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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 o6 F1 k2 o$ K [/ ] T2 U
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ p5 y7 O' [; u8 d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ {+ U% \ A B( |2 H W5 R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ m+ a; b" V: o2 v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 P% n# a2 {% H( o- M8 }+ \
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & S" P' O) A$ V w
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' M; _3 b' \- g' ?1 [5 s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( B+ K$ i6 D, I) [! Y! Q+ ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' U. K; c1 W# \8 X+ n* H* J; R* Q6 [; b
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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