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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): T/ _/ }8 }4 i- o; e3 l) x
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" c) p. W' k& O; W- O; @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 N) o( m& D, n9 X; A( g, w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% z Q$ h, Z1 } b& W這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" r+ e1 z5 `1 u) F# S- f9 I
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ) I; P2 z2 Q7 ]# X) B5 @8 e( n
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ I. o# T( j1 P" ?7 B0 [最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& C( Q; A; R8 m4 ]
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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