|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) ~6 q" h' z7 ~* i/ j: Q$ i
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 w$ y4 Z2 u1 KPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 W( G4 b) |9 ?. y) |1 G* q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# p5 l- X+ Z3 \% y# Z4 r7 Y( w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 ?& [9 r% F- O都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 ?, S4 K5 j& o: p7 Z* t+ ?
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 @5 x5 M- c2 j; o( k( m! O: f6 l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% h- J. q2 h9 p# b' M7 DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
2 `' w# b7 L4 u6 M: q1 N: |
( T2 d. j: c" R# G+ C- ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|