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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
" l$ B- P  P6 Z+ p: o避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 m, k# o. Y2 g, z  A4 f
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
' @) c( x9 V% n須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區/ H" ~- M) s4 l& A$ o! _4 O
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
5 R' x8 f. }! T錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓- O; s* {7 _) n! G; x3 i+ b
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
. y! O& S2 D3 A* U$ T4 H% u9 w7 W9 g下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- M! q2 A% p1 A) \0 s/ }' b
" U7 L4 a/ H" W+ J5 p
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 ?8 L  X; p$ |- r' n都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
* X8 U0 Y5 h# v2 D5 z& m. e, D我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
  k. r0 K8 L" K* s+ {PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 t; R5 i! R2 U- X) z" a5 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- ]! J1 ?5 c2 z' c這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: e5 {! ]9 Q, f2 B都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' |$ L( [; J% ]& g1 ?* S1 V0 w- w
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ O  \, _. E3 b6 w最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; d+ x0 w$ m5 q. xCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 t% q8 c5 Q) r. f* S6 {( I

8 O* I  [  x7 ?% k$ R; U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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