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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( r3 H9 u- o$ W8 o# l; e
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 Y {0 ~/ C- d- Y' T9 s& D6 j# B; ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# y; u: j% n t1 M) u# c
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. h9 |2 A& x4 P5 D/ }2 M) R
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. L6 ?8 q" }) N' R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 K% k. Z3 ~4 q# i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' ^( B+ }& u5 s2 q5 h7 Y, C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; n/ ^ a) `2 q: L- f& W8 |
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 t7 c0 K: q# {: R2 N2 o
4 _2 w9 M6 N c
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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