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有 froundy kit 就用
" R) X$ i! Y- d! R$ y畫的 每間蓋的layer 也不一樣
- p5 @6 G6 J: H6 ^- a* W5 `廠建好的 製程try過比較沒問題8 c5 ^) S9 c4 y8 z. x- z! w0 X
, U7 p7 G; i7 H+ Y# {- e% v
自己寫一個spice model 容值抓抓看# p) ?" Z* f) a0 Y7 N% y/ t
+ q2 Z, `# L6 ]$ m0 x+ sMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
0 e! R1 F8 b7 L E* ?: o! O# H2 a可能任何工艺都有这个cap, 9 ]$ i, s5 o. I+ T3 B
, K& K! T( Q# L$ v5 l* b" uMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,3 ], U# p L/ t
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,* F/ f: N G) z9 f3 R4 _3 l5 R
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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