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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 e0 F% k/ w' ^3 R5 n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! e1 t. G, q" {6 Z* K( j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 H' P n# h" }1 u! ^" b. v
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# I, _( c2 o+ O" K+ {2 w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 ]: U, t1 Z/ H6 m7 x& [- d0 f
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . i1 C7 s- B! A6 ~( ] e0 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 z+ G5 \2 q% e/ G, K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; ]5 f A1 c0 M5 ]# @. B: j( GCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing. @8 ?! S/ K* H8 \; P8 t
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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