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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
( w8 Y  |% M8 _( T* B避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難$ m  w5 n. n+ `! a, Y( [' w8 f
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 Z1 Y8 {  k2 ]# O須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% v7 ~8 @# m8 m' G% x才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" C/ }9 k+ G3 N8 K$ E+ n
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 W- ?0 C' [5 G/ ?1 W
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! c$ O1 ~. f: [2 s; \: l. a8 u下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。# S/ c: C, ^7 O- X! @( H; H

& {( J0 Q8 m- X4 d6 H+ ^如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
  m% o! r/ ]+ g  ?$ _7 l. ]都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)! r, G* K  A+ p! q  s" u4 h( D
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ N3 l: O4 o  @) S" uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( p% F$ H3 A! N* Z4 A! T5 M+ d# t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ t" J9 Z( K. e9 o( s* ?這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ l' ~6 l' A# d% Q5 R2 z$ e5 i都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
" ~. `" G; ^$ d4 p5 _: m& {因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, ]9 k  @) T! y& b% O1 k$ v
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- D& z0 A; B3 o6 B7 WCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  f9 m) ^* W7 e* S! e
. ]5 k+ i1 q, i7 {* Q( b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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