們的電源解決方案備受客戶、媒體和業界專業人士的認可。AMOLED面板是一種新興的可攜式應用顯示技術，而NCP5810為AMOLED電源提供了極大的優勢。我們非常高興這款器件已經被領先的顯示器製造商們選用於為超薄型可攜式多媒體設備中的AMOLED面板供電。」
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NCP5810雙輸出DC-DC轉換器在1.75 MHz振盪器頻率下的整體電源能效高達85%，提供了業內最優異的性能。為了互補AMOLED顯示纖薄的外形，NCP5810能工作於1.75 MHz的高開關頻率，允許使用體積小巧的電感和陶瓷電容等外圍器件，NCP5810採用尺寸為3.0 mm x 3.0 mm的超薄型LLGA-12封裝，厚度僅為0.55 mm，非常適用於外形最纖薄的可攜式設備。此外，它在關機模式下的斷電功能將漏電顯示電流限制在1微安(μA)，節省了關機狀態下的電池電能。NCP5810還具逐週期峰值電流限制和熱關機保護功能。
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! U% h0 U" B- }% Z7 ^NCP5810採用超薄的3.0 mm x 3.0 mm x 0.55 mm LLGA-12封裝，每3,000片的批量單價為1.20美元。

' J) o+ K% b6 J關於《今日電子》的“Top 10 DC-DC”獎項

《今日電子》(EPC) 是在美國出版的Electronic Products雜誌的姊妹刊物，也是中國最權威的電子行業雜誌之一。EPC每年一度的“Top 10 DC-DC”獎項用於表彰優異的DC-DC電源產品，包括IC。EPC組建的專家小組通過嚴格的評估和推薦程序對提名的DC-DC產品進行評判，評審標準包括產品的創新設計、成本效益和技術突破等。

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新的 ESD9L 可攜應用高速數據線路 ESD 保護器件採用節省空間的SOD-923 封裝，提供極低的 0.5 pF 電容和業界領先的鉗位電壓
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2007 年 10 月 15 日 – 全球領先的電源管理和電路保護半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor ， Nasdaq ： ONNN) 推出新的超低電容靜電放電 (ESD) 保護器件系列的首款產品。新的 ESD9L 是一款單線 ESD 保護器件，提供 0.5 皮法 (pF) 電容和業界領先的低鉗位電壓。這元件採用適合 ESD 保護應用的業內最小封裝，非常適用於手機、 MP3 播放器、 PDA 和數碼相機等可攜應用的高速數據線路保護。
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# G* y3 V2 p, Y1 {# s, a隨著更新的積體電路 (IC) 技術使用的幾何尺寸越來越小和工作電壓越來越低，不斷更新換代的可攜產品對 ESD 電壓損傷也越趨敏感。與此同時，可攜電子系統也要求電容更低，以維持其高速數據線路應用的信號完整性。基於矽瞬態電壓抑制 (TVS) 二極體的傳統片外保護解決方案提供低鉗位電壓和快反應時間，但它們的大電容限制了其在高速應用中的使用。聚合物和陶瓷壓敏電阻等競爭性片外保護技術提供低電容，但它們的高 ESD 鉗位電壓限制了其保護極敏感 IC 免受 ESD 損傷的能力。
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安森美半導體亞太區標準產品部市場行銷副總裁麥滿權說：“可攜設備設計人員的挑戰是尋找既結合低電容和低 ESD 鉗位電壓特性、封裝又小到能夠適合當今尺寸日益縮小的可攜電子應用的片外 ESD 保護解決方案。安森美半導體推出適合高速數據線路應用的 ESD9L 系列 ESD 保護二極體，為設計師解決了挑戰。”

突破性的 ESD 技術

) y+ P* v* @/ u" |2 R為了克服傳統矽 TVS 二極體的局限，安森美半導體使用突破性的工藝技術，將超低電容 PIN 二極體和大功率 TVS 二極體結合在單個裸晶上，能夠用作高性能片外 ESD 保護解決方案。這新的集成型 ESD 保護技術平臺既保留了傳統矽 TVS 二極體技術的卓越鉗位和低漏電性能，又將電容從 50 pF 大幅降低至 0.5 pF 。 0.5 pF 的總電容使 ESD9L 適用於 USB2.0 高速 (480 Mbps) 和高清多媒體介面 (HDMI)(1.65 Gbps) 等高速應用。根據 IEC61000-4-2 的標準， ESD9L 將輸入的 15 千伏 (kV) ESD 波形在數以毫微 (ns) 內迅速鉗位至不到 7 伏 (V) 。這鉗位電壓性能領先業界，為最敏感的 IC 確保提供保護。
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安森美半導體的集成型 ESD 保護平臺使用專有的設計技術，在提高鉗位性能的同時，維持了極小的裸晶尺寸，使其能夠適合尺寸僅為 1.0 mm × 0.6 mm × 0.4 mm 的 SOD-923 封裝。這超小單線 ESD 保護封裝為設計人員提供極大的尺寸靈活性。超小型封裝加上領先的超低電容和極低鉗位電壓，使 ESD9L 成為手機、 MP3 播放器、 PDA 和數碼相機等空間受限型產品的高速應用首選解決方案。
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7 C7 C* @. k0 F安森美半導體麥滿權說：“安森美半導體致力解決我們客戶面對日益複雜的 ESD 保護問題。新的 ESD9L 器件是採用我們專有技術開發的首款產品 , 我們將推出整系列的產品線解決方案。後續推出的電路保護解決方案，將針對當今數位消費產品設計人員面臨的不同挑戰。”

0 ]% I" H5 Q; f  y, V! I新的 ESD9L5.0ST5G 採用 SOD-923 封裝，每 10,000 片的批量單價為 0.15 美元。
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新的NPxxx閘流體浪湧保護器件(TSPD)非常適合於調制解調器、住宅網關和中心局接入設備中電信電路的浪湧保護

