|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" \3 f% u9 d+ F3 S" ]
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 o2 {. X, x" M' u3 R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 R2 u+ E4 f, s) f5 A6 k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ Z# d4 ]! T5 r! W6 W2 I
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* j- \& c0 R0 W3 W; ^. C3 | B
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * z( }: R9 S% l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! `3 @ I7 u2 I2 D2 r0 L最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 s9 Q4 `1 V/ S! e Y: Y* UCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ X& t C4 O; u5 \# r; k. o
8 K* U8 |; H/ D- N' H[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|