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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 h/ _9 j. Q' j+ L" l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
m- A, D' S H0 D& ~# CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 ~# C$ V, x' |- v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 C6 n: ~; _; ~; b7 D4 A6 c: W! T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. F2 ^9 ^& d4 {, b9 F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
' g$ C; z3 W( V! {$ p( ^/ G0 n9 T因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 J7 j# L1 i) A5 i2 r$ q" H5 R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 ~- p! v& n2 h- X; q, {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" ?4 M3 a* f9 v4 D) ?
3 q% k' [& y; s* [% B[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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