2007年11月20日 –全球領先的高能效電源半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN) 針對電信應用推出新的NPxxx系列閘流體浪湧保護元件(TSPD)，擴充了公司的電路保護解決方案陣容。

NPxxx系列的44款元件為中心局(CO)、接入端和用戶前端設備中電信電路提供過壓保護。這系列元件的應用包括調制解調器(MODEM)、住宅網關、數位用戶線路接入複用器(DSLAM)和集成語音數據(IVD)卡。
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這些器件同時提供受業界青睞的DO-214AA表面貼裝封裝(SMB)和強韌的DO-15軸向導線封裝，可靠且經濟。用作次級保護電路的一部分時，這些元件將電能轉移出受保護電路來提供過壓保護。NPxxx器件獲UL497A認證，在電子應用中採用這些器件就能夠符合GR-1089-CORE、ITU K.20/K.21/K.45、IEC 61000-4-5、IEC 60950、YD/T 993、YD/T 950和YD/T 1082等不同規範的要求。
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安森美半導體亞太區標準產品部市場行銷副總裁麥滿權表示：「安森美半導體致力於為客戶面對的日益複雜的電路保護問題提供解決方案。除了NPxxx系列元件，我們還將推出其他的電路保護解決方案，為當今電信系統設計人員解決他們各種的電路保護挑戰。」
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器件的功能特性

這44款新的NPxxx元件是大浪湧電流TSPD，保護電壓範圍從64到350伏(V)之間，提供額定浪湧電流為50、80和100安培(A)等不同版本。這些器件限制電壓，並將浪湧電流轉移至地。它們屬於雙向保護元件，因此能夠在一個封裝中提供兩個器件的功能，節省出電路板彌足珍貴的空間。基本上，這些器件在過壓發生時進行“消弧”——將可能帶來潛在損傷的電能轉移出敏感電路或器件。一旦瞬態過壓狀況過去，這些器件就會恢復到它們正常的“關閉”或透明狀態，並且無形地在電路正常工作中發揮功能。這些TSPD沒有耗損特性，在快速瞬態情況下提供穩定的性能特徵，確保設備可靠持續地操作。
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NPxxx元件採用5.40 mm × 3.5 mm DO-214AA表面貼裝封裝和7.60 mm × 3.60 mm DO-15軸向導線封裝，每10,000片的批量單價為0.10美元。

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安森美半導體提供複雜像素粒子傳感器晶片獲CERN頒發產業獎

9 Z: N+ i0 n; @# W. T& o0 m2007年11月27日 –全球領先的高能效電源解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN) 今日獲歐洲核子研究理事會(CERN)頒發產業獎，表彰安森美半導體為CERN供應用於ATLAS粒子物理實驗的複雜“像素粒子傳感器(Pixel Particle Sensor)”晶片。
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* Q5 R! \$ n# {7 U& K- ~; s  FCERN是世界上最大的粒子物理實驗室。ATLAS協作項目是CERN四個主要的粒子物理實驗之一。ATLAS實驗利用CERN的大型強子對撞機(LHC)來探索物質的基礎屬性和形成宇宙的基本力量。從2008年年中開始，ATLAS探測器將搜索每個質子能量達到極高的7萬億電子伏(TeV)情況下的質子正面碰撞的新發現。在物理科學領域，ATLAS是全世界前所未有的最大協作項目之一，共有來自37個國家超過166家大學和實驗室的1,900名物理學家參加。
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. V- ]3 o  e0 X! h8 R, p% C/ {安森美半導體與捷克共和國科學院物理研究所密切合作，在矽晶圓兩面使用光刻開發出特殊技術，提供ATLAS設計用於矽片內部追蹤器的大面積像素粒子傳感器晶片。迄今為止，安森美半導體參與這項目一向獲捷克貿工部的補助金支持。
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安森美半導體捷克共和國和斯洛伐克副總裁兼總經理Michael Mandracchia說：“在與捷克共和國科學院物理研究所的密切合作下，安森美半導體開發出了用於像素粒子傳感器的定制雙面技術，並在安森美半導體位於捷克共和國Rožnov pod Radhoštěm的製造廠生產出相關晶片。每一塊矽晶圓上通常同時製造著數百片、有時甚至多達千片的半導體晶片。在ATLAS像素傳感器晶片的項目中，我們在每塊晶圓上僅製造3個傳感器晶片，而晶圓的兩面都為有源結構。這些晶圓的厚度僅為標準生產晶圓厚度的一半。由於這工藝需要低的缺陷密度和仔細的晶圓處理，故需求非常的高。”

有關ATLAS協作項目的更詳細信息，可參見http://atlas.ch/。

3 A$ w8 ~: E* J' E% i1 b! W安森美半導體高級副總裁兼首席技術長Peter Zdebel說：“安森美半導體能成功參與ATLAS協作項目，進一步鼓勵我們研究團隊繼續他們的粒子傳感器開發，並開發用於微條(strip)和墊片(pad)粒子傳感器的專用技術。我們會繼續研究粒子物理的未來項目，包括國際直線對撞機(ILC)和其他數個當前的國際科研項目。我們有幸能成為這些全球研究項目的一分子，並珍視這些能夠展示我們專家團隊技術才能的機會。”
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- i. D4 b; A, }' u* L! d+ _安森美半導體在中歐的業務歷史悠久，在捷克共和國Rožnov pod Radhoštěm擁有並營運一矽生產、一晶圓製造廠和一產品開發中心，還在斯洛伐克擁有一產品開發中心、一晶圓製造廠和一客戶服務與物流中心。

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實驗室將協助區內客戶在可攜、消費和電訊應用的電路保護解決方案及測試
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2007年12月5日 –全球領先的電源管理和電路保護半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)設在中國上海的新電路保護應用測試實驗室今天成立。這實驗室位於安森美半導體上海辦事處內，旨在支援亞太地區客戶，幫助他們加快產品面市。

