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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 m3 N1 t" c4 Q* V我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* [% Y! \8 }* d. s* U9 W, J6 R' Q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 B0 Y8 }2 j* S0 |; |. G
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% c2 c+ _0 g c. K6 S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 B# k4 B/ H* Q1 s9 a S
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 T% e0 D2 X8 h* {" V" c" H7 k' `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 \) ~ a& [& W( N. X1 ]* B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! _$ B+ r& n; e% \$ \( HCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
. _9 p9 P4 w' X% Z H L. Y7 @( c7 ]. u2 n H
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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