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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ V: {# X! C* M) S) r% P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 u2 q2 b4 k) g' e JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 o8 N. T6 e `: @$ R& ?7 n, ?) Y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ s% E# i5 U9 B( ^3 y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 h4 a7 P2 E# L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 Z: o3 M" }% Q4 ?
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; N% z F$ r0 T2 Y; J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% _- W4 X3 @5 M! F- |0 ]" KCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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* X: i! }) x7 B& m6 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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