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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是5 F. @" Q8 Z' b6 F1 _
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 ^1 E. R# t) w$ H- c; p5 @$ h$ p了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
' c$ N( l6 f" _0 \' }/ d: B# ]: w須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區4 M6 C. C/ S5 d1 x$ l
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記7 K! P! i5 k( c0 @9 F2 \3 _
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 V4 Q; J( V8 X. p8 B& O0 {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, q0 e( s$ ]0 z. A5 u下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。3 M! n: i* j% S7 ?
/ @. j- B; H9 E3 A
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ; |) {8 L* K. B' D, q( y  A+ q" X7 G
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)0 h/ _9 j. Q' j+ L" l
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
  m- A, D' S  H0 D& ~# CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 ~# C$ V, x' |- v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 C6 n: ~; _; ~; b7 D4 A6 c: W! T這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. F2 ^9 ^& d4 {, b9 F
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
' g$ C; z3 W( V! {$ p( ^/ G0 n9 T因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 J7 j# L1 i) A5 i2 r$ q" H5 R
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 ~- p! v& n2 h- X; q, {Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
" ?4 M3 a* f9 v4 D) ?
3 q% k' [& y; s* [% B[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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