poly fuse 大約多少能量便可以燒斷?

徐文浩

假設條件W=0.4um L=0.8um 請問一下Energy = P*t , 請問t大概是多少呢?可否有高手有實際例子可以佐證呢? 感謝大家!!!
3 V* `4 x) S7 t! j
以下是 Fuse & Trim 的相關討論:
poly fuse 的問題
e-fuse?  
$ ^" h0 c- d& W! i* @7 C: l如何判断poly fuse 已经blown  
0 s* l0 i& t  a  D0 S. X+ {8 \( F/ P有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  
Laser Trim
0 d- F4 q8 f: H3 c9 w% a做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎？  
Trimming method?   
  ~* N- d" \. u- a' X2 u3 n7 ~7 {Current Sensing Resistor Trimming!!   
请教做laser trim的注意事项  
4 m! }+ u  |: t$ G' I( F5 gCurrent trimming 要如何做呢?  
4 C& c: q5 i9 I% L* X8 ^, Q

! v! B% v9 }. \' u4 i* o* H. |. ]

6 v; D" E2 A# u: A. j[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:40 PM 編輯 ]

徐文浩

我是指一般0.5um製程的漏斗狀poly fuse, 現在想要知道會會燒斷的臨界能量大約是多少焦耳!如果有例子可以讓我估算一下的話,深表感謝!!! ^^

kevinc2000

我已經有很長一段時間沒接觸這個東西了，但就我的了解，polyfuse是會跟阻抗值有關，當電流過大時，會因為本身所承受的功率過大而開始發熱，而分子就開始變大，阻抗值也就上升，到最後就呈現高阻抗狀態，只會有微小電流流過，等到狀況解除，本體的溫度降回正常的溫度，阻抗值也就跟著回復正常，當然也就開始正常開始供應電流。
簡單來說，polyfuse是個可回復式的保險絲，沒有所謂的燒斷的問題。當然它的準確性也就沒有一次性保險絲來的準確。

HZ徐

我找到一篇論文 跟這個問題相關性頗高
6 y/ ]; y+ M6 h' ^. @論文題目是
: a% n% w0 u! q% l3 J2 ?) \( {1 ZBlowing polysilicon fuses:what conditions are best
如需論文可以參考另外一則問題
4 L+ K8 u$ ^, ~2 T& K, s如何下載IEEE論文??
so....
結論
& T& I9 @' M# H4 iThe experiment condition is:
9 e1 V2 b$ n6 G& _8 _, T0.6 um CMOS process
1500A WSix on top of 1500A N++ doped polisilicon
# D5 R* z; y+ Z& E0 H. r3.0um/6.0um fuse were blown using a 400um/6.0um NMOSFET

20M Ohm between 4.5-6.5V
! ?1 I  S- T% F; w- \0 @5 J7 Y7 A9 sEnergy of melting~0.13uJ
Energy of open~2.0uJ

mycmf

這觀念並不正確, 考量PolyFuse的同時必須考量製程合金狀況,
PolyFuse可熔至Hi-Z狀態, 亦可熔斷使成永久性破壞.
: q3 W1 p) d1 r0 `* j/ h甚或於Hi-Z狀態時, 經溫度調變再產生阻態改變.

hyseresis

Blowing Polysilicon Fuses What Conditions are Best.pdf
0 C/ |& q2 B3 v
3 @: ~6 S" X! J6 _1 L給大家參考

hyseresis

原帖由 hyseresis 於 2008-12-3 12:07 PM 發表
, Q8 u. N6 N; H; mBlowing Polysilicon Fuses What Conditions are Best.pdf
+ i5 \" J& }) D2 y# [BLOWING POLYSILICON FUSES: WHAT CONDITIONS ARE BEST?
8 X/ ]0 D) @2 K- A8 A6 M給大家參考

ABSTRACT
9 ]6 u1 N9 e9 cA study has been conducted to understand polysilicon fuse blow
mechanisms and determine optimized blow conditions. The
correlation of optical microscope images, cross section SEM
(Scanning Electron Microscope) images, and electrical waveforms of
. F0 E0 |+ `9 B5 {9 p5 A5 Q9 Xfuses blown at different voltages revealed two different blow
: i( {4 ~7 Y8 K* fmechanisms. Furthermore, SEM images of fuses blown using
) g* r& E$ j" M, c3 T  `different pulse widths showed the physical changes of fuses during
0 X# W8 L% m. }' P5 C* p/ Cthe fuse blow process.

: Z$ v9 s4 e3 O1 h+ y: D) G[ 本帖最後由 hyseresis 於 2008-12-3 01:18 PM 編輯 ]

emcamos

幾百mA吧
: {8 F: f( ~2 x7 z* ?( I6 E* C一般的使用好像是force 5V(另一端是ground的話)就會燒斷

dyjguilin

有没有什么model可以仿真啊
+ G: R. s2 C; Y- ~如果只是凭借经验和一些文章，感觉风险比较大哦

kukyxu

jinddian de wenti
- h+ X( x, S9 A8 Q3 f" l
bucuo o kankan

hehe

wissen

感謝大大的無私奉獻  
讓我們對於fuse的知識又提高了一點

seanyang1337

通常Foundry廠若有提供，應該會有資料可以知道吧~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

bossen777

謝謝大大無私的分享，感恩

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩

JUI

徐文浩 發表於 2008-3-5 05:54 PM
! e) s( b/ D4 t8 |, e. n**** 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽 ****

深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝
$ \% g: A8 n. V  C, u5 c' _

JUI

HZ徐 發表於 2008-3-11 05:05 PM
我找到一篇論文 跟這個問題相關性頗高
論文題目是
Blowing polysilicon fuses:what conditions are best

% ]1 H. C1 I) J: O9 U7 y深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝

JUI

kevinc2000 發表於 2008-3-8 11:45 PM
我已經有很長一段時間沒接觸這個東西了，但就我的了解，polyfuse是會跟阻抗值有關，當電流過大時，會因為本 ...

深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝深表感謝
8 o1 z5 i. E* X3 R