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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 C5 H; h- M: C: j: r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% b# t* c- B) M# ]$ B" o7 C3 i1 ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 {4 q' x: l2 U: D. S
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 s1 v, A5 `8 [& E2 q7 x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 I0 r% p v( j3 V' f) u& n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& L4 Q X$ ~, v因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, `* l, s" \& P- T, R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 z- U) R6 @/ z8 X9 @$ l0 u5 D/ n
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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