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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. i2 Y6 d8 y+ c! p" q. c, |" [6 u我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ A' l8 @8 E6 S" U" HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" d( s5 c) u/ `0 y3 b但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
O/ u$ g( ~) ]! z: [這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
b/ i, ^2 W# f( H都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 ]$ B& ^8 @, J; k2 a% Z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. w! X" z3 A7 L3 E2 i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 ~) p h! X/ b0 ^. U) W
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 A6 n: V5 U+ c
3 E4 c+ E+ R: n9 B' O4 l
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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