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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
' @6 ~  b% \6 ~避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
4 |! j  _! T% k+ {& [( P; e了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 N4 B" L' c& H  w2 ~* i須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
$ ^" w" R( F* w- E才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 Q$ F5 k6 W0 s! Q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 k5 p- l" X5 R( Y不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況2 M( d7 Y( H. k" y5 Y0 b, e; @
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 k/ G, B# Y' Q2 S* n8 T& ^
9 j6 G: [7 T5 k9 k5 }如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- `8 @  j: T  W都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)7 C  D* F7 Y0 x2 b- ?, B6 W7 m9 f/ Q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 G/ w* L/ f( }! hPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! q( K% A! f. O, L- o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* g- |: B' b6 M6 I" T這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# L+ G! r+ ~# B$ b1 ^
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
8 ?4 p: s& ^7 o+ y( j# {( p因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 L( M* L5 V4 w+ ^- i0 |. _# C2 A
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 }; X5 `- G, V5 f/ E
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.& q- o! ~; F5 R) w5 x4 _3 T, D

; F" Q2 `8 }, e: g" z8 p( Z/ s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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