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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 a ?/ \0 B% p; L. i3 t+ T/ E
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 C( d, j: O2 ~) IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
Q7 R- ]% `% k! g/ k2 n: }但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 \/ `( f& x0 L/ _' k/ e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% x! S; Z6 q. ]都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 b+ C' E+ z) Q( k
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 y$ n' b D$ x+ W$ M, ?- Z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' R0 }2 y( I3 m- r& zCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- a( G3 Q$ D# Z) T" g0 H- P2 L. U2 ~ J
" F/ \# \: w5 f$ u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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