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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* C' Y J/ i' R2 L
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 c; Z7 l" G3 `: H* L& c0 n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' y- q. c+ q2 G6 R8 y. k. Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) [/ v5 x, M( [( a* y! B這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 X9 | M0 X. C' E* Y1 d* K都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " w) [9 C- ~5 z: t$ u4 l6 i
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& r' z2 Y$ T* w; j- V V, e) B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. w' W( w z& X$ i9 J
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." }" \) }$ q- F/ e
1 @$ m: C: I1 v( S" N# L6 c- g6 \[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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