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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 }( m' F, P' W* v- ^* P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 S" D4 x" `" Z; YPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& X4 E8 ~* q; a8 `( Y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 T5 s5 \- B4 ]2 Q0 ~這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 ^( c4 M" f- T& e* g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input }7 ]3 e( n* @! d, _( z: c4 J
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 ]. U7 a, Q/ n6 e2 _; u
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. b6 d" S, ^9 Y0 g9 N+ V! Z: V8 k! k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% h( y; c) ~7 E: Y( T) ]. G* W" r* C; m2 [) H
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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