這是安森美半導體在美國以外設立的首家電路保護應用測試實驗室、也是公司在全球的第二家，為客戶提供廣泛的測試、問題解決和諮詢服務，幫助客戶解決與國際規範標準相關的電路保護問題。首家實驗室設立在公司總部美國亞利桑那州菲尼克斯，設在中國的新實驗室主要為移動電話和DSL調變解調器等可攜消費產品和電訊設備提供過壓保護解決方案。
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這配備了最新設備的實驗室設有經驗豐富的安森美半導體工程師，他們深切了解最新的電路保護應用相關的規範要求。他們在靜電放電(ESD)和大功率浪湧瞬態問題上的專門技術和知識, 將幫助客戶在他們正式向相關機構申請認證之前, 為其應用的電路保護作更好的評估。
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安森美半導體的實驗室能進行多種ESD和浪湧事件測試來評估電子元件、子系統或終端產品，確定它們容易受故障和損傷的影響程度。有關測試元件和產品性能的測試結果將寫作報告，回饋給客戶，並就如何更好地滿足規範標準提出意見和建議。
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2 l3 {4 r  j' J8 S  ]; {這電路保護應用測試實驗室能夠進行符合IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61000-4-11、ANSI/IEEE C62.41、UL 864、UL 1449、FCC Part 68、ITU Rec. K.17、K.20、K.21和K.45 Telcordia GR1089-CORE等業界規範標準的多種浪湧測試。
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除了廣泛的測試能力，這實驗室還協助客戶解決應用問題、設定保護器件借鑒標準、鑒定性能以及建議新保護器件等。
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% R. s4 }) o# r- B安森美半導體保護產品業務總監Gary Straker說：“在亞太區內新設這家電路保護應用測試實驗室，安森美半導體不僅在地理上更貼近客戶，更讓我們能夠更進一步地提供多種測試和諮詢服務給客戶。這實驗室將為那些需要處理電路保護應用相關規範標準的客戶提供幫助。亞太地區的客戶將因我們所提供的測試服務能力而節省時間和金錢，最終將使他們能更快地把產品面市。”
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2 D9 q  d; _2 A6 c安森美半導體保證在所有測試項目上都為客戶保密。這實驗室已經制定限制和授權進入/接近測試設施的嚴格流程。客戶可選擇監督其產品的測試。公司可應客戶要求簽訂不洩密協議(NDA)，且所有樣品和測試數據都會交回給客戶。
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安森美半導體亞太區標準產品部市場行銷副總裁麥滿權說：“中國是安森美半導體發展速度最快的市場，安森美半導體將公司在全球第二家的電路保護應用測試實驗室設立在中國這一戰略性舉措，進一步貫徹我們對中國乃至整個亞太地區客戶的承諾。”

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安森美半導體推出用於電訊、網絡和消費應用的PureEdge™高性能時鐘產生器件

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基於鎖相環(PLL)的新器件生成具超低抖動的優質時鐘，為PCI Express、以太網
  ^1 v! I7 R9 N1 o5 S. n和FBDIMM應用提高時序精確度、增加設計靈活性及降低成本

2007年12月13日 –全球領先的高能效電源半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)擴展其PureEdgeTM高性能時鐘產生產品系列，推出 NB3N3002和NB3N5573這兩款在同類產品中為最佳的器件。
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安森美半導體亞太區標準產品部市場行銷副總裁麥滿權說：“當我們向2008年邁進時，我們仍將持續專注於大力拓展時序業務。我們的PureEdgeTM產品系列被證明是業內現有最佳的基於鎖相環(PLL)且具有低相位雜訊的時鐘產生技術。隨著我們進一步擴大PureEdgeTM產品陣容，我們預期將繼續獲得業界公認，是時鐘產生市場的表表者，及時鐘樹的整體解決方案供應商。”

0 D2 v! W9 J$ e  NNB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)時鐘產生器，生成頻率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之間選擇的主時鐘信令等級(HCSL)和亞皮秒(ps)抖動的優質時鐘。這些器件非常適合於PCI Express、千兆位元以太網(GbE)和雙列直插記憶體模組(FBDIMM)應用。與標準的晶體振盪器和矽基競爭時鐘產生器件相比，PureEdgeTM架構提供更高的設計靈活性及更低的系統成本。
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NB3N3002生成一組差動HCSL輸出時鐘，NB3N5573則提供雙輸出。這兩款器件採用先進的   0.25微米(μm) CMOS技術，相位雜訊性能大幅超越競爭器件，可與昂貴的表面聲波(SAW)晶體振盪器相媲美。這些器件以低成本25 MHz晶體生成的高質量時鐘具有四種可供選擇的輸出頻率和集成的1:2扇出緩衝器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)載波頻率偏移處，NB3N5573提供的相位雜訊為130 dBc/Hz(每1赫帶寬內單邊帶相位雜訊功率與載波功率之比)。

; X- D! M- P; L/ H0 Z  n與安森美半導體所有的PureEdgeTM器件相似，這些新的時鐘產生器為系統設計人員省下更多的珍貴時序預算，並提供真正的設計靈活性。矽基時鐘產生IC，如NB3N3002和NB3N5573本質上比昂貴的晶體振盪器更易於製造，故能降低總體系統成本，並大幅縮短產品上市時間。NB3N5573與功能相競爭的器件ICS557-03引腳兼容，能夠替代這器件。在沒有採用擴頻功能下，NB3N5573提供更佳的抖動性能，使其在不需要同步狀態信息(SSM) 下更發揮價值。
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麥滿權說：“安森美半導體持續為客戶提供具有最高性能、最佳質量及價格具競爭力的時序解決方案。我們公司樹立了供貨可靠和客戶服務卓越的聲譽，進一步增強了客戶對我們的信心。在新的一年，我們計劃推出更多的PureEdgeTM產品，針對時序產品市場嚴苛技術的要求和獨特行業挑戰。”

