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有 froundy kit 就用/ W9 J: f! M; `/ W
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
* ]3 \4 U! q" `& A0 M' z7 h廠建好的 製程try過比較沒問題9 \ A% }) t( c2 s! u
" _, R4 j) Q1 j$ c' S7 Y; y自己寫一個spice model 容值抓抓看* ^/ @7 o2 l- u& I3 e; X2 K; n
' x+ s9 J- Y5 S* _2 Z/ e" T, `
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
$ r+ H9 U& Y. Z, w7 K: p7 t( H可能任何工艺都有这个cap, , h. b- i$ A7 d! t% S. j
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MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
; g- h) l+ l3 Q" Y: w4 _由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
, g6 h# c2 @1 hMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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