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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ |3 Q& v, m$ l S5 \
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. e& L) e2 r* V7 B& \ G8 XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 ]5 v8 D% u2 ]" P: r但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
l6 x% X+ Y" [) \9 ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ V6 o$ W0 _/ k都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. Q+ Q8 d5 P1 K- |+ b* J, R8 [因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ N" U, J: x, f6 ^! Y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( Z4 Y! V/ _5 v6 U5 f3 D
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
. g' [/ E" c- F0 U, |$ e
$ e. m; p0 L) c3 h9 S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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