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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 d* z8 s( u3 \9 q7 ]- t避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ a/ Y# A" _1 a1 n了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必( H8 L, C  }1 T* O2 Z
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 H- a( g$ X  S才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* H  e6 i2 e( a8 l5 N
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ l8 C5 P8 t6 M3 B3 O9 k1 o& a- N不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: H; ^  M  M( K1 P
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。. z3 {0 k* {6 {& X1 ?2 a
- ^5 @0 I; A% G9 S; u
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 9 g6 M$ a# a9 n# i" ^" i
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 f+ E' A+ v- F% `/ ~
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: v3 {6 R! Y" q# b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* O. M$ a/ `$ l  Q; K9 F3 O- i4 v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( k" N( [( |) v6 m3 O% r這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& ]! {! e7 R' Q( R2 l都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 V6 W2 e3 A8 B
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 c! D9 x% Z) o2 p* t
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# n3 R, e, `. X- ~% gCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 i; M/ e1 w- X8 ^
. A0 B! s  K6 x$ u/ j) E# q6 f
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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