Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 17478|回復: 4
打印 上一主題 下一主題

為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是) N8 K* S) r; ]  I8 \- \6 x- z6 O. M. h
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
" ^1 l0 W7 d# N1 a0 E. D了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 @% i5 K8 M# t$ \" D須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區3 E) [! F2 }+ O* h
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記; r; D1 _* g8 g& `( j
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓  ^+ _0 S. j) o8 S- T3 \
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況& d4 `+ j1 m" r$ k+ V; H3 T& `
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。$ E& M2 ~+ \! {

1 O& x# a8 q. P# K9 k$ H7 g如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂3 踩 分享分享
2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) z# y! O( i) e% A( Z7 r都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer), {% n7 y. t$ j, @5 N& p
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 d/ K* u  [  y, c" ]  ]. G5 cPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 F, W6 G/ ?" D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# g6 Y5 f" w' L/ H& w; W
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' @( U4 f5 ^5 }都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
" k* p/ `# ^3 k因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 W, q9 U- \4 w6 R8 u
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ g& M1 t! U5 v0 U, XCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
" L7 K" I* R% \* I& m' H
6 c* l! a: U! y; ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-5 08:51 PM , Processed in 0.156009 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表