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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是) T; v! c3 ~! }# \, a4 w+ i
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ _% V1 X" y& Y: z; o了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 _2 h8 V! s" D% Y! ]! i, k須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( l0 O9 ]9 K$ s- F' n0 b
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) J* K- v( ~7 w9 ]錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓. ?) U5 o$ i# _, B) U1 J* P
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況% `0 V- L$ f* X* N: G3 G( \% i
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。" W7 b/ l! }: ~7 k' F

3 R7 u  h/ s% {/ t如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
" M$ q: ?! o- e# v/ ~$ l3 [- d. \$ s都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
" E0 E5 ]( g8 N. e2 N5 Z) a" p我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( A  I% y) }$ C
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! I. y, W* X- s" z* A3 b! O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 q) Y. l& R2 n, T. E
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. a* }4 k" ~$ s+ G! |
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input   H' X" a" r# z# [% a
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 I8 r2 ?! K3 a# n6 {最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 V. l" Q- o. Q; ?9 {Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
( T% y6 I7 t3 a  `5 n$ k8 s& W' L/ `* C: D: U0 T# Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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