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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ }* N$ [/ T. X' ?# j* D$ D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ X$ Q! H( S' rPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ @" n ^5 o) F$ F1 d9 n8 U1 {7 m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 ~2 }$ A2 k: }7 \9 c, X1 Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 h+ o1 m* v8 r8 u/ h" C5 R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) c. z( X' E# w a因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' u% c2 ?6 G+ v$ Z3 L0 Y6 B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; q' _2 _2 \3 c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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4 _! A% X+ u, I, W1 C[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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