|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( {1 A# H& x- ?' |5 J. p我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* C4 V6 E) |3 K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 A0 r* X3 {( i: l4 _3 K$ S; a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% |8 x+ t( f2 a這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( N& x Y: r7 J r9 x( F% }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : Z2 Z6 o+ Y6 d9 s# i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& n" M% b1 s9 Y; m4 Y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# q6 |! H, q) h {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* o, u& y$ k0 N0 a% M" U J
2 e1 S) D9 y( ~9 M2 D2 [+ K6 b8 p6 h
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|