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有 froundy kit 就用5 c& f5 R, |3 G C
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
z) a+ z9 y3 C9 [; b& c) E廠建好的 製程try過比較沒問題8 ^' b. w+ t6 L* @1 N& l% `3 q
7 B! c% S2 S5 w% F1 H/ |% H7 R) ^
自己寫一個spice model 容值抓抓看; f7 z$ G7 e; s/ D& b* [2 e8 r
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MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,( ]# ^. Q5 J5 | `; U1 ?3 X, B% }
可能任何工艺都有这个cap, . l8 c( M! [, p+ q9 L
' L1 E% @9 N8 e5 }" k9 EMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,' ~: ~: B2 q, V2 F
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,$ D, Y& H. I! S
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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