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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" u' H% Q/ |0 T$ R' p
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 c+ d( X! a9 ^ S2 E& |% m* m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( B3 P1 y/ J* }6 g& k9 @
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( ~* Q" d7 x4 K
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ Q8 ^- c0 Q. Y/ j, g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 h8 m3 C" ?$ K+ p# }4 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 g& P# b8 W* T最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* a( ^8 W8 ?, V/ r: T, QCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) G9 ?/ {. y6 Y* A+ |6 m6 ^; D; V
& Y/ d( O5 I! w5 s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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