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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是$ s9 g* g- u" I+ M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
' F5 i5 ~  ~; B) p0 D了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- C5 K$ I: c  X2 l5 G/ Y' H3 A
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區$ O& C% ~+ N+ J7 e  M: Z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記- q% C" O; r9 @/ c/ m2 q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 E& u% i/ `0 `1 I! @# Y5 @2 O
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
* L9 W0 |& a0 q$ c1 p# R  O. q下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
; z* G4 J$ g, j" z- Q. E/ J9 \9 q0 o: v+ j- \( i
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. & B/ B% w" I0 Q0 U% k, O
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)4 _$ G) c) F" r4 R. i& H
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 s+ d- f4 @- h8 d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) W4 K3 o+ {3 q( f& W* O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 f7 ]: _3 N0 L- J" J; x這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! ?* o1 x$ C) P4 E3 o
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
( d( l- ~8 a( w. V9 ]6 ?因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' E, r& m* v3 k- D% {8 b; G- _最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 _$ l8 u$ e! f, c. C- p8 G
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& y; o+ k* I4 A: q) m" l% `- D3 }3 j- ]) `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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