|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ j8 B# [% i3 }7 R
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* m& U* d# S( d5 z- m) E! ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ c' @/ u& i* o# W" K但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; r C- T; Q$ |' B4 \" s這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ a7 ^3 w: v2 Q5 H( D4 U' m& P( r, v E
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" g$ n% j1 P' m4 e- W因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ V+ i5 }" ]( y3 J
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 D- r5 w7 ^0 o3 {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; T2 N @5 Y+ L+ A' f# m% M' v [, V5 }& c& ]! c* C
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|