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有 froundy kit 就用2 A! N* a, D6 o0 d2 B; {9 k- E
畫的 每間蓋的layer 也不一樣6 `: R3 v6 Q7 O7 V
廠建好的 製程try過比較沒問題' Q4 X8 ~$ K: K2 f C
& @& W) q2 ]. Q8 z自己寫一個spice model 容值抓抓看, T l( J) `* @. C4 s* Y8 l
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MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
/ U+ \' N, C1 ?* Q6 e1 b9 d可能任何工艺都有这个cap, ' w% }3 B- j9 E6 T
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MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,, U3 m" B( m& S6 S! [# J( _
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,( C! r0 k0 m, U5 Q" ~- Q
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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