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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) [& H( S' [+ P) z1 d, E6 K4 n我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 b7 F- E1 n# ]
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 a8 y% a7 w3 t% x# r& R `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' u$ [7 S' E& f
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# W Z3 Z* C. a$ Q" c G0 D% I
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 o; M+ ^' l& v因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# u6 _/ E' v) Y5 b& ?5 `' d
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 t0 q& Q, N3 k" Y1 {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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' ]& c p9 U6 T8 ~[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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