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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 Z0 N/ X* e8 k+ F' ~- Q3 A. E- O我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ n3 J. K1 c3 [ j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 T& m: p& O, X9 I. F
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. J/ h3 D3 z7 j% v" V& K
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) k: g& K- l$ |: C0 j3 Z' y9 @- n
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: L C: ~$ l9 O, f0 B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 x Q1 _" g9 i- b
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 y* }$ t* x+ i6 v2 \/ o8 M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
d4 R/ P0 |' o; U; _) K) k. ~, X7 U9 a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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