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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是$ m( J# |& g- q2 e3 H8 P! Y  n
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
' r9 j! v$ u& t7 B. z. ~  @: \了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 K; z: u; p, }  R4 w0 l須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' ~2 p9 k) t  P$ M! {- q- V
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! K( U! h# }* K錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓& n" {8 O$ A& Z% L1 Q
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: F- m$ ~. T4 y
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
, ?& ^' J4 {* {8 r3 l# w0 Z  L: \; t3 S2 u$ g# D, r' Q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 D: e' b: M) g( {- G6 j都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer). [- i  O& B: T1 ]
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. f! {/ {! J, }
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& o# K& o7 p; k7 Z- O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  I' _9 p6 P4 i; {$ g' Y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! T. i$ @# k: W  x, q; _# n  c都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 9 B# c& A+ h2 k/ P5 q2 H: w
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 F9 H0 o7 o5 \4 O& Q
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* M' Q1 G$ j& DCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ C! K9 |  g& p( C3 |7 F9 ^* H5 o, ]. F. L+ Q1 l' R' h5 T; L# T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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