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[問題求助] 我想請問高壓Cell的一些問題

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1#
發表於 2007-6-4 17:03:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我最近在看我們公司的Techology File 時(因為我沒畫過高壓元件) 發覺高壓的rule和正常的元件有所差別  高壓的比正常的還大  我的問題是7 M" _" d! j1 L( y0 X9 v0 `7 g
請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  + L, _- X8 Y6 L& p
另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道這表示{  左  上  右  下  }  我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢
( l5 J* U5 c6 w$ g% A請各位前輩或者知道的人幫我解答  非常感激
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2#
發表於 2007-6-4 17:20:24 | 只看該作者
THE  LAYOUT DEVICE OF HV , 有Asymmetric及symmetric兩種,如果symmetric的DEVICE就沒有 S及D端差別.
3#
發表於 2007-7-5 13:56:41 | 只看該作者
在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢??' v8 V' M3 P" |6 q3 Q# ~
/ ~1 F, t4 C. P, U" \! W
差別是如果你是off 狀態,則你要用到這pattern時會無法顯示,當然你要tape out 的gds file
' {' c) K/ z9 j+ F% V3 P# r便不會正確,到時designer debug後是layout 的錯,那你可能就得準備換公司了,這是layout2 W3 L: N& U0 G" m8 k
人員最不可犯的錯誤...................

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參與人數 1Chipcoin +2 收起 理由
jiming + 2 人人為我,我為人人!

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4#
發表於 2007-7-10 17:05:33 | 只看該作者
補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
- P; z6 p+ g4 ~! q( {要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

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參與人數 1 +2 收起 理由
mt7344 + 2 Good answer!

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5#
發表於 2007-7-12 12:07:40 | 只看該作者
原帖由 skeepy 於 2007-7-10 05:05 PM 發表 7 Q9 m. F/ r/ c' N4 Y+ h
補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION2 N) b& n' Q) \) P
要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

5 E; d6 H, w/ o# j& f, H
9 t, T' v. R/ T& a小弟也補充一點慘痛經驗...
7 z* ~+ X2 i% f) I; @; k9 k2 s如果公司是第一次做, 有任何不確定的地方一定要問 designer, 如果 designer 也不很確定,
& R3 c. {8 y4 l1 F5 {那一定要問 foundry....甚至是 layout 好了請 foundry 的人看一下....
- ^  \5 b0 {1 g0 D) }6 E* M
4 G$ z2 M4 \* d% ?$ K( t$ N4 E等到 T/O 了才要東補西補都是很痛苦的事情....

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jiming + 2 你的經驗就是知識的來源!

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6#
發表於 2007-7-13 10:47:40 | 只看該作者

回復 #4 skeepy 的帖子

同意~design rule K熟,就算tf & command file & foundry device有誤,layout都絕對不會錯

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參與人數 1Chipcoin +1 收起 理由
jiming + 1 資深帶老手 老手帶新手

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7#
發表於 2007-7-17 09:16:14 | 只看該作者
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
, C, {+ {8 {/ q6 k  QAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ,那你的輪入端應該是指Drain吧
5 A, B' }2 ~* W/ }/ s
3 P7 `9 ]# u+ Y  B: R>>另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道% _) ^7 ~+ s; l9 A
    這表示{  左  上  右  下  } 3 |+ d# }1 w2 g+ K0 v5 t; O
Ans: 看你這樣寫很像是Laker TF 的 Format ,如果是,那它並不是你所說的 {左上右下} 的關係喔。
. V# O6 B) k5 F( Q+ R+ ~/ B# ~8 p        這點要注意。Laker Manual 上寫到那是 Repeat Pattern !!  請看附圖3 i2 e& }' u/ |; ?
        { on  off   on  off  } 是對應到下面的 區域  後面就重複了,所以叫做 Repeat Pattern
7 @. N+ e1 s2 C2 v- }        { OD Poly OD Poly }   
& T/ P6 Y3 ~4 ]! L( `$ U, m        {  1    2     3    4   }       在有 on 的 區域就會產生出你的 LB =>  Npuls layer 8 c; A8 e! ^. d1 Z- V- q' N, w

' R! h- z3 p1 {6 o! I>>我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再
1 M" x! g. O- o5 k0 V4 A    畫layout十有什麼差別呢 3 F$ w# K/ p$ }4 p
Ans: 你如果選擇 off 的話,那在Create 這個Device時,他就不會產生Layer 在相對應的區域了。

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x
8#
發表於 2007-7-21 08:24:58 | 只看該作者
原帖由 jauylmz 於 2007-7-17 09:16 AM 發表
: P' N* {( n; J  h! A0 p>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
! g: w% b/ w5 x: AAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ,那你的輪入端應該是指Drain吧9 R- I; K) o# Q2 n
: d$ ^: ~) w7 E, R! H
>>另一個問題是  為什麼Techol ...

: c# x+ i2 N# W8 N/ l$ g* C4 h, u
3 C6 f; V# G( H/ Y7 I5 |$ O

; [5 x$ I9 n( K2 @+ B1 |- ^3 |  \. l9 `3 K# x6 k5 M% ]1 D
此圖設計是耐壓到16左右的設計,一般都用symmetric設計,很少使用asymmetric設計,除非空間不足。
+ W: {& \0 u% j2 E+ m! t; Y0 U在25V左右之耐壓一般又是另一種設計方法,有deep Nwell layer,相關layer約為16-18層。
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