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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 q, ]9 U! K' h$ T1 x! n/ f( E我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND1 B1 r7 E N5 {) E: x9 w$ @4 A0 Y2 P; E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 L$ ~- L! B7 j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ `5 Z% \9 `& h2 {& _9 n這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ z! d& I$ r2 |* T" U$ t* U
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 S1 ~+ ^. B* C7 B7 M. b因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 X6 m4 b. X9 A3 W- n0 u8 {最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 u% W( {4 \9 {: q& S4 f- r- aCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ S7 \) [ O. z# \+ N$ v# p6 K+ S
5 E5 j. N# E* f0 Z2 p/ I9 E
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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