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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-5 15:27:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
不知道發這個版對不對... 5 n" j0 R+ J4 d' B+ S
* S( A4 y& H, B' f/ Y, Q  U
想請教版上有使用過 poly fuse 的前輩們..
# ^: d9 Z: S4 N一般在 C/P 時要確保 fuse 燒斷的條件是如何?? 小弟目前有個產品使用 0.35um process 生產,
7 M- g% [- [! D, jpoly fuse 區域 W=0.4um, L=0.8um, trim 的條件為 5.5V, 限流 150mA, 持續 70ms, 不過ㄧ個
' A4 U+ A" N3 f2 q5 T% e) ~3 ~& @lot 生產下來仍有 2% 到 8% 不等的失敗比率 (從 log 看起來是沒有完全燒斷)...
( u' I( y) q7 O" o* H) b/ P& f( J) }1 _* [) d) ?- [7 l! ?  D5 T2 H
目前沒有什麼方向...不知道該怎麼解決說...' ]( V- B! a: v; H

# ?3 _* _7 W6 l& ]7 `, B; S- D  \先感謝前輩們的分享..
# m/ U) j" @' b( A( a
6 ]5 S5 G% `+ w1 H, @2 u0 p5 P以下是 Fuse & Trim 的相關討論:8 e% b7 F! ]5 @+ K- S
e-fuse?  
0 x% @$ y( W0 ~/ H) `8 D4 \poly fuse 大約多少能量便可以燒斷? " q4 D( W( N* E; p. T! t' B" A7 k
如何判断poly fuse 已经blown  
/ [% O5 i2 Z& ]' N/ {- t有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  + F5 T4 Q# D9 X9 v" D2 P
Laser Trim
" q) \) t% {7 I做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  $ W2 ^  F2 \5 P; B' f
Trimming method?   9 `6 [$ `, T$ C6 r/ r2 X6 i
Current Sensing Resistor Trimming!!   & T$ X5 U1 U# h6 e1 l
请教做laser trim的注意事项  ( E) W+ H* ?/ ^+ n- x
Current trimming 要如何做呢?  
5 ^7 C; c, w5 `, V9 ~5 ?7 n) Z! X" s+ A8 c8 F
2 V+ k4 q! Z% O: m8 d6 Y

$ Z1 I) }: D+ x2 M) I$ G8 w3 T
2 {: m0 Z( y" @! l! d- [0 z' o[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:39 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 Good question!

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2#
發表於 2007-7-5 19:49:58 | 只看該作者
提示: 該帖被管理員或版主屏蔽
3#
發表於 2007-7-6 13:08:04 | 只看該作者
1.一般題高電壓是可行的,但須不damage device 為前題; .35 應可耐到至少 7V 不會 break-down 吧!?* E; Z% A8 Z* k7 s" Y
2. Current limit 放大些,因為初期的做用會因為 R 小讓 current limit 限制了stress 的 power ( I^2*R << V*I; 因此時的 V已掉落至很低的電位了!* Z' D3 S4 P* a
結論: Current limit 放大至 CP 探針之限額內, V 提到最大且不會 break-down, trimming 的時間可以縮短很多!可靠度也可以改善!

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wpwang + 3 Good answer!
skyboy + 3 很實用的回覆, 謝謝..
mt7344 + 3 Good answer!

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4#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 只看該作者
poly fuse ...
/ `  w  s: s# K; `" D9 q我看到的fuse 很少有用poly fuse& f0 \2 R5 ?: y' L: B
通常是用metal fuse...8 p  c+ B9 Z/ H  m8 ]/ _
我以前看過有使用poly fuse
- ?$ Y9 h; w, w% q* k# O& Z1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA): l1 d6 M, [$ P% a9 n
大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷
  R5 _3 _: o1 O. I2 h, j有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)
+ }0 C9 b& Q" w發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了! f: x/ @& ]! @* s! z
才發現到layout 的形狀也是蠻重要的
; O; J! L8 E. b% q. m8 B  W最好要有轉角(電流集中)
& c3 Y- A6 I/ k2 ^+ V1 J  r. |2.fuse 的地方通常會開window
; G# p) I+ _( I( V, q" F  Q! a......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???
( j) Y+ z/ Y5 z, P: F6 r' r0 _目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........
4 H2 ?) q; r% n
4 `/ V1 r  W5 u5 u1 G& ^以上是實際的經歷,僅共參考

