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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
; k6 n! f# B* Y' h% {  A' A: d: Z* l
OD2作用:
& \8 Z2 x$ O4 ?2 A% h( @1. 增加阻值. S* n0 ?' _4 K
2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 v% N4 F/ R' c4 G0 A
3. 通常用於高壓製程上0 C6 _( D. K- q# y

( P* }3 p4 i4 q, d- Q* T; ]- C6 B7 |+ }SAB作用:5 J, J+ V; Y5 W2 U" z7 f# ]; \2 a
1. 可以用來計算電阻值/ E3 o6 A( Q6 A9 \" Q6 H- Z7 B3 U
2. 降低阻值
$ X' o4 H- p$ W) _' Y3. 防止LDD的尖端放電- |/ t2 M/ N0 d! A& M
9 q+ G9 u4 i: U4 b8 O: _
- e. j+ c  F7 k
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 7 |/ M8 E! K* \" n

% e2 A8 e) M( u* e" U. n4 T' @6 Z個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ C7 H% X& R: f# \. z
# y( ]- h: I( o) }有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
2 g. q5 F/ I4 x3 Y" y
" a. e& d" a/ Y7 W7 h蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! W' P) K5 [- i  d/ p& e9 C能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚$ Y1 ?! E% V6 ?2 y7 ~- b4 B
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的0 u- X/ l4 ]& u/ Q
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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