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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) p: ]$ _. |! _4 R5 M; P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 V9 C1 K- f% S' I$ j% T
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
A' c6 F' H4 Y8 G/ ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: S( ?. Y2 P8 |" p k這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 _2 p% `# F8 o0 ^都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % N, d& F9 q6 V$ L& r% k b8 u5 ^. a) F
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 k4 H' {/ N! o# f3 v; H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 Y! \0 ^& u5 `0 f: \% P7 R8 E. z1 ~
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 K) o& z6 y/ b* m5 J
4 S! Y- j4 d, h0 F8 ~
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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