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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' u! j+ E0 [' p( I* W' f
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 `5 G0 p8 y2 i; W; X3 _, Q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. |( N. X8 V& z' X# q- B8 H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 K/ Z8 T3 E+ b- d. }% H5 l' C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 N+ @; M0 {0 ~7 I7 |) _. w; A+ J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! Z4 d$ V- f$ V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& i0 L9 `' V8 e( s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ ?! G: |1 u v( B: O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 T) u% A9 d. ]- e, w
$ P# V, a; c; F, F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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