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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 Q. @) r. p2 b- Q2 |7 r% [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 ]* a! z+ p y; N$ w: ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& z* u+ d1 u, d7 i0 \8 I
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" u" t. E& {& I- m1 T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 R4 B @ J+ B T" d2 n
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 b% `. B, O D$ y" c
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* p8 H+ S: L. e% R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# w: q w9 H& N0 K& ^Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." E3 X6 h! L" e4 d
. h' i1 D. _1 Q2 K7 A1 k
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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