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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& h) |1 b4 J6 v% p: [6 V: d( H我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 i A8 O1 D& I% p: B! }PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 v: W5 [% \: d3 {
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, g# S7 r5 ?) M4 X' K- l2 V
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 ^; ~0 [- Q/ p2 Z5 h
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, I% p) O+ U, D7 R* ^, q( H4 b7 B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& v: t4 F% Z9 s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 E+ }6 i9 }4 F8 _! {) y1 {
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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2 b$ J$ N6 O. n: R' U9 o; d9 Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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