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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- a9 {/ Y. J* ~$ |* _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. t/ I" D4 c$ j4 [* Y E( X% u; TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( f7 W. K& M, E% b0 c2 w; o但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- H& b+ g p7 y/ s
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% V c6 A% v/ Z; J都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ D4 y+ }, G* M( b因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 c2 x, G, n: ^8 e* d5 x2 q) a最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ q$ @& S2 T7 ]5 m6 ^9 C
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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