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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
6 a* v6 {) G0 K( ]所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢: M& ~. E. z+ B  R4 H7 ?
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
- S6 }. a. l; b9 O- [: G/ _
" y! P0 n1 {# U( T" _, r- ^
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
- a2 g/ Z# s, M) p: q你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
. \# n9 m/ B$ g$ d
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,9 I8 S3 c2 }. @$ f
: O# M- t7 i4 [
至於說要怎麼設計?
, \' W' O1 ^3 C- y' ~4 F% V# j
" y! v, r, F" e3 ]7 k. h& i通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
" [$ d7 f1 |/ C- W- n2 B. l% @) f
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
% n5 ^# A% k) r# Q2 ?; R% u
2 W) Y0 n0 m& G5 Q! A1 E  m至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說$ k& u. I  {& t, R
不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
! N2 |! k5 X2 H8 Z, F) {% U+ q6 e但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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