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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 f# n( i* j7 I' D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; e+ ~$ p- P+ H, ]; x, ^& gPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) [( b( P% o" C5 a8 o) n
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! q* N& ?; N9 C" t: ?& ~3 Q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 [4 }" ]; d/ a+ x5 l
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 R9 J3 V2 K+ V+ n因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) ^9 D, F6 {6 I( c& t; x" \6 y/ s1 n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- I8 f4 K- g# l2 VCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 @ O: T7 R" {8 A! h# C' a0 n; m; ]
* N: d- Y, H$ b' A
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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