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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" E0 E5 ]( g8 N. e2 N5 Z) a" p我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( A I% y) }$ C
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! I. y, W* X- s" z* A3 b! O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 q) Y. l& R2 n, T. E
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. a* }4 k" ~$ s+ G! |
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input H' X" a" r# z# [% a
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 I8 r2 ?! K3 a# n6 {最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 V. l" Q- o. Q; ?9 {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( T% y6 I7 t3 a `5 n$ k8 s& W' L/ `* C: D: U0 T# Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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