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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( b9 F! B" G& d ~
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% g. g) I% t( e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
Z; z }' x% |, \! }, p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況5 j3 r3 A/ n# [! V9 {
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 F: o, d, M. l2 `( v- a$ V/ s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 m. b, x2 F: Y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ F9 o( N' y& f. y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., }+ V7 Z% S2 r* D4 v/ q U
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- n- P& N. M' N8 ^8 o
) F7 q2 l2 J* _; Q: i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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