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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% v6 }& C7 j& q' \我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 R1 i, @% Q0 w+ P, O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, ^3 f' {! |% R" _# v% v5 z- f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ m6 i7 V. `7 ]0 }9 ]- w* d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# ~' }- G) y* D; s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# h% t" N4 t* n; j* ]因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 M7 ?; O) f) b2 T7 ]) O/ ~, }/ n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# j3 \8 Z( p+ j: D9 ]Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. U; J$ P6 ], n( _# q4 `
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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