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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 Z/ S) Q0 i- `6 _: `7 q O3 P我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 e3 Z! q0 J( v6 N0 ]" r5 @% yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' P) X" c1 |6 l0 f9 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' X7 k' B! P, E0 g( a0 Y6 Z+ k這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 l1 Y& T; Z) F9 d; F# d都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 D5 k9 V& |9 P" C5 P$ p因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 V" Z8 b( y0 ^最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. N' L4 H/ o( E7 |. b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 q S, |) R H9 m5 ]. U% K9 _" N2 ^. V0 `; C" `4 T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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