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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) ^) o8 h: u5 U6 Y6 o避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ q/ ]4 [+ e, @了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ m; x0 m8 z  `- {( ^
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' D( q0 E$ ^) ^7 E
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ _9 e. C. S* v( x* s/ B, M' s( y
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% w( W9 m( f% \1 i不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況. \# W. C: W/ h3 U
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# |; U! m- h" W$ `% q3 a( K5 e- \$ e" u2 N- E) Y, \( y
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. + J* f& Q) j2 w9 B. K
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 [0 x8 W  M4 `, n5 y) X我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% Z' c  n& g6 x- v0 ~& H; s* tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 v4 r6 x! q( G2 i2 e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) W) z: ?  Y4 a: L& h這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊  a9 M$ q! w0 t  l/ d
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ; @2 o3 p! p5 m  X  M3 _2 V: j
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 `2 d* \" o% U( |
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ S5 U, ?, y# r9 N7 Z# v' h) j) ^Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.# Z- t5 c# p1 h3 N* t- y2 C6 t

) ~1 P8 l$ l5 P. X6 {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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