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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 B% R& f& R* s) G$ V
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; ~- {- O1 Y+ s6 s( Y( d5 T3 XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: _5 V5 \3 c' b. W+ V/ T+ c' A) n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ A! [7 a& k9 ?" y: \; J9 ]/ f3 d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ N6 @* W( T& {: M/ |/ R; R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ ? y- o! Y h4 g+ m因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! V( n. d0 b; e, e; e5 z! C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! z3 `) j& d$ L! m5 ^Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
9 F: c' i; x' s- v" D0 J" Z4 y( w. ~3 W/ Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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