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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% n6 v( }# f: P- x* G* p s2 }5 E/ o$ s
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* @" s( X: ^! u* |# z C
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& i4 \; c- n( p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( R* l- ^" D5 V4 i4 H. P* {& ?& z7 _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: ?+ P" | k+ x& V7 f- m都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ) ~2 S" y1 _8 ?; O" f4 D
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ } x" d+ i; \: i3 N
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 ]' t' C+ j. T6 P! HCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' o" z) P- k. r2 ~* h) P, ~1 Q- v _# V
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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