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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 p% c; D/ {# i* w3 c& x G
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- D# k5 P9 ^. ~: qPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: L" {! q$ m) ~7 u7 I: |$ q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# Y: ]% W. z# a7 E) j% S1 U
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) F. z, p' S9 D9 [, n
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; _9 G, C. I. {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( o5 o o) k N3 Y9 n, c. Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 m5 W3 v0 p$ y: c2 [9 g0 uCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' k9 v6 R$ b" I: y( ?/ m6 D
( i; ]8 E. q) {5 E[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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