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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* p3 A6 l' U* v" {! a9 V我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) z7 ?5 `6 Q% x$ n- ], H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 J1 a! x) _$ _1 X5 g! [但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 Q% c6 p1 Q; M7 X6 T7 I這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, ?/ }$ R# w- }( g7 u9 a都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ Y. n) T% c0 I7 w+ C3 ^+ X* g: a: W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ n3 z' N& R+ F- k! g+ l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ ]' [* R1 T* i1 X1 q2 V. B) t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, e, b; S/ }; v& k5 l. K& R8 U$ q8 e& O& X* e8 {
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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