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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! L3 ^- o: i0 ]- c( Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% ^4 `/ e( S7 a) m, a; OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" u+ m+ \5 t* |8 a) x1 Z' I( X
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 J9 d# Z _! R這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' I3 O/ |& r$ |都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! H6 s- X [5 [# i2 C$ Z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ @- J, K" t8 p3 z6 {1 m+ n }: s5 a9 e' D# r最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 F1 \/ I9 r; `6 J2 _/ c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 u! @! G7 ]2 I7 B# p( |& o5 Y
U; C9 g6 l; Z$ m; F, P5 ~[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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