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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
`9 ~* B L/ E6 }7 v我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ g5 G( r( c$ ]. Y* _
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 k% U3 v* l7 q* X4 R/ ]* D- ]4 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 f) }3 Z9 G6 C) g這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ ?$ m. j, e* D( I' Z) r, D6 K9 N都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; q- E8 R/ e8 j9 z% ?/ N2 m7 s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; p. _$ q% U s* L4 _& R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& M- ~/ w8 S) H2 I2 a1 P9 _9 lCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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) U/ J8 C- P; k# y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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