封裝和價格
: E7 H- g  O9 {1 C9 aNB3N3002和NB3N5573採用5.0 mm × 4.4 mm無鉛TSSOP-16封裝，每2,500片的批量預算單價為1.80美元。

: M% ^* m/ _+ {; Y% M6 S% G更多信息，請訪問http://www.onsemi.com/circuitprotection或聯繫麥滿權(電郵：M.K.Mak@onsemi.com)。
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新的ESD保護元件厚度減少20%，具有0.5 pF的極低電容和低鉗位電壓

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2008年9月30日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出低電容靜電放電(ESD)保護產品線的兩款新產品——NUP4016和ESD 11L 5.0D。這些新產品採用安森美半導體獲得專利的先進整合ESD保護平臺，增強鉗位性能，並維持超低電容和極小裸片尺寸。新元件的超小型封裝厚度比起前一個封裝版本低了20%，是需要在超薄封裝中提供優異保護性能的手機、MP3播放器、平板顯示器和其他高速通訊等可攜式裝置的極佳保護元件。
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1 m; u0 P+ ^. f! _2 @/ d- _  S安森美半導體數位消費產品部副總裁兼總經理Manor Narayanan表示：「可攜式電子產品的體積不斷縮小，但卻要提供更多的功能，這已經不是新聞。真正的新聞是半導體公司的方案，像安森美半導體的新保護元件，如何幫助設計人員結合世界一流的ESD保護與超低電容，以維持高速數據率，而又不佔用太多珍貴的電路板面積。」

8 g7 R& x( |2 a: J1 MNUP4016採用極小的 1.0 mm x 1.0 mm x 0.4 mm SOT-953封裝，保護4條高速數據線路，是現今市場上最薄的高速通訊介面用ESD元件，它具備每條I/O線路0.5皮法(pF)的超低電容，非常適用於USB 2.0高速(480 Mbps)和高解析度多媒體介面(HDMI) (1.65 Gbps)等高速介面。NUP4016以超小尺寸結合領先的超低電容和低鉗位電壓性能，所以它是手機、可攜式MP3播放器、PDA和數位相機等空間有限產品的最佳解決方案。
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ESD 11L 5.0D採用超小型 1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm SOT-1123封裝，以0.5 pF電容保護兩條高速數據線路，是如今市場上最薄的高速通訊、USB 2.0數據和電源線路及保護用ESD元件。與採用SOT-723封裝的市場上同類解決方案相比，SOT-1123封裝佔位面積小50%，厚度低20%。將安森美半導體的超低電容技術整合至3針腳封裝中，為設計人員提供保護USB 2.0端口的D+和D-線路的單一元件解決方案。ESD 11L 5.0D也能夠連接陰極至陰極，以0.25 pF電容保護單條雙向線路，非常適用於保護高頻射頻(RF)天線線路。
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% |1 Q. s; C" n- I$ J9 SNUP4016和ESD 11L 5.0D都能在數毫微秒(nanosecond)的時間內將15千伏(kV)輸入ESD波形鉗位至不足8伏(V)，為當今對ESD敏感的積體電路(IC)提供最高保護水準。雖然聚合物和陶瓷壓敏電阻等其他片外低電容ESD保護技術也提供低電容，但它們的ESD鉗位電壓遠高於安森美半導體的解決方案。此外，安森美半導體的矽元件沒有無源技術的磨損問題，即使經過像ESD的多次電壓突波(surge)，可靠性和性能也不會受影響。
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2 a  Q6 o: m( F9 d% k& p% b9 _9 e安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說：「安森美半導體持續領先業界，以更小、更薄的產品提供高性能ESD保護解決方案，不僅配合下一代應用的尺寸要求，更提供客戶所要求的性能。這些新元件克服保護高速應用中敏感元件免受ESD導致嚴重損傷的挑戰。」
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7 _* i& J8 o, N2 h* yNUP4016採用SOT-953封裝，每3,000顆批量的單價為0.40美元。ESD 11L 5.0D採用SOT-1123封裝，每8,000顆批量的單價為0.21美元。



& Y! N7 c0 _1 M& t9 @2 r% n[ 本帖最後由 jiming 於 2008-10-1 09:01 AM 編輯 ]

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安森美半導體擴展步進電機設計的電流範圍和靈活性

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4 f) c1 h9 t1 W$ `新的專用標準產品(ASSP)支援外部微控制器

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1 N& n% b8 Q( I) k  e! V2008年10月2日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)擴展雙極步進電機控制系列，推出兩款新的串行外設介面(Serial Peripheral Interface)版本電機驅動器——AMIS-30511和AMIS-30512，能夠提供達800毫安(mA) 的峰值電流，配合外部微控制器的使用，可增加靈活性。這兩款新元件消除了使用眾多外部元件的需要，降低系統成本，減少物料清單(BOM)。

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這兩款新的混合信號IC都包含兩個嵌入式H橋，能夠以高達 400 mA的持續峰值電流以及高達 800 mA最大電流短暫驅動兩面步進電機。每款元件都令主微控制器檢測堵轉轉子和運轉結束狀況，不需額外的開關、霍爾感測器或光學編碼器。除了停轉檢測，這些功能還讓設計人員對微控制器進行編程，以計算轉子位置，以及動態調節電流或轉速，以防止步進損耗。此外，這功能消除最終停轉時的雜訊和振動，提升動作控制精確度和可靠性，不需額外的元件。

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+ u; l0 @. W" l# NAMIS-30512包含一個5 V穩壓器，為內部邏輯及以達50 mA電流為微控制器等外部元件供電。AMIS-30512還具備看門狗邏輯電路，防止外部微控制器出現「意外停機」。

