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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! x- U; c3 B+ Q5 L& x+ ]我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 c, g( Y, v9 s" |3 i# h9 k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 ~1 W$ o$ m6 W: }, P但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; l6 o+ y" k9 R3 `* ?- i& l
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 S" f) t! n( l+ X3 t, A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! m: ~7 S4 P! h2 @因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! \8 y1 P- {+ R: `: a" B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: B9 ~$ i9 |) z* U( j( zCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; t4 C1 i. Z2 X( K' d" l& [
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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