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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ _- Q u6 j4 H' a5 L
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" q5 S4 X$ f, [2 Y% V
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 Q( c: Z: U' P* e1 {# l但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 A8 G% R3 \" C
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* b9 L# s! W$ F, [- K5 c
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
% z$ B: V( s/ j: f因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
u& ~: [4 G, J' R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 j" W7 ~6 n& }, c9 Z% Y" \, c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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1 r/ T3 |- k5 t& d- q8 P[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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