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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 ^5 q1 J g3 S$ [2 O我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 m9 q/ {& L3 s, R3 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 [9 V8 C1 H& m4 ?1 v2 P8 W' |) ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ h* `: Y2 e. a. S4 F6 I/ Y; P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 T. c9 j+ D9 X$ Y: W- }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( s" z- Q& r! K$ Z; O因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 B- x% _: p- q! F& `2 y! e
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' W; m2 S6 R) q9 l0 b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 f @, f$ r+ a- ^4 U
3 R: w# _$ ?0 C' W/ T1 |
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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