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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 r4 Y6 g( _3 g8 u) N* b$ W
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ z- o8 d C2 `# k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ s/ |# F4 Z( I. N7 G$ {; P' S
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# v0 N" P+ a7 @3 L4 ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" H5 e2 k7 Q, {$ J6 m q& y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : o3 _) z6 z- Y0 c f5 t O
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' R0 K3 Z+ _1 B/ A2 s9 \+ ]0 v0 Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: W" K: n7 m9 ]3 s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) b& q3 ]* H8 F) U
+ W* `" l- t$ ]3 M6 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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