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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
4 _( Q: t0 Q9 P  X4 @1 b: ^/ C避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
% F  D: {  h$ q- S了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
( M: D" ?9 `- |/ @須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
) u1 |# n; n' v9 a才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* _( ~: I8 `- s% k4 Q6 F錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! ]! B$ A+ Z- c0 \不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況* o3 t' S* A+ V' O) h, E
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。; Q; W; |+ J6 W

4 Y. w6 t8 `1 p# W0 t# H如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 2 ?/ u$ @6 y" m
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)' u! j+ E0 [' p( I* W' f
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 `5 G0 p8 y2 i; W; X3 _, Q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. |( N. X8 V& z' X# q- B8 H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 K/ Z8 T3 E+ b- d. }% H5 l' C這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 N+ @; M0 {0 ~7 I7 |) _. w; A+ J
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ! Z4 d$ V- f$ V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& i0 L9 `' V8 e( s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ ?! G: |1 u  v( B: O
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 T) u% A9 d. ]- e, w
$ P# V, a; c; F, F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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