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有 froundy kit 就用/ Q' o6 m, F- k& r
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
7 n! U3 a" ], R+ D) h廠建好的 製程try過比較沒問題4 G& @, y. J) S+ ^3 U# H
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自己寫一個spice model 容值抓抓看
* ~% C- Z, a: F. [* z4 |% z- S( ^$ Q% Z* D; h; a" Z* _6 ^# k
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
' M, F- p6 v2 P. M& f* O可能任何工艺都有这个cap, . |5 X; o% S3 h% e) U* ~
7 a2 h) S1 m: S5 i$ lMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
. N; r& C X% m+ z5 U由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,$ o5 b/ g# V+ k2 R; \
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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