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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ l8 O7 S5 O/ q& w; i8 b4 b2 u我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% H2 i- M. u0 W" B/ ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 x- i3 f8 n: Z# s# g% n9 R3 K但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) L i$ R% ] l V; a這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# \9 ^7 i/ P& e都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 D/ Y- t- K, ]& \) I# U9 n因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; z. ?2 [, ~0 S- w8 v% n7 Q1 y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 _' |0 m+ J5 p& |4 ~
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' W! S4 K. B- X+ S0 y, i4 z# B: E/ O, |: c" b( y- \. ?5 [$ h; `9 h: T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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