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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 ^: ` G# d9 [( b4 a: E/ B我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 {" t; E, \9 y v# P
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 p. l: e$ W! g/ J但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! d, J+ F: r) J2 D, x9 H
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) m6 w" b4 |+ b/ |! h
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input / [* e2 w' L8 F! u# t
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 R/ d' r% r" `, q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 A; ?/ D# V7 f# QCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing. G6 s& W& J3 H9 j: G: _: X! b
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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