|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 M7 R( j O+ r我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( z& d! ~! t* y4 F0 T g: y4 F( a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* K: w, P! H2 o0 c6 h7 j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" p {/ d) M/ P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; r9 T7 o$ r7 t- ? g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , ^: I! D" n0 Y4 K" ?
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 P# I/ W/ a& `7 _- _7 ?$ [
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ \& U' h$ Q# z% Y4 c# [3 l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ u6 ]0 ?/ i$ @# y# h4 J+ A" h+ L7 J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|