有 froundy kit 就用 ; S7 p" F. e9 ^% D; i畫的 每間蓋的layer 也不一樣1 o9 d3 Q; J# K' W
廠建好的 製程try過比較沒問題 , F+ Q, a7 M! ]1 r+ ?& S ' L# Y% k% t5 a6 f) [/ s0 k自己寫一個spice model 容值抓抓看 & p& R% o5 O D+ u) K4 b! g 7 j$ S G& ?8 F7 n/ ~MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap, & `9 F9 y* e' X* Z# M7 w5 Q+ i. V可能任何工艺都有这个cap, d6 l! E8 w& i+ r9 m% I# M
# l1 R f* r! Q) |MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,5 S: p0 p' C. s% Z
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,& r. p% N& L3 i- d1 P3 z
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