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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ u* W8 x: C" k避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 `* }  W/ n6 o. j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必8 O, r3 j! ?4 b! E7 M; l% J0 ^9 \
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區; L- p$ J, q; y( ~. p. o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: O) U8 c* ^) ~1 Z- }# [" i錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" g1 Y+ F* ]. }" i, }, \2 U不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況9 R- ?2 [8 g! R) R# ?+ d
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
4 |+ I8 e0 W4 d% J( V9 z# S
6 r0 @5 C1 n6 f* f6 _如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; k$ `( R9 g( e+ i+ _  j都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)  U7 {6 h" b9 ^' _
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 n* f1 k+ W5 K. P# t9 V* }& J  V
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 s. T: ^' u+ F+ c& O( s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& a9 T& N2 n4 F( |0 f
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 k9 \2 Y# n/ T8 Q% O% X
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
: C( T6 b4 e0 E# X因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 C) S3 v2 i* _: D' r
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% h" a6 q3 z+ A( J4 ~Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  H2 K3 N3 L0 G" X8 C
* l6 L: Z3 r; B- R- C8 `7 ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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