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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 x! }% b7 p8 x+ \7 [5 b% ?我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 R; r5 ]; j) R3 V
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 B* n, v" \6 b' K8 P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 a. m& t9 i6 {* d' E
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. I9 L3 F5 J- q, Q& A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
5 u2 C0 O; O' \& e5 c$ m因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 N0 n, W3 c% Z- O6 R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% ]3 u7 H5 X/ ?
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 y, l6 @( f, M% Z
. L$ ~1 J% j) ]# w, n( o3 U7 F[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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