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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! H3 x8 [' W9 Y5 |: ?0 r0 }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 D: \, c2 a: K- r$ T. P1 H; M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 J- w4 \+ ?. h c$ l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% b. p- ?9 _2 E# Y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( ~3 H. e) j1 E) \ j0 l
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 m( T* K% u+ G! S, Z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- \6 J. e5 W2 O( W
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
H1 U* j. u. x a6 YCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- P( B+ v+ d2 U1 Y0 ^
2 v1 X) s- e7 z+ L7 ?# ~[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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