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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 {2 G- Q; ^$ n0 ~. C7 m
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; d6 U- a& J+ g3 A* N/ n3 _PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! D M. \( E" m1 Y0 \
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' _9 {0 c: ]6 M% `4 D; R, Z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 m6 \, W: | Y. F+ @5 {5 `4 \, q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 h# J: m7 l0 c
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: v) g& J% t% V# c9 C `
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 v* l/ M" \. B, O* V, f& B2 t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ r& E2 Z. P( Q1 f& s2 E3 W+ D! W0 E! v0 v9 g' w% Q- z6 d
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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