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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% \5 F h( L0 H Q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( ?2 q+ D& R6 J& m8 O- V) L9 g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' }# L: w# R, _4 [; c/ f
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' m1 a* @& }( w/ L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 y$ e: [; N5 P3 k都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 r+ e4 t! M0 }# C
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& r$ V$ [ o( m: A, ~" _最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' `- [9 a! f% J" ~+ k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ G$ t, i* D* F* p: W
0 l, W( t' G+ A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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