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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ ]$ j. A: h! ?4 j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 P& y0 e5 h, ?& ?" Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ o, ]# _' p7 w& x9 i& p2 w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
m) X- |8 [, w: A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. F7 z' P( A2 Z+ e都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ |! G# W& S+ O D/ N* P, T# P9 \因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 B6 Y# a4 H: R r9 A最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 V; B$ i6 U( S4 l" MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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