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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是4 X+ A( M% V( H4 I! N0 d
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, ~" o2 S; _; k4 u9 @# w" M' y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 F3 F8 H; a8 ~9 O
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% s8 T- Q  m9 I0 f: G0 D# O才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
/ ?# n. j5 |: F5 g; q$ @. O; ?錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓) t5 x* \) |8 x  F
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
. Q$ n% c1 ~) m: @( e% c& c' A下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。' V* {1 |8 `) J% y; W

% @8 Q2 n: m0 H2 x! c& w如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ S" k: o9 k+ V6 S  i+ l6 {2 R+ {都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 L; M8 a1 c& |: W) B0 s* J
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! e0 }9 W/ x, O5 a5 k% p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 K% r- `  e- o, p! ^% q3 U但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ w2 O1 r) I- X7 }  X7 h6 F這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! X# W. Y: _4 ?& M1 G都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 2 c0 N) z3 M9 B* E1 E6 p6 t
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. Y% D, W6 n& w* I3 `最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 B. h) ?! ^2 S# R- w9 C( a
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& z; V2 O% u6 ~, a8 s# f
. Y. r$ v9 Z+ E7 U; k9 v* [$ a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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