. E6 J$ h2 p8 c# h4 |1 B安森美半導體工業產品市場行銷經理Eric Wallentine說：「AMIS-30511/512元件將我們雙極步進電機微步驅動器系列的電流驅動範圍向下擴展至400 mA。在同一塊晶片上結合高壓類比電路和數位功能，這些電機驅動器令客戶能夠設計低成本、低元件數量的電機驅動系統，應用範圍廣泛。」

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1 D( ?+ i; ^7 M4 PAMIS-30511/512的典型應用包括保全用錄影機、大樓和工業自動化、電機控制、紡織處理、工藝設備、機器人、供暖通風空調(HVAC)和基地台控制和狀態檢測。

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定價和供貨
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% a& ?& E. U, e* H+ R0 P7 dAMIS-30511和AMIS-30512均採用24針腳SOIC封裝，每1,000顆批量的預算單價分別為3.81美元和4.18美元。
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安森美半導體推出業界最高功率整合型PoE用電設備介面
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兩款新的整合乙太網供電用電設備(PoE-PD)和DC-DC轉換器控制器

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支援標準功率13 W應用和達40 W的更高功率應用

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# `4 {8 U, P, s( o2008年10月6日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN) 推出乙太網供電(PoE)產品系列的兩款新品——NCP1080和NCP1081。NCP1081是業界最高功率整合乙太網供電用電設備(PoE-PD)，功率範圍廣，以2對配置為應用負載提供達40瓦(W)穩壓功率。兩款元件都完全支持IEEE 802.3af標準。NCP1081更支援包含兩個事件物理層分類，最新批准的IEEE 802.3at草案(D3.0)標準。NCP1080和NCP1081的典型應用包括網路電話(VoIP)、無線接入點、工業乙太網設備、拍攝全景-上下擺動-變焦放大 (PTZ)和球型IP攝錄機、射頻識別(RFID)基地、WiMax數據機，並可以考慮用於筆記型電腦。

4 P1 N) p- H0 Q! w* f( zNCP1080與NCP1081針腳相容，均採用尺寸僅為 4.4 mm x 6.5 mm的TSSOP-EP20封裝，在單晶片中結合增強型PoE-PD介面和高效能直流-直流(DC-DC)轉換器控制器。與其他雙晶片解決方案相比，這些高整合度的解決方案減少物料清單(BOM)元件數量達67%。NCP1081傑出的高功率性能為直接採用乙太網線路供電產品開啟了新門戶，因此不需要使用當地電源適配器或電源，大幅降低總體安裝和維護成本。

NCP1080/1充分發揮安森美半導體通過汽車認證的高壓SmartPower專門技術，與其他整合型用電設備和DC-DC轉換器控制器相比，提供優異的線纜靜電放電(ESD)和突波保護電平。低導通阻抗(Ron)和延伸的溫度範圍使NCP1080/1提供創紀錄的功率電平，並能在嚴峻的環境下運作。
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安森美半導體通訊高壓業務部市場行銷總監Bob Kirk表示：「安森美半導體在製程、設計和系統創新方面績效優異，為客戶解決問題。這使我們可以辯識和開發創新的產品，如高功率PoE-PD，
" A. _5 {% e5 s- }$ Z, ^: {應用於範圍廣闊的市場。」
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NCP1080/1利用新的及新興的電源設備(PSE)的優勢，支援可調節的欠壓鎖定機制，提供整合的分類線路，能對關鍵參數進行外部編程。NCP1081還具備過溫保護和雙事件物理層分類指示器等標準特性。
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! w: V( j1 E4 j9 y% V) x) r% L% u! |$ g這兩款元件的整合DC-DC轉換器控制器方便應用反激、降壓和正激轉換器等普及且經過證明的單端電源拓撲結構，使用基於峰值電流控制的控制機制。這些控制器擁有靈活、強固和高效能設計的所有特性，包括可編程頻率、斜坡補償和軟啟動。
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定價和供貨

NCP1080/1已供貨。NCP1080和NCP1081每1,000顆及以上批量的預算單價分別為1.45美元和1.80美元。公司可提供NCP1080和NCP1081評估板。更多技術資訊請瀏覽安森美半導體網站www.onsemi.com，查找及聯繫當地銷售代表處。
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安森美半導體推出新的處理自動化收發器

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AMIS-49250介質連接器縮小電路板尺寸達66%

' W& x% ^2 O& D  n% c3 U8 \- g2008年10月13日 – 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出AMIS-49200介質連接器(MAU)的一款新派生產品——AMIS-49250。與AMIS-49200相比，AMIS-49250節省達66%的額外電路板空間。這款元件是安森美半導體處理自動化收發器產品線的一環，用於石油精煉、化學處理和水處理廠等極講究安全的應用。

安森美半導體擁有廣泛的收發器產品線，並在為自動化市場(如HART數據機)提供IC方面擁有悠久歷史。AMIS-49200是取代橫河(Yokogawa)已經停產的μSAA22Q MAU元件的可靠解決方案。為了支援不能夠適應μSAA22Q(或AMIS-49200)所要求的PCB空間、但要求相同功能的新設計，安森美半導體開發出採用小型44針腳NQFP(7x7) (aka MLF，QFN)封裝的AMIS-49250。
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與AMIS-49200相似，AMIS-49250符合IEC-61158-2、H1 (ISA-SP50.02-1992)和EN 50170物理層標準等規範，其中包括基金會現場匯流排(Foundation Fieldbus, FF) H1和現場匯流排Profibus PA協定。這元件是匯流排繞線和實際測量元件之間的一種物理介面，針對工業自動化處理應用，特別是遵從基金會現場匯流排規範FF-816(31.25 kbit/s物理層規範)的111類和112類基金會現場匯流排H1元件。

