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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. b# N. T2 r7 H+ d  Q避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 I" b2 I  r7 Q8 L0 {( D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
+ M* f' f( x: D0 c/ d須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
* O; h  `! k3 s9 `4 P, H1 B才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 i  L  P) H; g; y" J8 Q; ~錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 A1 p# F! D7 V; R3 Z4 @不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
) j5 Z5 G6 s7 u  w/ a: Q下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。! v( k5 B' ]( m
& `3 ^# a: H, j3 R! y
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 ~! \+ p5 [% E+ ?/ J
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
/ ]$ j. A: h! ?4 j我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 P& y0 e5 h, ?& ?" Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ o, ]# _' p7 w& x9 i& p2 w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  m) X- |8 [, w: A這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. F7 z' P( A2 Z+ e都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ |! G# W& S+ O  D/ N* P, T# P9 \因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 B6 Y# a4 H: R  r9 A最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 V; B$ i6 U( S4 l" MCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
* S% Z/ l, S6 w- T! D7 `1 o! Z0 m+ y+ Q) ]9 p
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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