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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 `( e/ H+ _7 Q1 _0 V; K# R" w
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND1 ?7 a; J" I* ^' z% R8 o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, `/ N6 l7 s4 R9 l* K但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 V% s C: j# d! u$ j* Z+ P2 z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 c* o, V4 p% t都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 s- u7 |) Z, j; F8 W' y6 o8 Y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" c: N( T7 ? l% T! i! U
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ m7 Y& x/ s/ \' |( c% a* b8 KCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 o. i9 O o( a6 o5 M4 N4 h
/ @8 R/ p" S1 l) m8 P[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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