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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): C }, b2 T* S
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND8 {: C9 [% M% X$ E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 N* R; e* G' s( D" V2 V" O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 _9 N: z! Q0 n# q0 y g/ Y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: L/ ]7 X! {9 N$ [
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
' A6 r4 x2 X* T" M/ `0 o1 I因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" L: G8 @, m2 U% _* ~. u9 D
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ R+ m. P( P/ v m9 z4 |/ w
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." f6 P9 Q" Y- @, i* h
. ?3 z! H6 n0 f7 O/ R# U
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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