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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" E1 P7 y% t; u% F& t' j& p- z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% \" ]5 a- M3 E$ T. O4 E+ W: oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 J. I; d0 V) J! Q7 A6 v3 r但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* T6 Q4 b3 c3 X" Z! n, l這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; F9 G) X$ k# y0 Z" \9 X都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 J' P7 m |6 X c0 t( h因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
U4 \6 E# H3 m- k1 Q" Y5 Q6 _. C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 u+ V0 A6 L% W5 Y( P1 ^
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# O. X1 q! A* ]9 w/ I% {
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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