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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
5 t; d7 X+ l( }' k6 b避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
3 E7 V. Q7 N% P5 }了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必3 A, a; c9 t3 L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
" p" }1 [$ W2 |( j才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
6 ~; j* ^( @0 E4 m- k2 s2 u9 ]錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
. w% j6 Q+ O# a6 [  ?- \不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
' s6 Q5 \0 x9 Z5 f+ B下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。8 d9 a% G  \& C. h+ m  }$ X( f) m% U
) v7 B3 }& V7 y3 P) K6 F
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. " `% s) @  Y8 V& |2 ?  K# p2 h
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
5 Q* o! }- ~6 s6 n我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 u+ u: P/ }  o" L$ b6 RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
  c( K9 w! m! o' j; i  o但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 f4 s- L. r' Y. \, [- c* @
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 p1 H  M" D1 Y. c7 o都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
1 u2 i* X. X* s% U$ ^因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重. q: q$ P7 G; [; ~9 I$ R
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' T9 T$ s& Y1 l% n. f6 f4 e# o
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
! C0 n! G" [/ {1 m; b4 X& l
: {7 e1 m# Y, v. K) w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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