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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ F# h( t$ @' _* B* |* a: W1 O, g避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 I% `' ^4 ~% d6 i% ~7 i7 E
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
+ X# L  C- V' E2 c. T) G須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區/ H  b' p8 h  t9 r; J0 F1 f( j$ `
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' D+ p4 ]( i& A錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓2 ~4 ]& |6 u% ~/ E
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  D" H- G+ y: j* k
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。5 _( E! h+ N/ S% l- R

4 M% `& _: M5 M6 n, G7 _; x如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. , p, Q9 k0 H* U- S5 H
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ S  f8 }8 N" B. {7 C3 |& Y
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  o* U* E) S' c! n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 |1 N# a( _' G$ q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' Q5 @2 x( V; y$ }1 x# l) l4 j這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& m) @: c* }* L2 r, r% {5 @都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
1 c. n. k9 b3 X+ X. b因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! e' p) J+ F, w0 z& n+ t
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 \) b7 n7 P) D) BCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ C) ^' [  S4 g0 e# L! |" k2 ~
9 K2 i0 C/ s; {" t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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