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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 E- y/ V; C8 S# ?: W* l% ]+ P1 X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 n$ c/ y0 R9 n3 S# FPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; ^8 d% s( |8 S' R. I8 }但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 y9 W+ s5 U6 e/ `! ?3 ^' c! e這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 z, }# _; o# h8 x# t
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
5 N5 j; d+ s0 N9 i1 M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& r) K% e# \' U) l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! W6 H: o; c' Z4 i" k) T! W
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: p. D' u: D* e+ x# g
5 W9 O8 _4 t. m[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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