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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) ]: T# m8 t/ ]# ?3 [. w
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 `# g4 ]- _3 H" a9 TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* ?, }: H" O; i* x! r e( c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 r3 U% B3 D$ p: d4 U' o8 D5 R
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' X' ]) H0 W4 b/ i% q; o都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 z Y$ j$ K! e: e3 N4 _因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 f& ~0 W O3 T1 s" u& `5 C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# W! X* p5 v5 v1 o1 Y) Z2 d1 LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ l, R$ V8 a c3 j( V# u9 o i6 Y& U$ U# q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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