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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 H3 u, y/ E: k
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, v2 k: I Q$ c9 X7 U3 CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: ?$ ?" F" b9 a. u1 |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 B8 U8 w* \0 a, i# ^3 Y; [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" `& k, t* G$ q5 |
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 r: k* d: }; g( \1 w- c/ m
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" ?+ p8 Q1 ~* y8 S% y; z, w+ R. M* x, T最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 \ k/ Q! ^ R, ]" O1 J ], I4 bCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, q6 ^& a2 m( z5 `+ L) c) d) [9 u
5 n. R( X) ^& h4 Q) A* P7 X: V% g8 F2 m[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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