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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). q; N: W- V. p: F9 K0 ^5 F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 K2 r& y I/ M$ w& v* k K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 H( g9 Y; A+ k% O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' v' [- T4 R- ?; @$ u這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# |$ Y* e& w1 j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 d0 U0 Q: J: G1 Q# `& r: T5 g% ?
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# ?/ m! A( B1 d1 o( R& U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' j7 Y" P1 \, \9 {- K6 ^( h
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ n% M' m, M$ N9 V
) Z' F- m) s' T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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