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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), {% n7 y. t$ j, @5 N& p
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 d/ K* u [ y, c" ] ]. G5 cPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 F, W6 G/ ?" D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# g6 Y5 f" w' L/ H& w; W
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' @( U4 f5 ^5 }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" k* p/ `# ^3 k因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 W, q9 U- \4 w6 R8 u
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ g& M1 t! U5 v0 U, XCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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6 c* l! a: U! y; ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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