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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( j- a1 m9 J7 T x0 T0 @
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, J1 y! }* C3 ^. Y1 y$ zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# \7 z: {- i! K但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; d4 _/ j! a" n0 {
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 F, z3 t5 W+ F' D6 f7 C
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( O& S; k5 Q8 h9 E6 e5 U4 {2 U
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( p3 [4 i0 a( h/ \! z: x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
k" [. g4 U' QCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: R$ v/ P# W: g7 q4 \0 C2 L
3 t: p- }1 A. o" k7 ~1 i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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