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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
# ]6 r  G- p7 y* s, r. W9 w避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難+ g) f9 F0 H9 d
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必# k1 j8 T  ~( c2 X
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
" B3 h3 i) \; r$ Q才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 U: k  |5 X& ^+ g1 O錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓3 q( A- L1 g. {+ `
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" U: I1 r# q) M1 B) a: k  l
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。; c7 l1 q4 B2 q

; Z- X- x' R, [4 r如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. $ |* [8 E* v3 A3 K( W
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)4 B% R& f& R* s) G$ V
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; ~- {- O1 Y+ s6 s( Y( d5 T3 XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: _5 V5 \3 c' b. W+ V/ T+ c' A) n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ A! [7 a& k9 ?" y: \; J9 ]/ f3 d這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ N6 @* W( T& {: M/ |/ R; R
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ ?  y- o! Y  h4 g+ m因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! V( n. d0 b; e, e; e5 z! C最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! z3 `) j& d$ L! m5 ^Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
9 F: c' i; x' s- v" D0 J" Z4 y( w. ~3 W/ Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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