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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! p9 D4 R1 S9 Q  P( C  T
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: T. X# T- a  \' W0 S3 G5 V了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 g3 _- {0 u% U3 a3 }3 F; x
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 s, Y; z9 q9 W; k才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" V- m4 h! z4 S: n3 [
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓' b) ~1 j1 {, U4 Y9 j8 @
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
1 g" H) \: D% G/ l7 ~下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。$ t& s. X! H6 I. l% @* N# q

  t  R6 M. J( b如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 2 M# A9 _! h) ]& J  }9 ]$ d( N& T
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
* W5 N: ]4 R$ |( d( t我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# X4 v& n3 R' j8 w  i2 Y7 n6 hPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 u1 {. }  q" S( H# v- r# r8 g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- c% g* T. B1 H" [8 |. r
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 I* g+ Z+ @% G, q+ k1 m都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input % P, f% @% h0 q" B
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ \* J& _$ N& W; V0 p
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( E9 n  d) T, P. c& ^Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' W' w" j( p; D! G) T# [# r$ \; q3 ?  t) Q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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