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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): m) O5 h$ t# i+ K: @1 F, t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( [$ t% m' b- L# P, \& M& o: oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 U( s) b) \: L但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* w: a1 ? ?& U# x! ~2 G. i; F
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" k6 |- d3 v, X, ^" n2 _
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " q* ` e6 M" |6 }
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 m8 O# H6 d z( ]6 S+ W最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% }" V2 v0 l; q1 nCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
{) i" E) \8 [ M) b/ S( U$ b7 D. Z9 o h7 q6 I$ u
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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