|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 \4 Q! N/ D4 ^5 h: u y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 M" K e8 G vPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, n, M% |8 a' T( s1 Q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ D. I Z% N! u2 o* G* c2 C$ `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# p8 t U) w4 i: O+ `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + ^% \% Y3 g+ `) X5 p. r' l" h3 [& `
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% ]1 D7 L# N# I; }0 h, V6 }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ q" `; H {2 m' \+ BCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.& j; m6 G, g+ {! y
- Z8 h" f5 _" s# |8 {0 ]8 m
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|