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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ x+ O# k3 Z: L8 A @% E5 z) C6 k
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 z0 ~9 A+ R% d* A, Y6 R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; ~2 m; ?1 J) T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" ]$ a w8 W0 k/ k( x; |& \/ V9 K這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; O% Z# M6 ^0 m8 i% e都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 `7 P. d2 l! u7 d0 n
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- i; ?0 u r/ y6 o( a V& i( ]
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." i7 [* t8 b1 I6 K
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 C$ K; |7 q# U' K, E' B
& ` s+ l3 J* ?+ T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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