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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
  m' p) V+ o3 z* h4 p' k避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難0 F7 d/ b' r' r+ I2 F% \: r
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必7 d: c8 h" @# i$ d
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ w4 m' O% l$ y$ t) \$ ?( w* {* v才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記4 J0 J' a7 h( a3 E1 }. D
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! t6 |5 a+ _! Y6 I9 T0 A6 E不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  m0 |. i) C2 M下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。* V, u" u5 a2 E1 d# J  c% s1 V3 A

5 p5 u# [; Q- c+ f/ g7 v9 E% D如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
. Q/ J3 a/ c9 j都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ }7 Y0 P  K3 a2 h0 w  K我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' \3 M% N# V6 c: z* E! XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, S: Y9 `# Q& g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# A: a' V8 q4 \! f& v# n5 V- H- T
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- _  B. d5 `4 }都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 _9 u* p7 P/ I/ b7 ^% C/ i
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 B+ ?, Z3 m! x% n最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 R0 ]* r) `' s" \# Y) ^  m/ |
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing./ e) U6 P  \7 P2 K; J# H
; _8 a" c) e; T9 v7 @: a1 i0 s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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