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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): ^$ B8 s7 ~# @: I" Q
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 S b, N3 b: j7 ]+ w7 S/ \
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) l+ w5 v. p O6 a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% Z2 c, @& E; ~( J( M, K
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% x' C, ^& J/ m- P都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 [. E! ?% i3 u0 I6 ]因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, ]! \* M! Q! o6 N, ?1 n, e最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) G! b m9 _0 F# }Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" z) h! ~, u( H; B! X
* _/ U$ p& i5 b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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