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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" d6 |8 P* `8 m! `. `我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 [8 [- u- k, d. p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 M5 L/ o7 D# v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 _8 M% Y+ ~, @0 U, V9 ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
F* u2 f. E" w6 G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 K; o% E& u1 X2 c( e4 D6 b" p! P3 T因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 f1 H$ _5 W) ~* P& A3 X- M最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( |: G# W% A' NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# a' I. _6 V% [. ?
. |$ A1 r d1 ?+ |% f9 C( A' C
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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