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[問題求助] MOM電容佈法

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1#
發表於 2014-1-23 00:05:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有人知道MOM電容怎麼LAYOUT???怎麼去計算MOM的電容值??有相關的參考論文或資料嗎???
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發表於 2014-5-21 17:51:39 | 只看該作者
有 froundy  kit 就用9 ?4 q5 f. J1 k
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
1 O+ x3 B) {) w: [9 k2 Y廠建好的 製程try過比較沒問題
5 e4 t% u) s6 o  u8 y
2 J% w9 t' `; U  I5 B自己寫一個spice  model  容值抓抓看
( I& j# a# ^9 h% M4 `# a- O3 Y- \
2 y8 a2 t' x+ Q3 F& B' `$ n8 ?/ |MOM 是tsmc的说法: metal  oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,. h+ L; a- H' Y5 z3 b! V$ n# x
可能任何工艺都有这个cap, 3 M- p+ W2 ?: R' r& M& A

7 D$ j# V2 j7 Q- H8 \. z  r& ~! |MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
+ o! L4 b+ Q) R! F1 i7 p/ |由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成,  logic工艺是不提供的,  |9 `- U% ?, q! ~: W$ `/ a1 q
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍
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2#
發表於 2014-1-23 14:18:05 | 只看該作者
回復 1# r2583614
: G# i$ `& }' e) v, p" v7 S
, {( q! V1 k, @( Q, A
" z! P8 k4 y1 E) a8 }+ F, i    通常看你的製程有幾層metal層,大體上metal1 和 top_metal 是不使用,做成finger形狀,上下對稱,要打滿Vias,/ n! Y% ^) a' A3 n7 g: V  @
    mom 電容值, 可以串一個電阻,用抽RC值check mom's 的電容值.
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