基金會現場匯流排是全數位的雙向通訊系統，旨在用於以安全為本的感測器至電腦的應用；在這些應用中，數據的分配和傳輸、控制線路的完整性和整合不同控制系統的能力都很重要。典型應用包括閉環連續控制、批次排序、高速處理自動化、資訊整合、配方管理、數據收集、遺留系統整合和網路整合。

- C% ?' o0 m9 U' h: k9 ]+ a+ P8 R, |安森美半導體處理自動化產品經理Paul Pulley表示：「這新款的派生元件佔位面積更小，能為客戶在電路板設計階段提供更多選擇，特別是在更緊湊的空間中實現和AMIS-49200一樣的功能。AMIS-49250結合了更小形狀係數和與AMIS-49200相同的單位成本，提供整合解決方案的所有優勢。」
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" w7 i/ }: L& `/ V訂價和供貨
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AMIS-49250透過當地代理經銷商供貨，每500顆批量的單價約為13.78美元。
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8 _# l" K1 G- {" j2 {' h2 W[ 本帖最後由 heavy91 於 2008-10-13 02:10 PM 編輯 ]

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新的晶閘管突波保護元件(TSPD) 傑出地平衡小尺寸和高突波能力，同時維持低電容和低洩漏

2008年10月14日 – 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出新的低電容晶閘管突波保護元件(TSPD)系列，這個系列的元件專為保護下一代高速電訊設備而設計。新元件傑出地平衡小尺寸及高突波能力，同時維持低電容和低洩漏，是先進電訊產品的極佳組合。
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6 c2 m8 e. n: Z( b7 _  m4 t/ Q( `NP0080、NP0120和NP0160低電容、低洩漏TSPD元件採用節省空間的TSOP-5封裝，保護數位用戶線路(DSL)晶片組和線路驅動器。雖然在正常電路工作期間它們本質上並不參與工作，但在發生突波和靜電放電(ESD)事件時，它們就能發揮極佳的電路保護性能。這些元件在工作電壓範圍內擁有小於3皮法(pF)的固有低差分電容，能夠排除高速數據線路上的訊號失真。NP0xxx TSPD系列提供極佳保護，在發生8 x 20微秒(uS)突波事件時，具有大於50安(A)的電流承受能力。它們通常在連接和用戶端設備(CPE)的DSL隔離變壓器和DSL線路驅動器之間用作第三級保護。

安森美半導體新的TSPD系列還包括以高成本效益SMB封裝、在市場居領導地位的超低電容NP-MC系列。此系列具有低於30 pF的超低電容，用於額定電流100 A的元件，為設計人員在不同高速應用中提供替代氣體放電管(GDT)的選擇。由於具有超低的關斷狀態電容，NP-MC元件為VDS2+和T1/E1電路等高速設備提供最小的訊號失真。低額定關斷狀態電容轉化為極低的差分電容，為所應用的電壓或頻率提供極佳的線性度。它們通常在DSL隔離變壓器的線路端用作次級保護器。NP-MC系列元件包括NP0640SCMCT3G、NP0720SCMCT3G、NP0900SCMCT3G、NP1100SCMCT3G、NP1300SCMCT3G和NP1500SCMCT3G。
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8 x. |% Y" w( a; Z7 R對於開發網際網路協定數位用戶線路連接複用器(IP-DSLAM)、家庭網路閘道和數據機、網路電話(VoIP)及其它設備等可靠的連接和用戶端設備而言，這些TSPD元件不可或缺，幫助設計人員符合標準，將訊號品質的干擾降至最低。
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NP0080、NP0120和NP0160採用TSOP-5封裝，每3,000顆批量的單價為0.2307美元。NP-MC系列元件採用SMB封裝供貨，每2,500顆批量的單價為0.2307美元。

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新款的快速提升PWM控制器提升伺服器和尖端桌上型電腦效能
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2008年10月17日 – 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出業界首批六相脈衝寬調變(PWM)控制器——ADP4000和ADP4100，符合英特爾VR11.1規範嚴格的性能要求，為伺服器和尖端桌上型電腦提供高效能的主機板和顯示卡設計。

) S# v  E5 m- BADP4000和ADP4100 利用英特爾2008桌上型電腦和伺服器平臺的最新桌上型電腦/伺服器規範VR11.1的特性，節省輕載期間的電能消耗，從而節省能源，並起以往業界解決方案製造更少的熱能。動態電壓識別(Dynamic VID)轉換功能可以調節處理器電壓和處理器頻率，使其在強調(降低)能耗或強調性能的不同狀態之間切換。VR11.1規範需要IMON(電流監控)功能用於處理器的電源管理。

. }6 _, R$ b& Y. ^& lADP4000和ADP4100提供不同保護和監控特性，如採用延遲閂鎖功能來提供限流保護。此功能支持進行內在的逐相位保護，防止受到故障元件的影響，並提供功率良好(PG)監控功能，如高態上拉則顯示電壓位於正常限制範圍之內。

快速提升PWM(FEPWM)架構是EPWM架構的升級版本，在瞬態期間實現極快的導通，並保持時脈系統的穩定性。即便在瞬態期間，FEPWM還維持相位交錯，從而降低輸放濾波器功率耗散。PWM時脈仍用於穩態操作。

9 P! U9 Y4 N+ N. k# PADP4000包含PMBus可編程數位介面，讓設計人員將補償和控制性能最佳化，節省設計時間，加快上市進程。PMBus基於SMBus，是一種在數位介面下進行電源資訊通訊的開放式標準，旨在用於所有轉換器類型。可以基於PMBus對輸出電壓(VID代碼)、時脈超頻時輸出電壓偏置，以及限流閾值等幾種功能進行設定。ADP4000支援25種PMBus定義的指令和38種製造商專用指令。
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2 Z7 W0 o! K! d' X( \9 a& Q安森美半導體電腦產品部資深副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「這些業界領先的六相控制器支持VR11.1相容型設計，適用於全球電腦市場的大多數領域。這些元件與安森美半導體的MOSFET和MOSFET驅動器協同應用時，為最新的微處理器提供全套完整的電源管理子系統，同時還具有高效能和節省電路板空間等優點。」

