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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' L( M2 Y j( k* O7 S" I3 A4 J: L我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" f7 }) z* G7 \+ a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 i, `! U' _2 L, a4 o9 v( P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 q/ J7 w3 t5 k5 i5 z9 W; l, P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ {! f) T o$ o$ Y. j8 c5 L; a都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % A% O8 B1 H$ ~( {; z1 l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) \9 i5 o; p" l. S$ ^8 H# T最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( Q! k* q2 [, o x, ]) BCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! J% m6 m# M' x+ Z6 `
) a2 r3 r7 N' w/ q" d( s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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