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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 P! @0 C4 d' |! Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; K$ K+ `; n6 l3 K. x( j( F. ~( m: [, H7 D' R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ p& { r& B, d* V9 o# A' P) ?5 U但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 O- ^2 v, ~( f) ^0 x) v: p3 m這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 _2 ^ h* O' R$ O& p
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 W% p# u( l v+ J N! y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- m' s- `# m; f& B# C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 Q+ u# b3 T8 f2 z% a0 L& w" \
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
7 M+ I p9 _' e4 k& r* l- q8 R3 J4 Y( a+ J9 l* V: X7 G
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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