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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; W+ S5 l, ]/ _) t: |我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. n8 d8 C. A1 W% {6 x& Y$ F5 XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 O1 B) ]8 w" ?: [但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& C; Q5 T& g% p* E3 H; W這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ q f o- M+ F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! z" l) t" i5 K4 A9 `+ W! P- w* ?因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ ^' X8 s2 S3 `! D+ z7 U
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# h" z, L( i8 q; F7 FCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! `- H. U6 ]2 N
, R- F! t* I& Z) O" m( x- Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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