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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 K' s! g0 \: V0 Z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" G1 S/ E: \; R7 ~/ j SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 E, D$ K9 e. j3 H/ ?9 m) U2 H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& j$ p+ X. a/ c4 w5 i
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ t0 Q/ v- T( z L3 m$ R7 `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
% ? G% A& z4 F6 o因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 `9 R; A9 R+ J* b0 C7 J% v* c; U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& [, x6 `( }7 b3 L; M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ q9 _" G* ~, @! W0 n
7 X. B8 h3 k2 `, S: A: N; @7 W9 S% h( V
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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