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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" y) h' A# ~! j- l, J
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( |0 V3 W1 Q+ u" mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; W3 Q! z. S9 @5 ]% r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 ^* w# ]2 q+ O, l! f
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, y" |8 r4 m6 c* p: m) L
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ J- C+ q4 [5 ^/ k) j G
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 u0 g+ j% C# L, [. q' i) _最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ \: [5 f$ l8 n/ |+ O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) X. k! w7 T: k
4 ~- N$ G6 o6 o0 H8 A/ S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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