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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( ^& i# [( \$ x: K. _
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, n' F6 ~, x: ^* [$ i% ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. w$ I. M8 M+ {9 C; K3 [
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! ~5 j' w, T5 h
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
2 @5 u3 _+ C `8 a- E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" c, f+ f" @3 i! E因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" x1 l& x, T8 h9 a9 E
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 i; [6 m% x/ Z2 Z/ u" f% O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- S6 A, ?5 Y% J8 ]! Z: ?3 Y+ x
( X7 I/ T8 Z" x& O( {. r3 V% D4 Q% w! l
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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