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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* W5 N: ]4 R$ |( d( t我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# X4 v& n3 R' j8 w i2 Y7 n6 hPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 u1 {. } q" S( H# v- r# r8 g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- c% g* T. B1 H" [8 |. r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 I* g+ Z+ @% G, q+ k1 m都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % P, f% @% h0 q" B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ \* J& _$ N& W; V0 p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( E9 n d) T, P. c& ^Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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