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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 Y4 ^- }0 w/ h6 r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ }2 o! s$ ~. b8 I2 p- m9 iPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 L8 Q7 t( _) v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ k3 r7 _" w2 t
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 M2 P( z0 S! S/ P+ {* U
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# J' z* Q4 i- X7 i5 k7 ]% y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 _3 H$ {( _1 K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. j: _7 V9 r( R% ]5 `Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 ^$ Q* O7 Z: W1 Y4 j. W! \
/ @0 z/ U" R* a4 n: q, Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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