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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer); ^3 g. f2 s9 f# ^5 E9 q
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# F! U1 f# {. b: W2 [, SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& k0 n5 V9 o( d' v- z/ R但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; J+ v* n- {- e5 `* V
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) `! m `) p* K, L& r( o都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + E6 I/ k4 Y' t) {/ |
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' D4 ~$ R9 _1 B/ u. _/ s& I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: f5 ^( D* U) k; e. @. ]* d" }6 a2 R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* u. i5 K* c' r. D1 F9 y
. |8 L* O- G& k3 e2 \# i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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