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有 froundy kit 就用5 n& A+ d# d1 X& c* P4 l- ?# N" v
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
7 I5 ~: }, k1 m4 |* x廠建好的 製程try過比較沒問題
~8 M" O) k1 ^7 z& V* Y7 K9 q$ C2 N2 f) l+ F/ Q. ?
自己寫一個spice model 容值抓抓看) z, K2 S% l1 W
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MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
0 M" [7 }+ \' ]/ Q& m/ c! ~1 V可能任何工艺都有这个cap, , V4 a# j( s! I G5 r8 P( H
7 |; _. ~ N, {; i. {8 xMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
8 V$ C* Z/ E1 M' g! r* o0 u: x由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,* h& A, P7 q6 t' z# F# l
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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