8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品
8 d8 w7 }/ b% X, v7 g7 H/ C' U
. R8 h  U2 o0 N* v1 D(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。

+ v8 I* ~. G2 t& a7 m快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。

主要展品

9 b! _" [: a: f. y9 A2 H$ Q. P5 b1. 企業級固態硬碟(SSD)：

2 g$ `% h; |3 ^: z企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示

6 b. u$ l/ i6 y' P2. 用戶端SSD:
* `; {0 t4 q7 [" X
' g( q& _* S. Y: C高階用戶端SSD HG6系列
( L& z8 Y: o: D& |1 M$ @* yTLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：
; E* G* A  h! ~2 U6 T& Z5 i
7 w* P( ?. k5 h0 `嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
5 d6 G8 e# X1 j# C& u* X* E記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM

- C( }, }( h! z; i. P2 D% T4. 企業級&工業級記憶體：

  F  Z! z4 D! s* B$ P7 r, Y$ z) T( ]5 fSLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片

注釋

5 Z0 s' o9 |2 f, O; o[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
6 |& \& o& R# x& ?  c& L$ ^[2] UFS：通用快閃記憶體
! V$ K3 ]! ^" f4 g[3] SLC：單層單元
& k7 S! b4 [* j$ B[4] BENANDTM：內建型ECC NAND