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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 O% |" v5 j% E2 u' Z# u- o9 J- G我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 |# [8 L u' P @# [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& [6 F/ S) d* w; ?/ E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 d+ v/ G5 x9 f* R+ ?/ j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, C o3 f. i3 P1 w2 X" w4 b+ B- J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : o; q& _* ^, E: r- l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) B$ d4 F E5 `最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) c6 l t* A4 N' ]; D; g& W9 ~7 B8 _Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
# u. Z$ v/ q5 R/ L8 `
$ L1 P4 }: _$ w& A6 @% R8 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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