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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 }) N7 W8 Z5 N1 O- V2 u) i我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 Y8 k! f8 y1 P/ g5 y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- f5 G- x' |& p7 u* }. \, b J但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. _: y& l) }( d& }# B$ Q# l這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ F3 l% B% ?5 v+ B( x- Y a9 C& s都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 \" N" ?/ j- C' m( G( Y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' ~: }' C, C H" \5 }最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., `1 M7 ~4 i) f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% ~" I) h* @. y6 Q, G0 ]
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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