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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 B1 s* G) u9 [: }) E0 J: N% C I
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 ]+ D; B( k5 r' `, OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ V; B3 ~ w9 G6 z* T但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 W& R: d& Y# q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 z% t- D# v+ G8 B6 w0 `; @都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ B2 F8 ~5 ]: ]6 _0 E q* S因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! W1 w' ?9 x. e* d最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 T3 z2 h' |1 K7 ICascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
! v9 _+ g% P7 A$ [
. G( ?2 u ?. U3 w7 b# G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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