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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( `" S) C& _# ?/ {我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# M0 ~# K9 J- D2 {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 d! ~$ }9 X, Z, g8 Y& ?% S9 Q: w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& O6 u3 f6 H: O6 r8 U這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ n0 r! k# g# Y( a' m
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ J2 [1 e* k8 B" X* M( D因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 F8 y; \7 L8 W) J; _- t# L$ @1 m, w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( Z4 f& p- E+ J7 E* V1 `4 ~% p6 ]1 _Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 c. z+ ^5 X6 M$ Z
: r4 g/ J) d3 L& S# } x. w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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