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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
d# W9 w9 ^- q1 ?6 k& o h我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& S2 {+ ?) v, I: p( m7 H/ T& WPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- |7 j! H4 l* @; C) w& ^) L$ j- t% G
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況$ A$ M7 {6 T% }6 T0 F o. j+ [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 U+ d9 o- q9 N* h" P% I# F9 s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 h( X7 y9 a+ b7 K6 h, x& V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: z) R& O1 a9 T7 F' M+ C' [最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; J3 u2 d3 |. F3 K
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 E6 L- \5 J- R8 e( I% j
) T9 [4 Q; k1 c2 \( E [$ m/ E[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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