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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是, D8 Z* B* Q* w- R3 U
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
' g) S. }) f$ t/ \. u% a了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
% ]+ J: P! b+ d- l( ^  f( \4 j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 j/ j6 D, ?, l+ y* T) E才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記5 E& P  m; r" V
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) a- `/ p3 |7 B0 c. Q, T( r不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
2 ?5 d! m! l* S! V下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
7 V# ^- H3 X+ g
# p" Z5 O0 F  g/ W4 M/ v. x& ~& z3 ^如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 E- L; x: F  Q! a* ~6 @. y' P都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
4 ^5 q1 J  g3 S$ [2 O我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 m9 q/ {& L3 s, R3 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 [9 V8 C1 H& m4 ?1 v2 P8 W' |) ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ h* `: Y2 e. a. S4 F6 I/ Y; P
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 T. c9 j+ D9 X$ Y: W- }都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
( s" z- Q& r! K$ Z; O因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 B- x% _: p- q! F& `2 y! e
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' W; m2 S6 R) q9 l0 b
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 f  @, f$ r+ a- ^4 U
3 R: w# _$ ?0 C' W/ T1 |
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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