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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# L1 l0 S. q0 y9 _- R, V
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& a! |5 }6 X& c2 z( }" [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 C" D, f+ ?5 N& ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 c& P, x; F5 ^- M4 L6 `; i$ g: v; \這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 b4 n2 K- i1 @ x都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 R k o( f9 ^+ U' S" E" C3 M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, p+ P0 `! m W; m8 _. A3 q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 L9 G$ J: u0 T/ R3 y7 ICascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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