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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 I# D4 Y. P2 f" G避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 ^9 }% D, G7 ]; V5 ]6 U0 b
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ c! M$ w5 \- Z須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
; M& k$ _/ F# y9 z& [才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ N9 @: a/ I- O! S& q4 e錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& g4 y2 A3 ~4 k* \) R不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: h2 `2 f/ l# Q( L" i' N. ]& s
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。# R( _/ q3 F; t6 @# D" U

- {( m' q0 @( i3 |8 v8 |5 i如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
* e" d: o$ Y" V& r6 B都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
( `" S) C& _# ?/ {我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# M0 ~# K9 J- D2 {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 d! ~$ }9 X, Z, g8 Y& ?% S9 Q: w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& O6 u3 f6 H: O6 r8 U這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ n0 r! k# g# Y( a' m
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ J2 [1 e* k8 B" X* M( D因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 F8 y; \7 L8 W) J; _- t# L$ @1 m, w最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( Z4 f& p- E+ J7 E* V1 `4 ~% p6 ]1 _Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
4 c. z+ ^5 X6 M$ Z
: r4 g/ J) d3 L& S# }  x. w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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