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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). ?1 I) y8 R. a1 ^/ e/ Q3 n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 }* `! L/ i$ a: Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 N6 z! f$ s, |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, l B) ]$ c; \7 n
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: t0 `, d4 a0 U
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 q% ]$ a$ |3 k6 G9 U+ X
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, N3 C* ]- ^/ ^2 M4 L6 B# ~4 Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. [- H, O) T0 S: N$ k! M# W& nCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( f3 j# O! I1 }; Z3 q+ k, I0 P) @! {, H% l; j
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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