|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 C D* F7 Y0 x2 b- ?, B6 W7 m9 f/ Q
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 G/ w* L/ f( }! hPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! q( K% A! f. O, L- o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* g- |: B' b6 M6 I" T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# L+ G! r+ ~# B$ b1 ^
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 ?4 p: s& ^7 o+ y( j# {( p因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 L( M* L5 V4 w+ ^- i0 |. _# C2 A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 }; X5 `- G, V5 f/ E
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.& q- o! ~; F5 R) w5 x4 _3 T, D
; F" Q2 `8 }, e: g" z8 p( Z/ s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|