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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
5 K1 H/ J$ y1 M$ i0 ^9 u避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 P& U  q9 M  ]; K+ b* }0 @
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必3 K! w" o2 V2 s; t* t
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區1 {8 X, w) ^. M( G2 i% ]4 v
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% l5 l: z6 X* e" V
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓7 g7 E0 i1 Y; P  V( Z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 v7 G  X  K7 @' q  h下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 H5 p8 W& r5 f) [" H
, N; E: s3 K+ L* Z6 K如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
6 t7 V2 o2 _# p) U+ ~- U/ M都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
. `5 O7 Y/ v1 X8 t我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" w+ M3 C6 F: Y  d2 x1 JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 s* ^; m$ o$ K  C" r2 v( f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ g8 K& e3 @- ~( W這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 m2 A( ^7 V" k- l$ ]5 }
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
9 H0 g$ w" E3 x6 G4 v因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ ^% I8 I! d  O) k/ U, C5 H& i
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ k5 A3 S" ?" v# |4 xCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
0 Q8 b; g. \! D
! D7 [$ F, c# s9 Y. a% R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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