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skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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5#
 樓主| 發表於 2007-7-10 21:55:34 | 只看該作者
嗯..感謝兩位大大的經驗分享..# F+ j; W& [) J" ~/ g

8 \) c/ I$ V( r5 ?. ?  l關於 ssejack1 大的建議, 從過往的 WAT 來看這個製程 3V MOS gate oxide 的 break down 電壓大約都在 8V 上下, 雖然 WAT 的 spec low 是只有 6V 啦 (foundry 的 spec 都訂得超級寬...)
$ t+ o$ V& Y5 e4 t8 M! ~
( j  \! J1 L4 F不過應該還是 ok, 所以我們已經修改測試程式提高 trimming 的 stress, 這幾天應該就會試試看...- M% r% p( e% B, t3 l  E  r

% s$ ?6 |! }/ v$ p0 @6 d$ M另外關於 kkk000777 大的經驗, 有個可以分享的是, 我們之前針對沒有燒斷的 die 去做 PFA, 剝到 poly 那層發現就像大大說的一樣, 燒的時候是有熔斷, 不過又"流"回去了 (foundry 的說法) 就又 short 了, 而第一次沒斷要再燒就很難斷了 (應是因為阻抗變大, 同樣外加電壓下的電流就又更小了)...6 B2 _7 E( Z) Q) {* u

5 \: K2 h" m3 a' @0 O1 E& V不過 foundry 的人說, 我們的 poly fuse 被 power ring 蓋住, 是造成 poly 燒完又搭回去的主因, 建議改光罩, 關於這點不知各位看法如何? 我是覺得不太能說服我, 就算我上面沒有 metal 蓋住, 也是有其他的 field oxide 以及 passivation 蓋住, 應該也有一樣的問題不是嗎??0 M* G- v4 m( z6 d! z
; l% @. g* `: H; c1 c9 F
另外我再衍生兩個問題 (我問題真多.. )
$ f$ e% S: x" |" Y* R, l1st. poly fuse 與 metal fuse 有孰優孰劣 (可靠度) 的分別嗎?? 上次有個 foundry 的人跟我們說, poly fuse 的良率是很低的..(??) 因為我們使用這個東西的經驗並不是很多, 一開始就是用 poly fuse..目前有新產品在進行, 應該也會放入 trimming 的機制, 想了解一下業界在使用 fuse 上的一些習慣..* e# p, E; I, j( d$ V  I( j- y
7 t" P3 O$ N) \' h4 g3 x1 l) r
2nd. metal fuse 除了面積較大外, 因為他燒斷時是"爆開"的, 會不會有 short 到另外的 pad 的問題?? 還有就是大大提到的水氣, 是否要考慮 package 品質導致日久也是會有水氣跑進去導致 short 造成的一些誤動作??  假如終端應用上是單價較高或環境較嚴苛的產品, 需不需要考慮這個問題??

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參與人數 3Chipcoin +5 +3 收起 理由
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 2 感謝經驗分享!
chip123 + 3 不怕問題多!怕的是沒人討論?論壇吶!

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6#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 只看該作者
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法& a! q. g- z- X6 M0 P7 w- Y# v
   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos), T9 x/ r8 M/ E2 C
   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確2 w. b& Z  a2 x( w) A' U
   但是工程樣品的數據大約 80% .4 n+ F1 g: w3 ~7 m/ `

  B/ R. t" U/ [! g+ u) U2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷
8 p( `# K5 h3 `- V: ~$ x   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去
# h$ L( }1 u1 H0 s- L3 d( @
! f$ \4 e- j7 X, ~* k8 N3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)
0 Y! U! }8 E6 j3 C" k9 H* W/ Q" o   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....5 X; }  T& m- c; j

