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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) m2 `3 `3 m |2 f+ `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 F) Y$ E# r" u8 f* [7 e/ U, F3 B
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 N0 E' }; K1 }% V7 G
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( Y( U4 m& D+ G1 [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 K* J8 q9 S( g, }" \
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * s2 ^8 w+ v6 J0 H$ c# b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: F+ ]4 U# b! ^' q9 p8 V6 i
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; ^: o$ c# ^$ O; L8 XCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* H- Y4 ]; Q, ?. \; H+ x
7 p+ t- Z4 T+ Z0 J. q: I* n[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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