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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& T1 M* A* C2 Z: o避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難$ ?. }! b. }7 l8 B% u
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 u/ _1 u8 a! r" _須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' u8 a, H9 y! f& n才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
# v0 J! D8 A7 ~( d# _錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 k6 y+ k/ H! @. c不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況7 k. D9 P+ h. m  x# t
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 @* d  e% E; c& B1 ~

/ i. J5 o) Z0 {7 U如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ G. E/ Q/ b7 Z% H* ?2 P, Z都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
. i2 Y6 d8 y+ c! p" q. c, |" [6 u我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ A' l8 @8 E6 S" U" HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" d( s5 c) u/ `0 y3 b但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  O/ u$ g( ~) ]! z: [這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
  b/ i, ^2 W# f( H都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 7 ]$ B& ^8 @, J; k2 a% Z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. w! X" z3 A7 L3 E2 i最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 ~) p  h! X/ b0 ^. U) W
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 A6 n: V5 U+ c
3 E4 c+ E+ R: n9 B' O4 l
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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