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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* b* f0 U  }5 u* i9 f7 O
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 ^9 ?' n% W) N. j3 Y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* _( ~1 F1 a5 G/ b/ A" M
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  D- D7 B& `  X* ]才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* R( G# ?  r: I% W7 P0 Z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 p& d; x) z( ]: p, d4 P7 v不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# y" ~& }; N: k8 X. b+ W( c- O下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
+ d, p  n' V' h3 R+ E2 l( C7 K* k
% C& n3 j. k1 v5 |1 S; ^! h7 C2 Z如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / v; V( F: g! u1 y! z& B) Y
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
) h- `, o: E- ^8 _我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" d3 q) I) ^. p7 w1 G6 T! r. @, o+ v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 w  S, u1 p0 c. H6 f# X
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 }/ i" w% `) R$ Z. H! a2 C9 \+ }這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 E( h7 G! e3 o( S: q% k: O都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input . X8 k, P/ s( f  y# @: a
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 V  t, F& P( {# u8 f6 ~
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 ?( e) y3 u8 z, T2 ?5 Q2 U) q7 qCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' r5 e' j% L# C( ^) Q( n- }# t+ I+ {- E$ S* g0 x
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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