|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). I( i- H4 w. T! C
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- p, a5 {8 j4 l" k7 p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 H) J3 e! q* J7 F/ o" Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" \" ]' ^1 T5 P+ y a, i! N
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) U5 B* q2 r- b6 w7 y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 U- n5 `& R- y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& D4 k0 |$ `4 L/ D1 e' R9 s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: O3 d6 N0 t( M. P; @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 s! j+ t, z% k4 f: u
2 m: n7 G$ ~$ t7 w' ~' T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|