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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) h- `, o: E- ^8 _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" d3 q) I) ^. p7 w1 G6 T! r. @, o+ v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 w S, u1 p0 c. H6 f# X
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 }/ i" w% `) R$ Z. H! a2 C9 \+ }這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 E( h7 G! e3 o( S: q% k: O都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . X8 k, P/ s( f y# @: a
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 V t, F& P( {# u8 f6 ~
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 ?( e) y3 u8 z, T2 ?5 Q2 U) q7 qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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