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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! {( ]# { ~* X+ \我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" ` W; q5 W8 Z$ [# q! @( t
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 C9 ^) X5 C2 T( a4 W0 q, i3 F
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& L* E+ w9 N$ E1 G( G2 l9 ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( C1 }8 {" e. T% y/ d
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 u. e! ]4 J! J
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! l2 E8 ~; g) H* N2 P( w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ P& n8 Z$ G( t' U# m8 t0 p* e7 hCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.& r; g3 M8 g, }, Z$ J/ \% R
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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