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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 L; M8 a1 c& |: W) B0 s* J
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! e0 }9 W/ x, O5 a5 k% p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 K% r- ` e- o, p! ^% q3 U但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ w2 O1 r) I- X7 } X7 h6 F這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! X# W. Y: _4 ?& M1 G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 c0 N) z3 M9 B* E1 E6 p6 t
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. Y% D, W6 n& w* I3 `最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 B. h) ?! ^2 S# R- w9 C( a
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& z; V2 O% u6 ~, a8 s# f
. Y. r$ v9 Z+ E7 U; k9 v* [$ a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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