聯華電子與美商Clear Shape公司合作推出DFM驅動設計流程

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此項設計流程專注處理系統變異影響以及激變與參數問題
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聯華電子今日(27日)與變異分析及最佳化解決方案的領導者美商Clear Shape公司共同宣佈，雙方經過18個月的合作，推出DFM（可製造性導向設計）IC設計流程。這項流程能讓設計公司快速且精確地控制設計參數與良率上的系統變異，並使之最佳化。
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透過使用Clear Shape公司的旗鑑產品－快速全晶片設計可製造性檢測器InShapeTM與快速全晶片參數異變分析與最佳化工具OutPerformTM，這項DFM驅動奈米IC設計流程能讓設計公司執行良率與參數熱點偵測與修復。這些工具與聯華電子之加密DFM數據技術檔案相結合，便能產生快速、精確、以模型為基礎的分析與最佳化方案。

“Clear Shape公司的InShape設計可製造性檢測器、OutPerform電子DFM分析以及最佳化產品，是針對我們當前65奈米設計的綜合性DFM良率最佳化方案中，令人欣喜的新成員，”聯華電子系統架構設計部門系統單晶片設計總工程師林子聲表示。“我們與最佳的DFM供應商合作，提供矽智財、SPICE模型與設計流程，讓使用者從設計到製造階段，都能獲得良率提昇的知識。”
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聯華電子與Clear Shape公司的合作呈現了非常精確的成果－因為速度夠快，所以能夠應用在佈局繞線上。這項解決方案預計在今年年底前提供給聯華電子的客戶使用。
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$ i  M0 T! q* f: @6 F0 V/ T“Clear Shape公司與聯華電子一直緊密合作，設法應付IC設計上系統變異帶來的不確定性，” Clear Shape公司總裁與執行長Atul Sharan表示，“與聯華電子合作研發閉式迴路電子DFM解決方案，是我們的榮幸，透過聯華電子的製造資訊，無晶圓廠半導體公司便能快速、精確且以模型為基礎的方式，預測並且應付潛在的參數與良率問題。”

: L8 L9 m1 O" U4 t9 ~About InShape and OutPerform
InShape™ is the first model-based full-chip Design Manufacturability Checker which allows designers to improve yield during physical design implementation by quickly and accurately accounting for systematic manufacturing variations. InShape provides designers with DFM hotspot detection and enables repair based on fast, silicon-accurate contour shape prediction across the process window.

OutPerform™ is the first electrical DFM analysis and optimization product to control and optimize the impact of systematic variability on designers’ chip parameters using fab manufacturing data, capturing the effects of RET, OPC, CMP, mask, etch and lithography on both device and interconnect.  OutPerform takes in designers’ physical design and timing data, along with encrypted fab technology files and critical dimension (CD) data from silicon contour shapes predicted by InShape across the process window, and automatically produces a DFM electrical hotspot report for timing and leakage power.  OutPerform also creates optimization directives for timing that can be input to the designers’ place and route or layout tool.

) D7 ]) W  a2 `6 O* @About Clear Shape
Clear Shape Technologies, Inc. is focused on delivering a complete Variability Platform that allows designers to control and optimize the parametric and catastrophic impact of systematic manufacturing variations. Clear Shape’s products are based on patent-pending technologies enabling designers to efficiently achieve entitled performance and yield. Clear Shape's flagship product InShape ™ is in the DFM qualification program of all the major pure-play foundries and has been silicon-correlated at several IDMs.  OutPerform, industry’s first eDFM product has also been silicon validated. Clear Shape is backed by top-tier venture investors that include USVP, Intel Capital and KT Ventures (KLA Tencor). The company is headquartered at 3255-3 Scott Blvd, Suite 102 Santa Clara, Calif. 95054. For more information, visit www.clearshape.com or call +1 (408) 833-7130.
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3 c4 ]' O5 x7 `, j% N9 TInShape and OutPerform are trademarks of Clear Shape. All other legal marks are the property of UMC.
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Note From UMC Concerning Forward-Looking Statements
Some of the statements in the foregoing announcement are forward looking within the meaning of the U.S. Federal Securities laws, including statements about future outsourcing, wafer capacity, technologies, business relationships and market conditions. Investors are cautioned that actual events and results could differ materially from these statements as a result of a variety of factors, including conditions in the overall semiconductor market and economy; acceptance and demand for products from UMC; and technological and development risks.

