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有 froundy kit 就用$ D1 n5 D+ |( H7 Q
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
% {9 e* s# _! S廠建好的 製程try過比較沒問題
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5 O* b. d1 `0 G, _) a& X2 t) W自己寫一個spice model 容值抓抓看
% T4 c, X' e, H8 v# }( ?- \9 q. B1 j: _ t. }4 |3 A& W4 X
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
: y5 L, g5 P9 L可能任何工艺都有这个cap,
+ x7 x1 }7 L0 V' N: }$ H/ {% ~, ?, \2 Y
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
1 y1 Z! N/ m) x( R5 [由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
* b% N& a: V% H4 j3 F% T, pMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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