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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" G2 _2 `( P3 K8 Z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 W& U6 [5 v) w& }7 H5 L! DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- n8 C z; j8 l1 u4 W) Z: g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' G$ k) U# g- S$ }0 g, h2 |
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" d) t' ^6 _2 \9 \& o都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 4 T. ~" S3 o% K
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, ^7 Q- i& Y; H u- F- V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, o* m6 i! g$ V1 qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& ^# A$ ^: u" |$ Z+ j; b, K( T4 c+ T5 l6 G' E9 L% p) i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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