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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ S f8 }8 N" B. {7 C3 |& Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND o* U* E) S' c! n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 |1 N# a( _' G$ q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' Q5 @2 x( V; y$ }1 x# l) l4 j這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& m) @: c* }* L2 r, r% {5 @都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 c. n. k9 b3 X+ X. b因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! e' p) J+ F, w0 z& n+ t
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 \) b7 n7 P) D) BCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ C) ^' [ S4 g0 e# L! |" k2 ~
9 K2 i0 C/ s; {" t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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