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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ F" d& }7 D2 @3 k6 P避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難7 J1 f- I8 w2 _9 Z( f% i9 _
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
  \9 _" h+ w7 l須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區  O8 E- L2 Z. ~& F+ i& G# W& g1 ~
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ o: f* l* o! g
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& t; U7 T0 ^- @8 B/ F不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  ~  G$ c" O7 C7 B5 s1 P% L
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
% V4 E' V" n: P8 D3 m- t: |7 F* y9 b  x5 X8 g* K! n, e: R/ C
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. + F0 _8 w3 D8 x6 P6 `1 W0 Y  _
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)% A. c! A5 Z# k* {! D/ H5 U% c
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. m  \1 [; [4 N+ B, o/ yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 F/ E( p( k' E8 c  Y2 k) |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 }8 A& n  y1 a- e3 G6 Y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% ^) S9 A  [4 n$ r) P% a
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. o* m5 j( g# z因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  C9 B; S, ]4 }+ ~* v: c, \最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 H1 o' K$ Q) K; J0 |2 t+ MCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
# Z9 q' j' h9 j2 z: E
: `. M$ G. f  W5 i  b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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