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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 Q* o! }- ~6 s6 n我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 u+ u: P/ } o" L$ b6 RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
c( K9 w! m! o' j; i o但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 f4 s- L. r' Y. \, [- c* @
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 p1 H M" D1 Y. c7 o都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 u2 i* X. X* s% U$ ^因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重. q: q$ P7 G; [; ~9 I$ R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' T9 T$ s& Y1 l% n. f6 f4 e# o
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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: {7 e1 m# Y, v. K) w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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