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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) C1 ~& Q! I7 @( ]7 M, r% h8 I我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) m2 Q& O9 H9 m7 F+ M. L' |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" ]. X3 X8 |$ v
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ Q% g# x; [* D* C$ H這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- d6 k7 X7 L$ E1 t+ G; ^
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 b4 V) |# G! H( K1 p/ f因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ C' f- \3 o$ a; I' v% m最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- y; q( N" H) X5 `- u0 D1 M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, S6 T5 s& h% C) V4 R
d: P* |0 h1 K0 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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