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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ g& v6 A9 v; i7 p; R我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, t. x( y5 [ u Z0 D9 T" B, ?PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: ^ q+ l" q m9 {但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: p! J9 b' m4 X8 T# i這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ z. H, D6 c5 B, z- q' n
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 Y8 e, P. `1 x1 }+ o因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
x9 e2 J( L% G3 d5 c! K0 _* v9 Q" z最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( k$ q! ]6 Q3 P: O: ~7 z6 B8 E
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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