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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ n" t2 I' e# k6 k我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 E( |% B9 \% s: Z# E6 L) x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 j5 m$ j- _6 n+ c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; x2 }: U1 x3 h
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& d' F; r. a* g7 `/ y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' R" M4 b: D' E/ e$ z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# }9 s+ R Y: o
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; e9 n& ~" g o
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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