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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! n. E" r Z) P' ?
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) A: o. j3 l, tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 j/ ^( V9 E7 ^* Z5 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: \* v6 ^! V0 z9 @
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 P" Z: z% L6 `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 V4 u. ~' K0 O% q! c
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重 T8 M( ?8 F z ^: I j
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# H- j& g d, n; b) s1 W% w( s% DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) G; _- T0 p' T% ]
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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