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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是1 d+ {: o. `0 Z8 U, e6 a' z, h. M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
8 S; r1 Y0 O, y9 q, J了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必! z) I! e; ]$ Y$ s
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區, h5 `' K$ C+ Y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
. _1 J* f( A1 T  a錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 h) t; G/ z4 w3 Q' U& D7 F1 R
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 ~$ s1 h$ {9 t7 b4 s' a* P) q下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 f4 b( I% k  Y" _: x9 @( G# ^
9 Y5 J2 x( T! q& I
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ) f/ G% v' L4 A4 I
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
! x- U; c3 B+ Q5 L& x+ ]我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 c, g( Y, v9 s" |3 i# h9 k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 ~1 W$ o$ m6 W: }, P但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; l6 o+ y" k9 R3 `* ?- i& l
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 S" f) t! n( l+ X3 t, A
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
! m: ~7 S4 P! h2 @因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! \8 y1 P- {+ R: `: a" B最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: B9 ~$ i9 |) z* U( j( zCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; t4 C1 i. Z2 X( K' d" l& [
% L. W) q+ O0 d& R1 J; J+ {" G
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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