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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' ?& r2 T9 p' E我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
j( @5 H7 Y; P# TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 i' G1 [* z- p) S但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 I; M7 S0 N6 @3 u這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% X; t' t E- q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) |& q7 \& U: R( W, ~7 o因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
G7 E ]9 F, y7 i4 B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ b3 a, {- P3 D4 H* aCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
! h% E' `) H6 A4 o: r& ]- a; Y+ w" z# K" S9 a. v* W; }/ S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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