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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 f+ E' A+ v- F% `/ ~
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: v3 {6 R! Y" q# b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* O. M$ a/ `$ l Q; K9 F3 O- i4 v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( k" N( [( |) v6 m3 O% r這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& ]! {! e7 R' Q( R2 l都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 V6 W2 e3 A8 B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 c! D9 x% Z) o2 p* t
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# n3 R, e, `. X- ~% gCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 i; M/ e1 w- X8 ^
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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