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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! T! v0 O" W/ U
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ g& Y- c. S7 H9 Q# c了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必$ e" N- s& M3 x7 G4 ~- \- W9 G
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 F8 K) n6 Z6 t" x- e
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 J. r  W2 R6 n8 w. ]- ]" V錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓; \8 v  _: q! ?: q+ X. b
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  `- S4 x6 H- b5 i2 R
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。! ^+ r3 G1 C. |( x3 }% s

5 R% }  \% A4 z3 S5 G; K6 d" T. R如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
2 r8 b! B1 ^. c- g* M0 j都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)! H3 x8 [' W9 Y5 |: ?0 r0 }
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 D: \, c2 a: K- r$ T. P1 H; M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 J- w4 \+ ?. h  c$ l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% b. p- ?9 _2 E# Y
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( ~3 H. e) j1 E) \  j0 l
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 7 m( T* K% u+ G! S, Z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- \6 J. e5 W2 O( W
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
  H1 U* j. u. x  a6 YCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- P( B+ v+ d2 U1 Y0 ^

2 v1 X) s- e7 z+ L7 ?# ~[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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