: T4 k: O# l3 O% D6 SADP4000和ADP4100均採用符合RoHS指令要求的無鉛LFCSP-48封裝，ADP4000每2,500顆批量的單價為3.75美元，ADP4100每2,500顆批量的單價為3.45美元。

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安森美半導體針對網路和消費應用推出抖動性能一流的可編程時脈乘法器
NB3N3020能夠以單時脈輸入源產生達26種不同的LVPECL/ LVCMOS時脈輸出頻率，提供設計彈性，並降低系統成本

3 q( v" A' R. U2008年10月21日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出具有一流抖動性能的高精確度、低相位雜訊、可編程時脈乘法器NB3N3020。此款新元件在同顆元件上產生低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)時脈及低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS)時脈，使NB3N3020適用於廣範的應用，如網路、消費性電子和電腦應用。這元件含有三個三電平LVCMOS單端選擇針腳，設定26種可能時脈頻率中的一種，為設計人員提供彈性以滿足設計要求，它也採用單顆客製化元件來替代不同系統中的多個時脈。

安森美半導體的NB3N3020可編程時脈乘法器擁有8至210兆赫(MHz)的寬輸出頻率範圍。它採用一顆5.0至27 MHz基本模式並行諧振晶體或一顆2.0至210 MHZ LVCMOS單端時脈源，產生差分LVPECL輸出和單端LVCMOS輸出，而多種可供選擇的時脈輸出頻率是對輸入時脈頻率相乘的結果。低電平時，LVCMOS輸出啟用(OE)三態時脈輸出，使系統設計人員能夠在其系統中動態地控制時序狀況。這元件具有極佳的抖動性能，週期抖動僅為5皮秒(ps)，為電路板設計人員提供更高的系統時序差額，適合更高頻率的設計，具有更高的可靠性。
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如欲瞭解更多有關NB3N3020在機上盒、數位電視、家庭網路閘道器、網路連結和不同消費產品中的應用資訊，請觀賞線上教學課程：http://www.techonline.com/learning/course/210300383。

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( y! R% j' b: DNB3N3020採用5.0 mm x 4.4 mm TSSOP-16封裝，預算單價為3.50美元。

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安森美半導體繼往開來，續推業界最高功率整合型

PoE-PD介面支援輔助電源

推出兩款支援輔助電源的整合型PoE-PD和DC-DC轉換器控制器，

供電給13 W及達40 W應用，擴大功率POE+的應用

2008年11月17日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出乙太網供電(PoE)產品系列的兩款新產品
$ G& p6 C) J9 Z1 Z* i) J——NCP1082和NCP1083。

與最近推出的NCP1081一樣，NCP1083是業界最高功率的整合型乙太網供電用電設備(PoE-PD)的同一系列，支援達40 W穩壓功率的擴展功率範圍，以供2對式配置的應用負載。NCP1083也能夠透過輔助並聯電源來供電。NCP1082和NCP1083都完全支援IEEE 802.3af標準，其中NCP1083更支援包含兩個事件物理層分類的最新IEEE 802.3at草案(D3.0)標準。NCP1082和NCP1083的典型應用包括網路語音電話(VoIP)、無線接入點、工業乙太網輸入/輸出(I/O)模組、可編程邏輯控制器(PLC)、拍攝全景-上下擺動-變焦放大(PTZ)和球型保全攝影機，以及其他需要輔助電源的應用。

8 X* ^* e; K) [" o% \9 `! ~. t當乙太網線纜上通電時，NCP1082/3支援正常的PoE工作。而在乙太網線纜上沒有通電時，這元件接受輔助電源輸入，為應用供電。這種方式不需採用次級直流-直流(DC-DC)轉換器，因此大幅降低物料清單(BOM)成本。這些新元件支援9 V至57 V廣大範圍的外部輸入電壓。

安森美半導體的整合型NCP1082/3 PoE-PD元件採用TSSOP-EP 20針腳封裝，與公司已有的NCP1080/1 PoE-PD元件針腳相容，讓客戶能夠輕易在不同平臺上混合匹配不同的PoE能力。

NCP1082/3充份發揮安森美半導體通過汽車應用認證的高壓智慧型電源(SmartPower)技術，與其他整合型用電設備和DC-DC轉換器控制器相比，可提供優異的線纜靜電放電(ESD)和突波保護電平。NCP1082/3具有低導通阻抗(Ron)，支援-40℃至85℃的延伸溫度範圍，且在達150℃的接合溫度下能夠完全運作，所以即使在極端環境下工作也能實現創紀錄的功率電平。

( p; }# a' U" G: y  H1 L安森美半導體PoE-PD產品行銷經理Koen Geirnaert說：「輔助電源能力推動傳統電源轉向乙太網供電。這特性結合大功率能力，支援寬廣範圍的應用。」
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% [3 T* {" N- ]0 p# e1 \這兩款新元件的整合型DC-DC轉換器控制器方便實現流行且獲得證明的單端電源拓撲結構，如反激、降壓和正激轉換器等。用於乙太網供電和輔助電源供電兩種配置，並使用搭載峰值電流控制(PCC)的控制機制。這些控制器具備靈活、強固和高效能設計所需的全部特性，包括可編程頻率、斜坡補償和軟啟動。
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定價和供貨
( w. m; j  U$ W8 i* LNCP1082/3現已供貨。NCP1082和NCP1083每1,000顆及以上批量的單價分別為1.48美元和1.85美元。NCP1083評估板價格為150美元。更多資訊請上www.onsemi.com ，查找及聯繫當地的業務代表。

heavy91

安森美半導體推出業界首款整合型

可攜式電子產品雙向過壓保護及外部配件過流保護元件
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NCP370保護可攜式設備免受突波損害，並控制反向電流來保護
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可攜式設備配件，而無需使用外部元件
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# K& f* F; j1 P3 B1 b1 B2009年2月5日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出業界首款整合型雙向元件，為手機、MP3和MP4、 PDA和GPS系統提供正向及負向(+/-)過壓保護(OVP)，並為調頻(FM)收發器、負載揚聲器和閃光模組等可攜式配件提供過流保護(OCP)。

