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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
: a- P7 A* j* r1 J4 S$ g" k1 l我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 p ^$ O Y2 Y; z& M8 s; P8 C4 T
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 S0 |# x0 R# x' H2 h9 b3 o但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 k' }6 g2 @6 p9 L1 l+ m
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
2 t: G/ c q2 b0 r+ L. K2 V5 E: m都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ }4 ]2 O& p% N' e5 ~. F- _
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ i% U1 _" s5 G# I+ t. M2 k
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 _' [! j! Q* {. q& MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( q& Y t+ K* z" f
8 M3 \2 @, A/ q) T2 t* T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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