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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
0 {6 H# b/ Z  j, m8 F4 U避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難3 n0 e  R! b# i! o- o  V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必; `3 V8 x% i* v  X' L' C: j
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區8 M6 y0 h% a. k' u4 k) E  S9 V' O
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
/ w% n) r9 @9 q) c6 x1 o. s錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) i' o, [5 f% [不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況3 r% _& [. ^8 B
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
  T; f! E2 U( g( F
" a3 H6 Y% R) ^1 h2 `6 A如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
5 N: x' t3 _& A2 Y1 |  h  A' Z3 ~' u都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
9 m3 N1 t" c4 Q* V我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* [% Y! \8 }* d. s* U9 W, J6 R' Q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 B0 Y8 }2 j* S0 |; |. G
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% c2 c+ _0 g  c. K6 S
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 B# k4 B/ H* Q1 s9 a  S
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 T% e0 D2 X8 h* {" V" c" H7 k' `因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 \) ~  a& [& W( N. X1 ]* B最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! _$ B+ r& n; e% \$ \( HCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
. _9 p9 P4 w' X% Z  H  L. Y7 @( c7 ]. u2 n  H
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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