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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* o1 l. | j/ M6 q% h& S
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 U" s F7 Q# u/ a2 X4 w1 D2 L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) ~5 C" w! o5 v/ x4 ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" m9 J+ i0 J6 g$ {
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 y- @7 J* E- z, ^7 `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 D3 {5 b% K# z/ ~. p
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; ~9 C5 P7 y) R9 K; _, g
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% |0 w- P- ^, j/ g& }7 f) b# X
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 Y! x9 C! G; j5 l* Y1 i4 N
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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