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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是1 Q8 s  _: J/ ?' ^, }
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
% H. g3 g; ^1 ^. c! y了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必  Q# Z3 i  l! o3 |$ T7 O' `+ P) ~
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區- \% C0 J- g" H8 I! N! A
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* D! Z7 D+ u+ g; O錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
- {) b7 u' s2 w- i  a不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況. y" z2 y/ {% m. r, B6 p3 g) D
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 }7 r, ~* r  B: ^

: C. H+ D  k; w2 I$ Y如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. # ~) ^" n0 T5 s4 r) R3 Q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ x% h$ w1 E, t' ~
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& y) j" z" e9 f! Y& Q& Y/ c+ x0 jPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" L0 e% O7 J" a5 r- C) w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& ?1 ~" f/ ?' g% o) Z$ m1 v這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 {& {: V# }& l- g
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
& j3 K( J8 o0 C" M4 }" y% O因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& S) }# o. M$ ]# {. S! }. ~3 q5 y最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, Y' o* p; L9 r6 @4 |Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
- \" _2 W+ T2 t% ]  Y
, ^$ `* Y) J* {4 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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