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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). [- i O& B: T1 ]
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. f! {/ {! J, }
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& o# K& o7 p; k7 Z- O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
I' _9 p6 P4 i; {$ g' Y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! T. i$ @# k: W x, q; _# n c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 B# c& A+ h2 k/ P5 q2 H: w
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 F9 H0 o7 o5 \4 O& Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* M' Q1 G$ j& DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ C! K9 | g& p( C3 |7 F9 ^* H5 o, ]. F. L+ Q1 l' R' h5 T; L# T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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