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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 T9 h+ o! F( l& F# |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) ^6 o, i$ }! y, ~0 B* _$ S$ C" KPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ W4 B9 e/ u. y; H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 _5 q7 U' \; I0 F0 |' W5 L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, _# V; X( A: v都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input M7 Q) n" b2 Y% R/ n' v4 f
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ \- @* u! u$ B3 J: G9 o7 E$ r- f最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% S0 m* W& k! X
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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+ p" M) e" a1 E- C[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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