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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 u/ a- o# d8 w5 X% s; X我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 A6 ^4 {, u# f2 v2 T5 n- d5 I
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! t$ P, G" {4 L4 l! F" c ^/ _但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* X3 u+ F3 Q+ Q3 c) Z( ]- S0 H# A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 X$ y- @6 w. R" P% l7 s4 a/ A2 R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! E- _9 y' L {) O8 }2 h# p z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) n+ [& ~" P6 Y0 I( B1 h: U# @
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' b; v. U0 C3 x; H+ ACascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 v) G+ o3 s) y
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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