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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是" \( a7 _8 z8 \
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
) Q7 H. o* N9 b! ^# W* n6 a# J+ y了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必$ A4 ^# f0 R* C9 e+ v" V
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區& s, H1 ]/ `) P. f- y  P  `, z- l
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 T  R* M' F& [" O; h2 U' E
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓5 e) I$ Y1 e) A. s0 c% `
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: |1 O: }% b/ o6 L6 Y3 C. E* n; W
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。; n8 X1 s0 k; \9 w3 p: Q

! W2 @, u  F/ x" @$ u如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ( Q: O2 H  I" s# f% O
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)" h/ W+ K- Z$ q' l  B( M
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, H  \+ {# P' @+ JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! n  F7 E8 ^* i/ W2 e& g6 a* Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( D% l  g$ O+ R' ~$ U" F
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# U$ j' t9 k0 P4 B
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ V% ^& J. e9 N$ W% O1 s* j" @因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* n+ c+ \6 |  x+ R, k. M
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ n* H9 a+ P$ YCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
! b* o" }# ^) t+ g, h6 m
2 J8 o; J  |; u! a2 r; k' q3 }+ j[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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