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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( d. d0 ]) ?7 p$ {, m( ~/ r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 Y4 @: `6 v2 ~8 h9 M/ q! v6 _; nPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# ~( h& a# m: H' d e( M% p8 O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! S$ i1 K/ P' z4 k3 y# x6 I* w
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 |) L5 z$ c9 y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
c5 T1 d; V; `% C3 D/ G- _+ B( P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 X/ N( V4 d4 c最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' \, o6 k( B [2 \7 tCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.1 P# u, w0 i9 y- w }8 i( h
) o5 ^$ \" u; B Z: B: A
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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