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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是' r1 o3 d3 t( P+ O. \. m- Z% F0 V
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: m$ [) @9 ]6 i: Z: M2 T了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必  Z8 I% I1 N, m9 i6 Z2 q
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  m! l: I" J' p& ~才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記1 _, m5 f* f+ W" \9 w7 L+ t2 Z
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓2 W- y( m( f  r" V
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; p/ g1 M9 b9 z6 P. F5 m下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 d* F) E) W! b5 @0 V
, T  b+ |  d8 N$ j3 e$ H$ O如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
5 Z+ J* s" I: s) ]# k0 i都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)* C' Y  J/ i' R2 L
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 c; Z7 l" G3 `: H* L& c0 n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' y- q. c+ q2 G6 R8 y. k. Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) [/ v5 x, M( [( a* y! B這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 X9 |  M0 X. C' E* Y1 d* K都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input " w) [9 C- ~5 z: t$ u4 l6 i
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& r' z2 Y$ T* w; j- V  V, e) B最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  w' W( w  z& X$ i9 J
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing." }" \) }$ q- F/ e

1 @$ m: C: I1 v( S" N# L6 c- g6 \[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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