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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! [0 I5 [" P3 E+ a7 G! G" ?/ {+ Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: ?, ~' i$ E' I/ V" EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 |9 Q5 F% z0 L但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
i0 m8 M) j" T: t n4 i- k/ H f這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) w* t! [% @8 `( t9 q* [6 b
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 e4 i3 W% o$ ~2 _1 n9 R. K因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- L6 \4 p6 Z. j( ]最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: U1 u* D8 q& H( u9 l, `
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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! X) {7 E9 `$ K. c e, N2 o4 p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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