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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 x$ Y& R6 ]6 b! r; ?# i
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) S5 d2 w% d# p) c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 M4 t7 Y* ^2 J但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* d1 p: d* K8 Z0 A& U z- u
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, _" r' f# d3 Y5 l, w! y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 H; c1 ~6 e- J! x, }
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 \9 ~# Q( {9 }+ R5 _2 {
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( b4 ?4 D6 [' {7 S6 V. lCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
G+ x0 h) A8 E( x& H( @9 }
, N( d; K8 D Z; Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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