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有 froundy kit 就用& }, ]0 A, e1 Y$ ?3 l; K( N, k7 _
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
* o+ g/ w. M$ c) r廠建好的 製程try過比較沒問題
" q# R+ _9 `1 y2 c% P' z* t0 p4 A9 \1 Y- M. w& d
自己寫一個spice model 容值抓抓看
/ D9 K- G, [& T7 ]1 H( s4 }& s5 ^+ h, p7 y v" h: s5 A
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
0 O# x D. N/ x可能任何工艺都有这个cap, , U2 M5 Q4 V9 ]# N3 X; q
) G6 e* T7 q6 L2 F, c, H
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
4 m8 j3 h; F# k3 B' M% t5 t由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
, J8 R6 k) d% ^( b% x MMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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