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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 B$ ~) ?3 ~0 T) @" J
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 v5 t6 f+ d! }6 y0 P5 }/ E; Y- J# yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ V9 f. `$ a Y( } V但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- Q! ]$ ^, ?& c% b8 x; J
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! c8 W- d( J) U9 }6 Q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 J' x X- Z5 n" J$ f: x4 b6 y- r: O$ L% A
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: v; _) ]9 K1 ?
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' b e* h$ h, b- t. h' y' i
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# o0 Y- G( E" ]+ V
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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