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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是4 [& A* l0 a7 T7 ?  ^- {
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難) s+ A. Z3 W4 Q' p; W
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
# C7 I  s4 i5 d+ B  S須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' P* D; V& S/ m" r# Z$ r: C, X才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 m; g- a$ o8 p; V" y錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
2 ?  U, ?: K) I. ]1 r+ C, @0 D不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況, q, `8 B1 Y7 C* j8 Z7 }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。2 y0 I, S) ~2 [) z  c

" k! Q6 |5 ~% Y5 b3 @如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
. F9 B/ E2 _& m, a. u/ o' Q都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 h# n  p4 C% C我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 q1 y) Y3 i! S( K: ]+ \PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 t1 A) m* ?& n! y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 X+ k& N  R( B: f' a5 Q0 ^6 r% [  f
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, m% I" v8 o: I4 Z* [: @8 }都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 4 x, [5 w. D' c
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# p- b- a' r! g/ v/ O最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) ?  R7 ]5 ]% `: B( E& N' o9 _$ O5 ~Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.2 Y7 ~% u* ^4 |4 i1 c% d" Z
$ A+ C3 C( S5 \$ _5 S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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