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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' w" o9 j! E! @$ `7 w" k2 _$ }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND z" ~4 M9 r5 ~4 r" L1 d5 h( [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 M& K; {4 ?1 W# j) I- _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 d+ R7 d* K, T2 `! B; M3 |) d$ o0 ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 K) v: u: f8 h5 x+ ?+ q9 A, n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ [1 \* v$ q1 ?- h因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% V) V- H1 e& N, K2 h最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! r. T/ [6 Y% m, wCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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& m4 R" A2 W6 w7 L& J U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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