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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* c4 i; O ?. H' i6 S% X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! M, G$ r k$ H% z! ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. z6 U4 x* C0 J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 x; h$ h5 I4 u5 n
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ t n; y7 e ^0 T5 C
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " D) P- ~, k: H+ z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; G9 q' C, o+ d4 Q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; }+ h' R3 [1 ]# p! NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 p4 J+ f: D9 }# ^7 \) N, ]# N; @; V
- y! x# n5 S2 P3 s0 m[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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