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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* u3 g, B! S" {我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( ?0 v0 W. t* n9 \PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 A; o0 T1 M( X" T1 z2 F但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- A9 ]; y4 i; l0 b+ o
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; C z' t2 B9 K8 l% X+ E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ a; J0 C2 x- Q& }% v3 {- ~/ ] V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. g3 N6 |0 x1 E# j0 Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; J# x: S! X) a% [. ECascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" o, @3 G1 j* {% U. n* Z+ ^/ J( W1 m
, \, q2 f/ Z, ^! l+ H/ P6 f5 Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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