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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 P# N; s( y; i0 f我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
c) N! A9 H4 n6 EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD Z9 w3 y% f* |1 H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# W1 S2 o4 R) K1 R$ j這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( L* u* c8 a: M5 `: {( P; t
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: o. Z( `7 n$ f1 [ X. v0 W V因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 T( D& G5 v' `9 _7 \1 I% J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; u; ]! n7 ?: K; P9 m, O8 D3 iCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ N2 W( v8 r; |+ Z$ V8 S' I
' ]9 e; ^$ Q# I3 N2 G+ R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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