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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! r4 X. Q ~" M% V0 z6 Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 {3 r, I8 Y& i3 d) g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& { z: w: D/ Q9 C7 t& u
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: Y$ i5 k; G1 J這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 p; u7 H: y A. A: k. E* [7 k2 \都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
5 V( M6 I3 F. s" I4 e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- Q7 i4 X& g4 ^0 m3 B, r0 ]* D
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& x9 z8 _# a& X5 b! h
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
! E# ?: R6 X, e5 d8 n8 Y' x3 q- Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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