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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是# _& ]' `9 |! d1 M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 K5 C( t/ u4 @! r8 c
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& x2 P- p& N- v
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
7 Z: z. }% g/ W才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% \) h; K2 w& k6 E. y# K
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 Y( O& n4 ?( Y不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, C: R0 F$ i, M2 I# Z5 K下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
1 T+ J, I) G4 y
+ b& E6 z9 W3 Z& M' p" D, _; |, V如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. : H; a9 m7 P$ w  t  s7 \
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
9 s8 k# S' F3 o1 E- w  Z我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; u# c# J& t( m! Z# W1 PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
  m' e/ y% f+ P9 {但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; o7 D& c# f3 k$ F) l% C
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 R% i+ u4 p8 V  O% c- x% `! `都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 f- S8 h" ^3 \$ q) q9 c! k! V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 F+ x5 s  @  ]* P最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 L  P2 R: z) j% iCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
8 T! _+ X# o8 |3 ^0 X$ v4 o! G* S3 o8 A# N8 `& r% n
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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