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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ x% h$ w1 E, t' ~
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& y) j" z" e9 f! Y& Q& Y/ c+ x0 jPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" L0 e% O7 J" a5 r- C) w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& ?1 ~" f/ ?' g% o) Z$ m1 v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 {& {: V# }& l- g
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& j3 K( J8 o0 C" M4 }" y% O因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& S) }# o. M$ ]# {. S! }. ~3 q5 y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, Y' o* p; L9 r6 @4 |Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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, ^$ `* Y) J* {4 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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