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以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer
4 X D2 y! q O0 h* P& r不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
- J. |! r" F3 x Oproject,選用Diffusion ROM是很不智的。$ K, t: f7 ~% B0 `* f6 g2 f
但他有面積小、速度快的優點。# l, B) K1 @3 Q5 p# K: }
. J7 o5 V q& l; Y' K- c
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的$ k- R, j5 e/ G& Q! ?
方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看6 e! c: w/ Q) N/ {# R: d
你要投的fab有沒有支援此process。
7 u9 y, Q- @% V- |6 G! m; j7 j# J6 q# w4 X4 y2 m+ `3 S, C
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
. h4 P Z8 L4 d/ z8 N: C/ B6 V- j2 ^5 @& m5 q9 u
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ] |
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