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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是% R8 A9 v% |, y. D- B
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ K: [  }& v/ w% P0 n" O" O0 B$ k
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ x& t0 x& ^* M2 }須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
) G  @6 I* [" q. S. n1 p才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
5 o( {8 Z. ], _) {' X- u, Q" v錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 n  B  F7 F2 \8 X" |
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況% }2 N9 O2 X, M" n% `- I! U
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) T! [( Z9 i. u( b3 Y* Z) Z5 L1 K6 L& _) o; l/ `; T
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
& Y9 R0 I5 G2 S2 x1 j$ `. @都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): m) O5 h$ t# i+ K: @1 F, t
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( [$ t% m' b- L# P, \& M& o: oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 U( s) b) \: L但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* w: a1 ?  ?& U# x! ~2 G. i; F
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" k6 |- d3 v, X, ^" n2 _
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input " q* `  e6 M" |6 }
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 m8 O# H6 d  z( ]6 S+ W最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% }" V2 v0 l; q1 nCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  {) i" E) \8 [  M) b/ S( U$ b7 D. Z9 o  h7 q6 I$ u
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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