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有 froundy kit 就用
5 U; J5 i0 R: D" u1 y畫的 每間蓋的layer 也不一樣, `0 P0 i2 B6 @: m8 o! R3 W7 j
廠建好的 製程try過比較沒問題
) H% s& V+ D; V: n) _& B+ `7 {0 o3 z3 h& W, H
自己寫一個spice model 容值抓抓看& i, W! _1 Q: A) `# ^( U# U
@ g! d( b! H
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
$ K5 f+ E0 p) t& P1 b% k可能任何工艺都有这个cap,
2 b: @: c% h4 u g$ P. k
, U+ F# f! K. }3 G& _3 O9 ]MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
- L; i, f; ]" y7 }5 F由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
+ m3 A7 D( _5 B5 s S" C8 N8 dMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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