|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 Y! ] z) A7 t" M: B5 B6 j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 K& L* U! T1 i' f9 l; a; S6 Q' }
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 ]% G: Y3 Q# c5 }5 N, m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% Y" }" i+ h. x9 P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 x: K( g( S' S0 o; o2 D都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 d4 w& f4 }! ~. A1 G9 [因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ [: c2 q, O: P1 _ ]' G; k. g最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ _) u f+ U0 d8 J$ K% t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( i A1 ]& r8 l, @" {8 E9 F
* X) u# d' V( o# ~4 n7 m5 G
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|