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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 Y, O4 y" l3 q$ N q% h: e
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# o3 A5 I7 g2 ]+ BPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* W$ d* a+ p$ Y. m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 w3 `8 E2 u- U6 k8 P* a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 p2 ~! ]* K% U$ h& R$ y& [都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ) k9 }5 q; H' _) z5 K, n8 [2 I" U% F' {
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% t/ k' z0 s3 I* B+ b) X4 y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ I& R! E! V C) z( C' Q( ~Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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5 N( j" J7 F8 j$ J8 U0 t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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