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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer); Z8 [: {1 N6 F- f5 C) t* }) l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 g2 P) ]* i8 [' \) q4 R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; d; D* ?: b2 |# R P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
L( L1 S4 R3 e1 B: P這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 b7 W% v3 t2 E" C+ z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # X* k) h9 I& A1 K
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* ?: a9 S0 n2 z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 C# N' z, w/ y! {7 ?5 |Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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( u5 F! J- Z( g8 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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