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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ }7 Y0 P K3 a2 h0 w K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' \3 M% N# V6 c: z* E! XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, S: Y9 `# Q& g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# A: a' V8 q4 \! f& v# n5 V- H- T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- _ B. d5 `4 }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 _9 u* p7 P/ I/ b7 ^% C/ i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 B+ ?, Z3 m! x% n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 R0 ]* r) `' s" \# Y) ^ m/ |
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ e) U6 P \7 P2 K; J# H
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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