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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是+ H7 a0 @: Q5 d0 B
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 Q- c7 _) T" H$ j$ Q了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必" n7 k& y1 A+ ?4 S3 J  K" `, A
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區- }3 t1 j" ?) a" J5 I, U% F6 g( E
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 S  c! ~& y- D0 V; y' \錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓: H- [- X  }: j( a' c2 y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
" _# @( D8 S6 q& F8 D+ f下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
$ O7 Q$ K/ C$ e4 [4 A0 T; S- r1 G+ @0 R( `6 |0 }6 Z
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 v. V% q) u" a1 ~  j
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
3 Z/ S) Q0 i- `6 _: `7 q  O3 P我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 e3 Z! q0 J( v6 N0 ]" r5 @% yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' P) X" c1 |6 l0 f9 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' X7 k' B! P, E0 g( a0 Y6 Z+ k這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 l1 Y& T; Z) F9 d; F# d都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 D5 k9 V& |9 P" C5 P$ p因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 V" Z8 b( y0 ^最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  N' L4 H/ o( E7 |. b
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
0 q  S, |) R  H9 m5 ]. U% K9 _" N2 ^. V0 `; C" `4 T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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