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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 x6 M( @7 w9 C3 R# e9 d
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 |2 g/ d, y, z2 J/ `PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 o5 E: l5 I9 O5 p1 C' O$ e0 _# N
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# W, c$ B3 o% ?! b4 e& x* D% g這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ y' I C8 I8 g4 @0 J$ H" }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 \9 l2 z) K n- F" Q, p; ~因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 E' K. M/ d% i U: k q0 t最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! Z' L9 E3 k" m9 e, L8 ]Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( z6 ]& A' B3 d4 d9 p) t
9 d" r1 o2 _1 k; w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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