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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
! M" ^7 R$ c$ P; M3 |避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; |/ O. t- s- K0 g
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) O  X4 g5 R9 z6 O( a須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
7 t8 W5 A  D* z) r. [才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記7 g% r( ]! R' X3 q' m
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
- p; k) [% w" h0 i- M3 n  f不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況# Y/ Y. S$ |; ^! O
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. B! B1 a3 h" E# }
; p+ H; F1 }- N1 s) ~如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
# o+ ~# M3 v  x6 v: J' |) ]% O都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)/ V: {# X! C* M) S) r% P
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 u2 q2 b4 k) g' e  JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 o8 N. T6 e  `: @$ R& ?7 n, ?) Y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ s% E# i5 U9 B( ^3 y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 h4 a7 P2 E# L都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 Z: o3 M" }% Q4 ?
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; N% z  F$ r0 T2 Y; J最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% _- W4 X3 @5 M! F- |0 ]" KCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
7 T* b% r; i1 x; _$ c0 I! Q
* X: i! }) x7 B& m6 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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