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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是7 i* |5 o4 j# R9 d* F, ]
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ C- L: g. Q# x/ }+ f
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
! }+ }/ s" G5 I9 r3 d2 W' w; _& Z- T須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
. W/ I0 C% F; g9 @才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 d/ \5 F2 u1 P+ I
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) y8 F( w, x, A1 K不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況- X( F+ U& K$ [$ T& W
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 F' z+ e+ T/ [1 H0 c0 l

+ G$ |5 m/ G7 T+ |0 ?/ G2 N如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 1 A8 B% R7 Q' o$ x7 g. s, ^
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)2 k& N! T, x2 q7 s# F
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  O- Y$ P0 ~3 G* c& O; R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 k! @- T4 j8 @, K  W0 q: s8 B, v) E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" a( E$ s9 ^% c: y5 |/ u這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 [, A6 t% w) G6 O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input " e' s5 P" Y( d
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ j, D+ ]! n( l  y最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) S& s# T( q8 `# [5 G% {* n
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ {' A6 u4 b8 g+ f7 @5 ~+ V9 a9 t" d! X. a$ h+ C# I1 G/ {# ^
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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