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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
( k2 N/ C1 F( ^  g- e7 U避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 m$ {5 E5 _3 R: p# Y6 ~
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) {" U2 p/ @3 n5 t須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區) o' {' _" V( O4 Y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記2 F# l7 Y4 [% m. z  W9 i
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓' Y' L7 h3 {% D
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況4 v3 z* c4 |+ Z, O  ^) h# g
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- V+ N( ^# X! X, V0 t
# N" P  \: ^. w- p0 N/ q: Q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
0 y' F' ^0 `+ ^" z8 a% M都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 O% |" v5 j% E2 u' Z# u- o9 J- G我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 |# [8 L  u' P  @# [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& [6 F/ S) d* w; ?/ E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 d+ v/ G5 x9 f* R+ ?/ j
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, C  o3 f. i3 P1 w2 X" w4 b+ B- J
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : o; q& _* ^, E: r- l
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) B$ d4 F  E5 `最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) c6 l  t* A4 N' ]; D; g& W9 ~7 B8 _Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
# u. Z$ v/ q5 R/ L8 `
$ L1 P4 }: _$ w& A6 @% R8 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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