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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* q' ^6 z$ d- q8 r9 S0 w' f我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! [: v& G. I7 PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% S8 z& m( P3 C" W/ i
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* D0 O. l3 B- Y5 ]4 I3 F: @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 k# V& g3 J" ?6 `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# j; J8 c. e. r3 m* [: u: G' M$ [因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) P u2 `$ A- A/ V8 |; h
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 ^% {% u: i% s; L6 E% r( v- x1 N
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ S& ]1 L, F1 D) C- [
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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