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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, I. Q+ U7 o8 `+ f; f我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 F( J; t L# p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" r8 `4 m E# X! l+ Z0 n0 f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 u' e* B8 Q' q9 O這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 I2 G M4 j3 t. r/ D& ]7 U& L
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 U6 L3 ~" \2 X0 Y; Q5 a因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! ~ e* ~4 v$ ?) C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 L5 ?/ P0 w) B' A6 M8 ?. T7 wCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# i/ n) B- c) t2 E: U
' H1 v6 x6 W' }7 ~7 L3 l
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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