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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* C8 ]9 p" y1 H2 ]/ K
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ Z% S, d9 ~# c9 n了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ r+ Y+ U$ O6 l( T% n' @須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
/ b5 J3 L5 b+ e6 c5 R才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記. b: Z: H  g# i, ^, E
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" s. ^" {' v& c1 K: t: m# ~不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
( @' N; n9 x4 Q; T- j+ G下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. [7 t# y8 H1 U) S7 X' |" U; Y% ^4 q
- Y$ R* F' `5 B% o) b如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
* [0 E% W2 [4 a2 E! n6 X- Q4 V都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 B$ ~) ?3 ~0 T) @" J
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 v5 t6 f+ d! }6 y0 P5 }/ E; Y- J# yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ V9 f. `$ a  Y( }  V但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- Q! ]$ ^, ?& c% b8 x; J
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! c8 W- d( J) U9 }6 Q
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 J' x  X- Z5 n" J$ f: x4 b6 y- r: O$ L% A
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: v; _) ]9 K1 ?
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' b  e* h$ h, b- t. h' y' i
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.# o0 Y- G( E" ]+ V
8 M" s+ N2 h4 }; U0 ?% V' p. R
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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