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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 _$ G) c) F" r4 R. i& H
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 s+ d- f4 @- h8 d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) W4 K3 o+ {3 q( f& W* O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 f7 ]: _3 N0 L- J" J; x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! ?* o1 x$ C) P4 E3 o
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( d( l- ~8 a( w. V9 ]6 ?因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' E, r& m* v3 k- D% {8 b; G- _最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 _$ l8 u$ e! f, c. C- p8 G
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& y; o+ k* I4 A: q) m" l% `- D3 }3 j- ]) `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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