9 z; K) |$ Y3 R6 }) O4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考2 C3 f" S/ h( s
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......( l' V& c6 J4 {/ ]% t  |
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的3 t& U! s5 m% X% p: }! ~3 [
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),
: P/ c. {) H, E  w3 x* [# [" ]   面積當然省啦.....
$ k$ l. [8 c& [" H% Q8 S   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以( _  J8 J$ p$ A9 ^5 `
   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給
  L5 J1 F5 D! p+ E* u! t3 E  Z   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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7#
發表於 2007-7-16 17:57:12 | 只看該作者
以前接觸memory時有使用poly fuse,修補率都有95%以上,影響修補率有許多因素,laser machine setting, fuse layout的條件都會影響,我這裡有一份Excel file有針對輸入不同條件如何選spot size與energy,focus以達最大修補率, 可發email跟我要

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參與人數 2 +8 收起 理由
wpwang + 5 人人為我,我為人人!
mt7344 + 3 學到不少!

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8#
發表於 2007-8-1 21:47:47 | 只看該作者
請問 poly or metal fuse 與 靠 MOS gate oxide breakdown 的 OTP 比較, 優缺點是哪些?
, B+ ~8 ?4 T( @! g. hThanks.
9#
 樓主| 發表於 2007-8-3 14:12:36 | 只看該作者
原帖由 kkk000777 於 2007-7-12 08:40 PM 發表
; ~7 y$ [' ?& u/ @- |7 c8 R- |4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
- R) }5 ~6 B$ g. m2 F) I% J: |8 @8 _   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......
6 ^* N' O9 B. e( I2 D   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的7 d! q* X) g, b* r, |- n, G4 k
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),  N- E6 E2 C2 Q( g) |& [
   面積當然省啦.....$ }. p5 v- Z7 }- h9 a9 B# h
   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以! q+ ^; b3 y* q! X
   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給3 k4 S, d9 h# x) a: @) q
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看...+ ?; C' X4 ]5 S5 H/ m) f9 C
/ I' i7 j7 M9 b- D3 i' H8 E
7 w8 i/ H' r5 x. }
看到 kk 大的回應才想到好像之前忘記聽誰提到過有這樣的 "偷雞" 法...
7 z/ d( e( X7 f8 |$ ?嗯...如果是這樣確實可以節省很多面積, 用 metal fuse 的話也不用擔心
' d5 s& G9 n* |# \9 f水氣累積的問題 (D/S 後 trim pad 都被切掉了..)
7 N8 L5 l3 ?- Z8 ^. |+ W4 A( q9 G
不過 ATMEL 應該有他們自己的 foundry, 自己想怎麼搞都行...5 n) I/ l) D5 F! q4 G
手邊正好有個新 project 在進行, 看來是考驗我們跟 foundry 交情的時候了...$ |5 N( W+ ]" k5 t' H+ M
呵呵... & J$ C& J8 b9 S2 v7 Z' c; v9 C; Z6 g
" N. w0 s8 z. ?& J# g
順便 update 一下情報, 後來我把 trimming stress 提高後 trim fail 的數目
3 X1 H" x1 X! E% f! c& l就減少許多了, 不過因為只測了一兩批, 這個部份還會持續 monitor...
10#
發表於 2007-8-10 11:51:15 | 只看該作者
請問 各位高手 3 U1 c, |9 s6 w- J: h5 g
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?4 D) q( g9 K$ }/ ]
謝謝
11#
 樓主| 發表於 2007-8-17 18:04:56 | 只看該作者
原帖由 wpwang 於 2007-8-10 11:51 AM 發表
' q& K6 ]6 t- z. N2 V5 z! ~5 h請問 各位高手 : X# t# Z  N! c: {
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?# i( \& h: u! }) o$ e; |
謝謝
$ N* P9 K$ O( {" a( A) c; @, |. N7 y

