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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 U& C* `# P/ _5 C7 r) z8 P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 l8 {, {8 V7 ]* L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 k; `, A) c. V9 p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" f. b' P M$ Z6 b: t$ {
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 G0 z( E& l* }, d8 W
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 C h Y/ V) s1 p: s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) i1 J- a; W# [; C9 B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ j9 f6 V6 ^( h
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.8 S2 y8 ?, y5 @3 C( k/ L
, B6 P8 R# u4 [4 R2 ^5 \( l+ T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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