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有 froundy kit 就用
7 A! _) U! g( n; N! o9 u畫的 每間蓋的layer 也不一樣, b$ `. T# V! I) c, S/ @8 V* c3 W
廠建好的 製程try過比較沒問題0 b2 o7 g, v; P# \# ^$ A
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自己寫一個spice model 容值抓抓看
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MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
, V, X+ ]- a, N9 z. q可能任何工艺都有这个cap,
, e' R* U8 F/ z2 _* v, V) q% ^! @2 O
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
H, l1 E6 u+ u9 C8 Q8 D由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,, X U5 b$ b; z& P0 a: I
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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