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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
# L0 N3 A# e1 N避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難% J! a/ a. R) O& [) Q! m- s- i
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 D  `' j* ^0 m8 M# V3 F, A. N
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區/ N, O2 s  K9 Q
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記, O& x( k' W4 O& f
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# R. k" m, p) ?2 z3 K7 X
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 f7 x4 v7 \. _/ L& B. E: L4 j下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。3 v/ N# I& k4 T

& `6 M1 a, K) P  M+ U5 ?. B4 N如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. & u6 N* ^8 p1 I- B! M6 k, {( X) B
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
3 e. m+ H7 ]! |) S4 Z我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 z- m3 d& M4 N4 i# \" Y9 ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; m0 h4 p7 Z  W$ |5 B5 U, c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  v+ g" h- I2 p; H/ s5 U- ]這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 O, i. e! W# r都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ; v7 t5 J/ H/ }, U* b& Y
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 Z! ?' V7 H% l最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* ^* u3 B* n7 J4 B- h" g/ }
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 E$ T% e" T2 y, a" U- U

9 Q- l6 [3 f0 U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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