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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! |8 S1 g2 i6 w6 J7 H3 i6 f; d6 o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) { x8 d1 m. u* `3 `; ^0 {- |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* A4 L# S5 {& P- H7 e4 R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 l8 a( p% _' v4 f, g7 E# z1 R
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, a# l4 E& C2 n+ f
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
l2 h1 Z& t: P& M3 @; }" g s: M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ q4 E2 p& c, B" l8 N( `最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) t) U7 P0 w3 Y. _- l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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