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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ I. n1 l( Y$ L C4 }3 g
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 i# S% Y' g; m# Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* z( G. [, R2 Q0 ?2 ?) S2 A5 H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( x& P6 m" Z. N$ q) o3 @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( q- j5 s: S' p n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& j* v! Q( l7 H2 ~* k! F4 f因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* x, s8 @' H; }0 X8 ?
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ _( l; X: L1 n! k$ s3 bCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) _0 r g0 z# f1 M+ \+ S: P4 m8 `
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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