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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 [0 x8 W M4 `, n5 y) X我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% Z' c n& g6 x- v0 ~& H; s* tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 v4 r6 x! q( G2 i2 e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) W) z: ? Y4 a: L& h這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 a9 M$ q! w0 t l/ d
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; @2 o3 p! p5 m X M3 _2 V: j
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 `2 d* \" o% U( |
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ S5 U, ?, y# r9 N7 Z# v' h) j) ^Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# Z- t5 c# p1 h3 N* t- y2 C6 t
) ~1 P8 l$ l5 P. X6 {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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