|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ E+ N/ k- O) l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 o, _, S7 @6 X" g4 S g7 T* h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ _6 C% @+ H! N2 ?& M; J: _, a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, r+ C% r4 J0 k* a9 p9 k' T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 V- `& B5 v4 I) f/ `! d; R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
{% F6 x2 X9 P- j因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 y/ r) ?& E0 `/ l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 u" k& R2 Q; T: UCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% N* B( _. u5 S/ Z6 Q$ v' ^, b% `9 L% W
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|