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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) M2 m' [8 O4 S. r: R9 Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* q* J M6 |% J2 F4 o4 APMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; _$ k. D8 ?2 r% d8 d7 h2 g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& J0 _! p8 l$ i* v! q$ ]; \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) Z% B: g7 P0 [" b' T2 X& o
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 @' x; R2 ?3 m# R& K+ r' ^8 i2 p; P
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; q5 d; B2 u% L7 m6 m, d. y* x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 R: l3 X& M0 Z, _& W1 e
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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