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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 ^# c( }$ ?" v& T+ B
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, [% R- {1 u. xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 U. E% M9 N& _# @5 G, Q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" v# V$ _# t" Z3 y4 c0 M4 Y" m8 }這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 p2 W8 @3 n ?* F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. a z, M' R+ Q T/ [! p3 p" N/ ?, A F因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# l E2 l$ ~3 } G* s7 i! l, e3 `
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 `9 B% D7 t+ F" V/ c! vCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( s- M$ W# \0 z9 z4 u% {9 T8 x
: u. L! ~7 r8 y& S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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