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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& Q! [& g, @2 d% I避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
" B) a$ [' ]8 D" H6 O% Q3 H了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
# _- C0 v6 v! |& q" g/ a須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' k* M4 x, O3 T  F% K才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記' h: \3 {* u; J& L) c: ?2 u" \. R
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
* U, G7 `; ^; n5 I不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
' Z- N# t' N! @& e0 Z下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 m& Z! J- V+ U2 \9 w0 l3 W

8 H- w( [6 g  G+ L8 a/ G8 b如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. $ p" V7 a7 k" \
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)" G2 _2 `( P3 K8 Z
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 W& U6 [5 v) w& }7 H5 L! DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- n8 C  z; j8 l1 u4 W) Z: g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' G$ k) U# g- S$ }0 g, h2 |
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" d) t' ^6 _2 \9 \& o都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 4 T. ~" S3 o% K
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, ^7 Q- i& Y; H  u- F- V最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, o* m6 i! g$ V1 qCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& ^# A$ ^: u" |$ Z+ j; b, K( T4 c+ T5 l6 G' E9 L% p) i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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