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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. `5 O7 Y/ v1 X8 t我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" w+ M3 C6 F: Y d2 x1 JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 s* ^; m$ o$ K C" r2 v( f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ g8 K& e3 @- ~( W這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 m2 A( ^7 V" k- l$ ]5 }
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 H0 g$ w" E3 x6 G4 v因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ ^% I8 I! d O) k/ U, C5 H& i
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ k5 A3 S" ?" v# |4 xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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! D7 [$ F, c# s9 Y. a% R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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