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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是5 k, {5 y7 e. I; E0 r
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 T7 N' [: C# A6 I/ p了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 Y+ Y* X  b2 q9 l2 b. F須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 R% R4 K  s' y: Q2 v才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記. _$ R5 |  j# z; {
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
  s6 V5 D$ u* l1 ?2 p' A/ O; H不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
' ^* b) ~0 x# O' O) g! j5 z, J下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 V7 s- b- j# k* n5 W
+ s1 P& \# f' v" y3 v5 O如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. % Q. K2 r: `( F
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ g& v6 A9 v; i7 p; R我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, t. x( y5 [  u  Z0 D9 T" B, ?PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: ^  q+ l" q  m9 {但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: p! J9 b' m4 X8 T# i這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ z. H, D6 c5 B, z- q' n
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 Y8 e, P. `1 x1 }+ o因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  x9 e2 J( L% G3 d5 c! K0 _* v9 Q" z最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( k$ q! ]6 Q3 P: O: ~7 z6 B8 E
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
+ S2 U( d+ A, V9 r3 O7 F! o4 s# a) g) w: y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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