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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
- ?9 p  {+ Q* p& |5 x避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 W1 U2 y2 f, T3 D4 n$ ?$ _了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必( `  x# _/ o! z: F' t
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區8 C, m# _. V  @$ S1 b
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) g6 O* J- ?+ s) ]* e2 B# N錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ z' u4 b5 @+ O1 \6 ^, x' K- o6 ?2 G不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況. L- q& x; V6 Q8 f1 }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% y, h8 \% h7 U; @
7 R, [! t% ^- r3 ^% x
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 u$ ?" {. Z  \1 z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- a9 {/ Y. J* ~$ |* _我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. t/ I" D4 c$ j4 [* Y  E( X% u; TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( f7 W. K& M, E% b0 c2 w; o但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- H& b+ g  p7 y/ s
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% V  c6 A% v/ Z; J都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
+ D4 y+ }, G* M( b因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 c2 x, G, n: ^8 e* d5 x2 q) a最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ q$ @& S2 T7 ]5 m6 ^9 C
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
+ |8 ?; i, l: S- |0 h0 i* l+ L" w6 S6 ]& Z9 v# E
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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