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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ N) P! @" r- B# ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ T0 t, m8 Z9 H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. l/ Y$ Z5 [5 M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, m4 b4 h) K1 f6 Z0 u0 v7 Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' x# l @' R: P4 z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. d. N& E5 @" b! l# E$ K因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 K# V+ Y: s- V$ P. r
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." O/ b0 t0 ~ V4 G+ ~' P
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ f/ z- `, P* X1 Z- w& x' a
0 g1 x& U: u: Q# d) h[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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