|
有 froundy kit 就用
% p& C4 Y4 j4 l c! `: w( i, T8 \) p, D# |畫的 每間蓋的layer 也不一樣8 @( `( d0 O, y* V! F2 g6 u" n
廠建好的 製程try過比較沒問題
b( R+ g" ?( O3 w6 R9 i5 w9 _! a$ ^3 k* r' t9 x
自己寫一個spice model 容值抓抓看
) W1 |/ J/ C' r$ O: K+ Y
; T8 K$ P; o5 K9 ?- oMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,9 s/ t, ~$ z) j1 c/ l2 |- Z
可能任何工艺都有这个cap,
: K! q; s! ^! w5 M1 j
/ p0 R: d5 ^/ `! A! AMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
, F' [& V$ \& }4 r' A8 P; Z2 C由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
5 i* U8 N9 i* ]: eMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|