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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
% ^" J6 i0 h3 h$ y) U9 |避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難1 L1 o+ K- i: X4 p4 f
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& m* u" [8 {5 t" {3 G6 B* P( X
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 M  Z7 A6 o6 `4 x才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
2 Q2 ]8 `( a: I& {7 g錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 U; \8 a* |( T; \2 r不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
" z! L: X) K9 h" D4 W+ _+ }5 ]下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。6 y+ @( C. `$ o/ m3 H' W/ s0 V7 t

1 ~6 @2 L5 D: O, E- J如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 _. o  l, J0 x  ]  I+ U" U, r
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)* o1 l. |  j/ M6 q% h& S
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 U" s  F7 Q# u/ a2 X4 w1 D2 L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) ~5 C" w! o5 v/ x4 ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" m9 J+ i0 J6 g$ {
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 y- @7 J* E- z, ^7 `都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 D3 {5 b% K# z/ ~. p
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; ~9 C5 P7 y) R9 K; _, g
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% |0 w- P- ^, j/ g& }7 f) b# X
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 Y! x9 C! G; j5 l* Y1 i4 N
1 L+ t& @# Y/ [- ~! D* I6 Y) K
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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