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2008/3/18- 聯華電子與全球DRAM晶片的領導生產廠商日商Elpida共同宣佈了一項合作協議，雙方將攜手尋求日本半導體晶圓專工市場的契機。根據此項協議內容，Elpida公司將提供其12吋廠晶圓製造產能，而聯華電子則將提供矽智財支援與邏輯技術。這項針對日本晶圓專工客戶所進行的合作計劃，將採用包含系統單晶片技術在內的先進製程技術，於Elpida公司座落於日本廣島的12吋晶圓廠展開。此項合作將可為位於日本的晶圓專工客戶，帶來更方便的近距離支援。

此項結盟係為2007年10月雙方在低介電質銅導線DRAM與P-RAM技術合作的延伸。目前該項合作進展順利，因而促使兩家公司決定尋求更多在研發，以及生產製造上合作的可能性。

此一新的結盟旨在因應日本客戶日益增強的晶圓專工需求。目前有越來越多日本整合元件廠隨著全球產業趨勢的演進，而採取了fab-lite的策略，停止了自行製程技術研發，並且縮減或刪除了資本密集的製造活動。Elpida公司與聯華電子此次的合作，將能同時滿足日本客戶在技術與製造產能上的需求。此外，這項合作預期將使雙方受惠於製造上的綜效。由於兩家公司擁有不同的技術背景，並且可借重於對方的強項優勢，因此這項合作對於Elpida公司與聯華電子都是有利的。

「我們相信Elpida公司對於日本晶片設計公司來說，是一個很有吸引力的委外廠商選擇，因為我們鄰近的地理位置，同時，我們也不是與這些晶圓專工目標客戶群處在同一個市場內競爭，」Elpida公司總裁暨執行長Yukio Sakamoto表示。「Elpida公司將繼續專注於為手機元件與消費性數位電子產品的客戶生產DRAM。整體DRAM市場是非常多變的，我們相信透過穩定的獲利表現，將使我們的業務得以持續成長。而將晶圓專工納入我們業務項目之一即是一項解決方案。」

聯華電子董事長兼執行長胡國強表示，「Elpida公司採用聯華電子的先進晶圓專工製程技術，對於聯華電子在晶圓專工領域的領導地位是個強力的肯定。自從去年10月公佈了聯華電子與Elpida公司的首次合作計劃至今，基於計劃推展上的成功與相互的了解，促使了我們決定進一步擴展彼此合作的範疇。Elpida公司採用聯華電子先進低介電質銅導線後段製程(BEOL)，已順利產出可賦予其次世代DRAM產品顯著效能優勢的原型。」

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使用雙重曝影浸潤式微影術與先進應變矽技術，產出全功能28奈米測試晶片
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: X, L$ R9 y% b8 K聯華電子今日（27日）宣佈，成功產出晶圓專工業界第一個全功能28奈米製程SRAM（靜態隨機存取記憶體）晶片，此晶片是建立於聯華電子自行開發的低漏電（low-leakage, LL）製程之上。聯華電子採用先進的雙重曝影（double-patterning）浸潤式微影術與應變矽工程來生產此晶片，極小六電晶體SRAM元件尺寸約為0.122um2。

8 J4 s: j3 p2 p2 U7 G/ c2 R“聯華電子在研發上持續的承諾與努力，讓我們得以在奈米技術領域持續維持領導地位，”聯華電子先進技術開發處副總簡山傑表示，“我們對於這項28奈米製程上最新的成就感到非常興奮，此晶片為28奈米製程邁向主流製程的未來發展提供了穩固的起始點。未來我們研發的重點會集中在供應電壓極小化、應變效應之模型與自然良率上。”
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聯華電子針對不同的市場應用產品，在28奈米製程上使用兩種閘極技術。聯華電子針對低漏電製程採用傳統矽閘極 ╱氮氧化矽閘極氧化層技術，對於可攜式應用產品例如手機晶片來說是非常理想的選擇。另一方面聯華電子針對著重速度的產品例如繪圖、應用處理器與高速通訊晶片則採用高介電係數閘電介質 (high-k gate dielectric)╱金屬閘極 (metal gate)之先進閘極技術。聯華電子的40奈米製程在12吋晶圓廠生產中，而28奈米製程較40奈米製程提供近兩倍的密度。聯華電子同時根據28奈米製程平台，亦將針對32奈米客製化製程提供晶圓專工服務。