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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 P+ F3 G, B, M4 ]9 r1 [( v% \" ^) A我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& X' l8 c, y( I3 m3 n6 VPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 @3 } j9 i4 R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. F% w1 N* k4 |, r這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 `$ ?8 W8 L$ X
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : F5 y W* q' W( x' Q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 d) z4 V: y$ |! g
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 b! G0 ~* w# L7 R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ b" J/ W3 h6 C5 h
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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