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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% A. c! A5 Z# k* {! D/ H5 U% c
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. m \1 [; [4 N+ B, o/ yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 F/ E( p( k' E8 c Y2 k) |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 }8 A& n y1 a- e3 G6 Y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% ^) S9 A [4 n$ r) P% a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. o* m5 j( g# z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
C9 B; S, ]4 }+ ~* v: c, \最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 H1 o' K$ Q) K; J0 |2 t+ MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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: `. M$ G. f W5 i b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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