8 r7 [$ q2 X& |+ V您的共用是指用一般的 I/O Pad 來當成 trimming pad 嗎?? 還是說一個 pad 可以跑信號, I7 F; U+ u/ }/ h0 c
又可以用來 trim fuse??
7 a6 S) c2 x8 q/ {7 d
  E5 A% [2 O# n% @& A/ z如果是後者應該是不行的吧....0 v4 o6 P6 M! g+ F3 i% E# v, f; m' S
如果是前者應該也是不行, 因為一般 I/O pad 上會有 ESD 電阻, 會限制你 trimming 時的; M2 W! S& M8 o# w7 L
電流, 所以一般大概都是另外畫一個 pad 給 trim 的 function 用...0 L6 o' o1 A8 E# t: t& f2 A2 K5 @, Y

0 h+ |) N$ D( t' i! m5 A. m不知道是否有回答您的問題.......

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12#
發表於 2007-8-22 13:04:35 | 只看該作者
有一問題請教,一般 metal/poly fuse (漏斗型橋接)的 trimming 效率以常理推論 , V/I source 只要題供的能量足夠,均可以燒斷!
. C3 U% \% L  W% S2 g  q最近有個 case 是 metal fuse , fuse 欲燒斷之橋接處呈 30~45 度橋接; 此形狀的 fuse 在trim 時電壓不能過高 ( typical 2.5V) 如超出個 200/300 mV 會造成trim完後又熔接的現像!!!..........真是無言.....
" }; t4 h, ]! {3 _9 ~不知那位好心的大大可以幫忙分析一下可能的原因?
6 \( u* g( ^* B2 A0 j1 {先感謝啦!
13#
發表於 2009-3-6 22:17:43 | 只看該作者
不曉得您是不是問這個問題
  f0 i! `  x. u1 N( @; p0 W4 H9 s1 Y6 s. [8 X
我們家有的產品 trim pad 是可以 bonding 出來的# F6 H8 ~- \4 X6 N$ S

  |0 ?' }' W- q' Q* z7 A9 M也就是 bond pad 與 trim pad 是共用的8 m1 X+ T, x2 t$ S$ q$ ~$ r7 `

0 `, R8 L- F, q7 W& O4 f4 P[ 本帖最後由 redkerri 於 2009-3-6 10:20 PM 編輯 ]
14#
發表於 2009-3-10 21:27:17 | 只看該作者
CP 時請測試廠用氣吹一下正在trimming die,應該有幫助良率上升(要有開窗的poly fuse)," C; z: B' _- _
還有其偵測電路也是一個問題,因poly fuse,trimming 之後,可能呈open有可能呈高阻,且高阻trimming 多次也無用.
15#
發表於 2014-1-10 10:34:57 | 只看該作者
回復 3# ssejack1
% u: a3 o4 j$ K" l6 V  m' J
' I! r% V4 ~- L" `
# n. U8 W1 p/ p    幫助不小, 謝謝!!
16#
發表於 2014-1-10 10:37:09 | 只看該作者
回復 4# kkk000777 + U9 y. J2 n2 \# R

0 |, a9 p+ j' k5 [% R- C( M, u  B3 p/ E$ u# P3 G
    封裝前要烘乾一次........很好的資訊, 謝謝!!
17#
發表於 2022-11-1 16:12:28 | 只看該作者
谢谢,学习了!!!!!!!!!!!!!
18#
發表於 2023-11-3 01:55:53 | 只看該作者
kkk000777 發表於 2007-7-8 11:07 PM
3 [% g- i+ B" T3 m* J7 _* bpoly fuse ...
5 K. M( X4 d  M* x2 r我看到的fuse 很少有用poly fuse, Z- m8 O" X* k6 y7 H
通常是用metal fuse...

6 c# W9 J' L! T3 ?, P; a& C, w8 ^: g- \- `& s* ~
0 @/ T6 t" w6 x3 `* D$ @
很有用的經驗, 感謝分享..
7 a7 U6 n0 r# {! g, T5 ]  [9 S8 V
19#
發表於 2023-11-3 01:56:26 | 只看該作者
Good question!
: k, I$ Z6 h7 R, t  R4 `! c4 b
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