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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- Y" _8 L2 g p7 X/ g! Y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 g9 B" c, s- g/ v. \PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ E- K# X( O6 |& n* C5 I2 R但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; `* T8 U3 |- @2 H. j, \這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 I7 S7 }3 r8 K$ }( B! z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * t: \+ h6 k* c( r
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
M/ ]7 r% d4 f* J' w9 X最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) N3 [ E& \; v. g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." X: N' H; Q* c ]5 s" j
: ?5 C( W7 Q$ b' Q! }) y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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