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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ c) I, o1 V# f, Y9 u/ I我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" Z4 {2 \; {( p5 U* y! y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 e: c9 s/ a n0 A) d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
{9 W, k7 s8 j* b8 `8 ^( N5 g這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
2 P) l- V+ Y' ]% H6 K/ i都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& K! G) M8 l7 z3 B/ e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 S4 ^' E/ @6 Y: ?6 x1 y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 u9 i' h( S# b# E8 o% g% wCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 V" |( w: ~6 l6 b9 v* \
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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