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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
  g0 {( ]% B' z避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難( V, P. j- b# |$ g
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) V( w) f8 R# j4 O
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區) T" ]4 d8 F/ {, Y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記! I: b7 }0 n$ e2 U+ g; v* K. u6 B
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, j* p: F* c1 S; K不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) m2 Z9 ?' A+ h# v
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。  r/ O1 c8 ^1 F1 C
  ^8 U4 b. ^$ k9 |* P: O
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' k( @6 P# E, I- M' `+ x都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ F2 g( ~6 k% u我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 c1 B0 J. O2 a7 y: `
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
  B; M+ ~: ^+ O/ W2 V) C) d* H% f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& j3 z, n3 }2 l/ n+ T這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 i. ?+ \) f! d3 y3 r, T! |
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input , \$ R5 W/ j1 _2 p
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! Z6 y  I; m: {: w
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  X* m5 Z! @! B
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
% ^' ~. c4 @: p! ?1 T% W/ O
- j2 T8 @8 e  t; }2 L: n& V8 C% S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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