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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
0 @& K4 B  F! f+ z8 t8 `1 }# \5 w  E) I- c+ ^
OD2作用:9 V+ j3 A* q! ^5 x$ [; }+ j
1. 增加阻值
: m" r4 S- w6 z( P/ F# R2 y1 e0 v2. 防止電流過大而導致元件燒毀. y) }& p8 Q/ }* |9 M; U
3. 通常用於高壓製程上
% n$ a1 f# h& e8 c8 z& r
4 J9 [& N% j3 E% NSAB作用:
" x0 h0 i/ o: E/ f' ]' P+ a1. 可以用來計算電阻值6 f! N) `5 l  b' C
2. 降低阻值, x* I1 ~* [, M. E$ ^+ F
3. 防止LDD的尖端放電
  H, {' l* Q: E( P. B9 w5 h" Y4 E6 w! B6 A" A5 D6 t
, T0 b( q3 ^, g4 E$ C
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 o) M) a. _7 ?8 l  Q4 g
* x1 p5 P9 Y! V% g# o個人的認知與看法!有錯請指點一下!
1 [+ S9 y" I6 U( r: P$ U5 p& I4 D! {! \6 T
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
6 b* |. g3 }) a% R4 S" j8 t; W
( J! l- o$ _5 a! }蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* q/ p) D$ Z# }) z0 M) o9 p
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚& j1 i2 k0 c3 e0 ]
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的5 L2 |/ x3 O5 L7 |
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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