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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是7 n  h. h' J2 [# A
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
" d3 i7 L. S3 A9 i0 I了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ a9 K2 ?: s0 f5 ~
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區& g5 l9 p, Z5 Z1 h' p# ?' o" J# }
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 H3 N5 Q; ]4 i# C錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 `# z  \5 K4 o3 S/ R3 k% q
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
/ K2 Q: ^9 e) N+ P1 w3 ?7 _7 Z下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 D: }4 v# q' c. y. U% _( L# V

& I4 y$ a3 d. @' U% f如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
, o  J8 P! z. b& W0 o; P8 J都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
) M2 m' [8 O4 S. r: R9 Z我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* q* J  M6 |% J2 F4 o4 APMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; _$ k. D8 ?2 r% d8 d7 h2 g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& J0 _! p8 l$ i* v! q$ ]; \
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) Z% B: g7 P0 [" b' T2 X& o
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 1 @' x; R2 ?3 m# R& K+ r' ^8 i2 p; P
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; q5 d; B2 u% L7 m6 m, d. y* x最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 R: l3 X& M0 Z, _& W1 e
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
: _- n6 Z5 {- i2 g8 F0 h; k  G8 N1 L2 S) H
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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