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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' o# Y: ~* [! @
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 q. d, w3 c0 S. e# K* s& FPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
9 @4 C. D& X% ]) c. ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( i" B7 }' b8 V$ R這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; j3 t5 g1 t6 E7 B: P4 @都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ W9 y9 L1 i' L, r因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ P6 ?+ Y$ K- c最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 o/ S8 \: v. S% T' yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; \8 |) P& T% X. g( V1 F
0 b6 p* V0 z& {3 V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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