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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 k& N! T, x2 q7 s# F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND O- Y$ P0 ~3 G* c& O; R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 k! @- T4 j8 @, K W0 q: s8 B, v) E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" a( E$ s9 ^% c: y5 |/ u這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 [, A6 t% w) G6 O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " e' s5 P" Y( d
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ j, D+ ]! n( l y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) S& s# T( q8 `# [5 G% {* n
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ {' A6 u4 b8 g+ f7 @5 ~+ V9 a9 t" d! X. a$ h+ C# I1 G/ {# ^
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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