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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 I8 q7 L% K7 D' _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 m# A/ t( Q, |% K* XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! ?3 c& P" @( U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' `# z8 J: n* t- E. @3 S8 x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 N2 ~) y; u$ |# b$ M都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! w' J. ^+ M, E- z$ Q4 g7 [6 I" i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( Z; b! E- \* C# b8 X2 }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 r- B; N- R8 d& X. n2 i. v# M2 D: CCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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. K% G, ?2 X% D, N$ }" {3 E[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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