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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 J& l: K0 }3 e0 e
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ g; y/ T: h \: k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: t8 A: Q* n0 k" x5 @3 z; [% w' _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, p& ?3 m9 p/ ?* J9 t" N4 d
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" w. i* i; ` x2 z, a- Q# U都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ H: R& G; g' X因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ ^' }* Y9 P! B$ X
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; @3 a4 ^3 v" b; tCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
) _+ d0 h; k K! h! @- \0 M: V' f7 K, v1 n- x+ k* b
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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