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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; |/ e8 }. I$ G U我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 G6 I# M" w _" L3 WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ j) n2 W9 U, q4 b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 @, y. P5 ?) \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# A; S$ f d, y" \5 o* ]
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 D, u, `8 b L0 r# q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 H" r. s8 p* f! d8 \最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. f4 {$ `9 W: k- x6 f4 {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 B2 x. e# \! {" h& k) x) j; e5 y3 D/ p. i: j3 Q( m& \
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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