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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ ~' I9 v: t+ ]9 R避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ h# @% W2 B) X; B3 D' L. x' u
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 C3 v. W- R/ P! E0 c須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 O6 [0 `/ [) t; X" r, n; i才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
/ L# z7 b# g% M! E7 \' R  s錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 d9 |! k1 r' W6 y# `0 e( J  h不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 F2 X  c, X8 F9 c1 [
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。2 k$ r1 P+ t! W1 u5 y8 r# Z
& u5 Z" y3 i. U
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 Q3 A9 j5 _, [' N) ~% _% M. b都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): ^$ B8 s7 ~# @: I" Q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 S  b, N3 b: j7 ]+ w7 S/ \
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) l+ w5 v. p  O6 a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% Z2 c, @& E; ~( J( M, K
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% x' C, ^& J/ m- P都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 [. E! ?% i3 u0 I6 ]因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, ]! \* M! Q! o6 N, ?1 n, e最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) G! b  m9 _0 F# }Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
" z) h! ~, u( H; B! X
* _/ U$ p& i5 b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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