|
有 froundy kit 就用
+ n& \5 w( C; P" z0 T, \畫的 每間蓋的layer 也不一樣
$ B" n' l, L# h5 Y1 S: f6 a' j廠建好的 製程try過比較沒問題
) |, L4 q4 A) f, v" D" w6 _9 p! M' O. @+ v" x
自己寫一個spice model 容值抓抓看2 i1 c% X4 l$ E O6 C1 M; {3 V
7 g0 p$ W, ], J6 S+ _7 k% m; J$ E
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,( t4 R/ U0 k5 F q k4 f. ^
可能任何工艺都有这个cap,
2 S7 |) W5 {( i5 Z+ M& D" I! V4 y( S! [# r: s
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
3 D3 W0 C* g" u' \7 K; m由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
1 `& Y" [$ s4 ^8 [MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|