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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" h/ W+ K- Z$ q' l B( M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, H \+ {# P' @+ JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! n F7 E8 ^* i/ W2 e& g6 a* Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( D% l g$ O+ R' ~$ U" F
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# U$ j' t9 k0 P4 B
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ V% ^& J. e9 N$ W% O1 s* j" @因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* n+ c+ \6 | x+ R, k. M
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ n* H9 a+ P$ YCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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2 J8 o; J |; u! a2 r; k' q3 }+ j[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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