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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ l8 W2 c% u* j' q+ h我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; k8 K- k. b, F! I% N; U
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; X' ^8 M. b8 G* n4 ]: o. ~$ g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 p N5 m- V: x1 d8 ]- O這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; G) h5 g0 W) X4 ~7 [都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- G- j6 r3 u* V% S0 p: x- m因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 ]( ^/ S0 h: s6 Z0 [1 b0 w' D$ y% D最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 q( ?: u v, G- }2 r6 x: N/ kCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' n% u" `" A/ i2 l8 C, G* x4 r
1 x- _3 c8 o6 G2 z( A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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