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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! G3 K, u+ n3 S: s我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 f$ m# ^+ z, H+ T# HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) A* X4 y' {' c
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' Z* e8 ~4 n M
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. f; Q/ w* f6 [都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 q7 K- b; M' i& Q+ i8 }- a0 V1 M- p
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% w* _" \+ I0 w+ m' L最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: g2 R4 k2 i) [) V0 C! c: A! aCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" d$ \; L# E S5 T8 R1 [( o( V5 k& R" f7 v! y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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