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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! r, G* K A+ p! q s" u4 h( D
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ N3 l: O4 o @) S" uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( p% F$ H3 A! N* Z4 A! T5 M+ d# t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ t" J9 Z( K. e9 o( s* ?這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ l' ~6 l' A# d% Q5 R2 z$ e5 i都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" ~. `" G; ^$ d4 p5 _: m& {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, ]9 k @) T! y& b% O1 k$ v
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- D& z0 A; B3 o6 B7 WCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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. ]5 k+ i1 q, i7 {* Q( b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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