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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. H7 |3 b( H, X避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
& H2 d9 e! y7 ?: Q了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必4 {4 H' T. S" y4 W: g/ w5 D5 \
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
; t' a! @! L( e% t) v5 A才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% \, f4 J# e1 s" O# C) p% w. j錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓/ w% ]: D  Z& l* t, ^9 T
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, p$ f% m2 Q5 V下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。+ q$ q" `2 o( D' [2 R1 A9 G

# U: t0 p, `$ }如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ; l8 ^: e1 r1 U* d4 R3 ~! N( O- c
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 [+ C8 \+ g6 g0 s3 X, W  |& R我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 J0 r0 L1 J* u% c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- M  i. n1 H- X+ m" y* G( J8 C7 U但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: p; j: R" e0 ?5 G8 o
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 X  L! ]; i5 h( j都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
* H( J% L8 G6 r. A- ~因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 V4 c+ Y0 x$ r+ n" N7 j最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. E7 c- `# {5 k( J2 jCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.$ Q, h! r5 L  t% b3 F) U) {
3 f4 U/ _& i2 D3 [8 i' s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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