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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* r8 N! q: z$ K0 R
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
, w& r: k8 M4 [$ \3 r了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
% j; t% I. m/ f2 h( b: Z( X( d須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 o! U: G3 P8 r6 A9 J- K& w4 D
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% V7 ]& {2 Z% R
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ `5 }9 S" z8 Y( S+ @( n, g不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) q0 S' o0 E' M
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。2 M& S9 x# M/ m; L1 P
; d% m. ^7 F2 G: ~% b! q1 `# U
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 2 C  \% L6 l$ R9 v% c
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer); ^3 g. f2 s9 f# ^5 E9 q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# F! U1 f# {. b: W2 [, SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& k0 n5 V9 o( d' v- z/ R但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; J+ v* n- {- e5 `* V
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) `! m  `) p* K, L& r( o都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input + E6 I/ k4 Y' t) {/ |
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' D4 ~$ R9 _1 B/ u. _/ s& I
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: f5 ^( D* U) k; e. @. ]* d" }6 a2 R
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* u. i5 K* c' r. D1 F9 y

. |8 L* O- G& k3 e2 \# i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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