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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ n) x! ]' u5 B k0 D2 o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 E6 k- H6 I' f! i, O5 \PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 {& Q+ H$ X+ `+ K$ d2 f! O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" C- z) `6 i, a. _
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. t/ ?- m0 }. U都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 _7 [# ]+ j* g* j; N: e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: n, o6 A, R1 g9 R5 [4 A6 h最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 F1 Y m0 x5 L& \
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 D5 ^; N) q$ X) A: j. m) f: `
" a: v2 }' X, V; l# V$ u5 j$ Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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