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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
4 h" n0 F% E' h# u) `" a避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難$ ?! `5 X, f8 S5 n3 o( O! V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& B3 v. a/ y8 ~6 O1 j. E
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區5 y* H1 |6 }/ @: d- X
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" t6 u8 O' j' _" w5 V
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! e2 L  ^& E+ B4 h' s2 k7 X不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
* S8 e! [9 W% L' ?: S- E3 e# k下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
1 V5 ^( Q2 s( N/ W/ {# ^
' I3 }. x6 R5 f& a$ R& e% E5 q& N如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) k( y/ B; |" O! T都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
$ n" t2 I' e# k6 k我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 E( |% B9 \% s: Z# E6 L) x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 j5 m$ j- _6 n+ c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; x2 }: U1 x3 h
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& d' F; r. a* g7 `/ y都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' R" M4 b: D' E/ e$ z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# }9 s+ R  Y: o
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; e9 n& ~" g  o
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  N5 p+ x7 M: k3 _2 n- ^4 {. ?, D/ ^. \1 W  L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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