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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* C5 e! G! m& t- g我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& s; U- C6 c6 ~" w) e& d! ~* d2 V7 pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) Z9 Z f+ x* d1 A4 ] W: O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! `: d6 {+ e# f
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; A& H4 M8 t( w# X$ H1 C: d+ ~
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( O* l( }% |6 ~" [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ O& q, r9 B% q8 j9 o; b, B) r* k. `
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- s+ W6 w% e# a- |
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 d+ r+ Y& b. A5 A# q
7 X; l1 [3 G5 d1 U
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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