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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ P8 O' k' K$ h% N8 p. H9 s
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. g) E. Z0 {+ I, @8 |5 V( t
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& Z* G7 ?' M& d2 g7 D& V
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ l* f4 E& z! t% k
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" k8 C; J8 W, Q% N/ ?: g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 s; S/ i$ p L9 f4 {" W- U8 A1 l因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ i/ t1 A+ l7 x! p6 j4 v最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 Q% l' K7 j" X! T" P. d# n9 O5 _
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( p5 v/ H" Q, F9 m `
1 |, ~1 U9 E8 g5 w1 H# M, ^+ ~' A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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