1 `; u/ K( z* U# d8 A/ U此完全整合的解決方案，不需使用外部元件，使可攜式電子產品的設計更為精簡—迄今為止—設計人員需要採用外部元件來保護易受影響的可攜式設備，使其免受源於牆式適配器及配件、不適合的修配用零件市場的交流-直流(AC-DC)適配器，以及某些USB線纜中因極性反向導致問題的電氣突波損害。

& N; w9 e. s3 X8 L* @特性及優勢
新的NCP370提供高達+28伏(V)的正向保護和低至-28 V的負向保護，顯著改善可攜式設備的前端保護。這顆元件採用創新的架構，還為連接在底部連接器以鋰離子電池供電的外部配件提供過流保護。

NCP370整合了低導通阻抗(Ron)的N通道MOSFET，有效支持可攜式電子產業最新的鋰離子電池充電電平所要求的高達1.3安(A)的較大直接充電流。NCP370是安森美半導體新一代過壓保護產品其中的一款，提供幾種不同的過壓臨限值來配合下行應用的最大額定值要求。此外，此元件還提供另一種“反向”模式，實現對源自可攜式設備電池的反向電流的穩流，為廣泛連接在可攜式設備底部連接器上的FM收發器、音頻功能或閃光功能等外部配件供電。
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NCP370設計用於內部限制高達 1.6 A的電流。這個電流值能夠以外部下拉電阻來降低，因而不需在應用中使用外部過流保護元件，既降低生產成本，也減少最終可攜式應用中的印刷電路板(PCB)面積。NCP370具有低於1微安(µA)的待機電流，避免在拔出牆式適配器或手機關機時的電池放電，因而延長電池使用時間及限制反覆重新充電。
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4 z. E8 w4 j1 C8 A; N* [NCP370是安森美半導體針對可攜式應用四個常見主要子系統產品陣容新增的重要元件。此元件配合互連子系統具挑戰的要求。除了互連子系統，安森美半導體還提供用於手持可攜式設備中的顯示和照明、電源管理和音頻/視頻三個主要子系統的解決方案。

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9 `  Q0 x5 ]' W" i6 }封裝及定價
NCP370MUAITXG採用 3 mm x 3 mm x 0.55 mm LLGA-12無鉛、符合RoHS指令的封裝，
2 K- O" q* E- _  x  l3 r% W每3,000顆批量的預算單價為0.80美元。
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% C0 U% d7 ?/ P! A' D2 g! ^[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-2-9 09:21 PM 編輯 ]

heavy91

原帖由 heavy91 於 2008-9-30 04:36 PM 發表
新的ESD保護元件厚度減少20%，具有0.5 pF的極低電容和低鉗位電壓
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2008年9月30日 - 全球領先的高性能、高效能矽解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出低電容靜電放電(ESD)保護產品線的 ...

安森美半導體推出業界首款帶整合ESD保護的共模扼流圈EMI濾波器，應用於高速數據線路

新的微型元件消除高頻寬阻礙使用傳統EMI濾波器的LVDS類介面中的共模雜訊

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, o3 z" N6 l0 I1 d$ F. C5 I2009年5月27日 – 全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出業界首款共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護IC ，應用於高速數據線路。

新的NUC2401MN結合了高頻寬差分濾波、固體共模停止頻寬衰減及世界級ESD保護。這些結合的特性，使這方案遠優於典型的電磁干擾(EMI)濾波器及離散可選方案，同時有助顯著減少元件數量。這元件讓設計人員實現優異的濾波及保護性能，且節省空間及成本，並提高總體可靠性，非常適用於基於高速差分數據線路的廣泛應用，包括USB 2.0、IEEE1394、低電壓差動訊號(LVDS)、行動產業處理器介面(MIPI)及行動顯示數位介面(MDDI)。

安森美半導體保護及控制產品部總經理Gary Straker說：「安森美半導體以領先的高性能EMI濾波器產品而著稱，NUC2401是我們持續這領先優勢的最新產品。這元件是我們完備產品系列中的首款，幫助客戶將高頻寬介面整合到手機中，且最終能夠傳送源自行動服務供應商的最新高頻寬內容。”」

' i8 q' I2 x( L3 L; oNUC2401MN在尺寸僅為2.0 mm x 2.2 mm的DFN封裝中整合了等同於5個離散元件的電路，結合共模EMI濾波及符合IEC61000-4-2接觸放電業界標準的±12千伏(kV) ESD保護。機器模型(MM)及人體模型(HBM) ESD額定值分別為1.6 kV及16 kV。這元件額定遵從1級濕敏等級 (MSL 1)，工作溫度範圍為-40 ºC至85 ºC。
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3 r3 Z1 u5 Z0 k7 P7 A由於NUC2401MN是整合方案，幫助減少寄生電感，從而提供更出色的共模濾波。共模雜訊消減的截止頻率為40兆赫(MHz)，100 MHz及500 MHz頻率時的典型共模阻抗分別為200歐姆(Ω)及500 Ω。這元件在5安培(A)峰值電流時，提供業界最低的最大鉗位電壓，即10伏特(V)，確保優異的ESD保護。最大峰值脈衝電流額定值為19 A。

: N$ |5 a) H- \( m封裝及訂價
NUC2401MN採用小巧的2.0 mm x 2.2 mm DFN8封裝，現已供貨，每10,000顆批量的單價為0.533美元。
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