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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* X8 U0 Y5 h# v2 D5 z& m. e, D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
k. r0 K8 L" K* s+ {PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 t; R5 i! R2 U- X) z" a5 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- ]! J1 ?5 c2 z' c這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: e5 {! ]9 Q, f2 B都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' |$ L( [; J% ]& g1 ?* S1 V0 w- w
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ O \, _. E3 b6 w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; d+ x0 w$ m5 q. xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 t% q8 c5 Q) r. f* S6 {( I
8 O* I [ x7 ?% k$ R; U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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