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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( P& K) u1 \. b7 X; O( |" t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 r: s& U2 a' Q& Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" G( `" Y' U3 }) h$ t4 I3 M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
J$ l* u$ W$ X" b+ V/ Q) E這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 Y B0 \+ S% \都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 i( K9 o& m( }. ^, T2 z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 B6 N5 q0 I8 J2 w2 C) W1 ^+ R# [最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ s& s$ E6 C9 t1 m
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& ~" l# Z5 }/ C1 H8 A( b4 Q2 j _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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