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有 froundy kit 就用/ |9 k& ~6 g( d a# g: e1 L& u
畫的 每間蓋的layer 也不一樣7 f9 P$ r7 c. ^4 I
廠建好的 製程try過比較沒問題
( i, p3 A2 N0 S m7 {5 q/ E
. y3 b* E8 ~3 O+ {: Y, x6 |自己寫一個spice model 容值抓抓看
% Z- X& Y5 F) U7 Z
2 g$ X' m. t; |# T- r/ OMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,, m& A, b7 D2 A2 b. e( _4 N2 b
可能任何工艺都有这个cap,
2 c$ V% S4 A9 R1 P0 i( W4 L5 T9 D; P. l+ N# F. e
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
7 j, m) v, R# v由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
. m, T$ M' P) J; v2 O% Q5 v* PMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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