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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟9 X, S3 `7 |( o* [& s( B$ r- e

3 Q; j% U0 Z# K+ O' ?OD2作用:
; u8 L$ ~& O9 A6 g! G. E) P1. 增加阻值8 M# s1 S4 m& M8 G) I" ^+ _
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
' U3 p- N3 [# d( O* S9 e8 e3. 通常用於高壓製程上8 A( J! |; B! _

7 I! I5 P$ _7 ESAB作用:
7 N: ?/ T2 t9 b" ~* @6 F3 j7 ~1. 可以用來計算電阻值4 [6 Z4 O1 d! F  [" H% j8 j
2. 降低阻值9 K+ R) j- j1 I% i  S
3. 防止LDD的尖端放電
( E& E, v$ V: v; X
3 p( R/ V* B" I, z4 A( u) M9 A3 X/ `" Q6 L, S+ v/ ]
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 y# k) v, c) A8 Z! J( |+ q* Z8 U' H* |6 ~! c: }
個人的認知與看法!有錯請指點一下!( o! \+ X7 T) _' |" s
1 b' N% e1 F8 F/ a
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
" D3 B& y/ A( R1 L- u9 ^) ]8 J$ p: `7 ?1 c; F
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!( f4 A$ V( u! q7 b5 M, ~2 N
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚* W* ^+ S  Q" q% h0 u- M
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
( Y2 |: c1 u; o. _4 G7 HSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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