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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
3 c8 t& I1 w' j. L9 q) J
% K9 r; a/ A8 `2 C5 zOD2作用:
& u5 {0 c% q, |1. 增加阻值8 B7 i: D* {% Q1 H; R( S  U  u
2. 防止電流過大而導致元件燒毀' O* p) J: A- T+ ~& s/ O+ |
3. 通常用於高壓製程上
' A! K1 Y% t2 [9 z4 W4 D8 a- W1 m1 y( h
SAB作用:
" ^6 r) M2 c1 o! i* w1. 可以用來計算電阻值5 H" \+ d$ l& W0 x
2. 降低阻值
7 }" K# ~% h8 F+ U3. 防止LDD的尖端放電. ?9 ~( `  V" R

# T  O' O2 S1 E2 W3 |- g
9 ~% u  s* M+ L  V以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
5 k* }. y) P- }1 N0 K
+ A! B# L# u8 s# F3 f, F  k. x個人的認知與看法!有錯請指點一下!3 }" K1 o  }$ |+ G3 J3 S  f# }
0 T' d3 k; I) M8 C
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!! h5 v7 A! \. q. x

  g" L3 `0 O. J( o9 b  V* G/ }蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
+ U& m- r7 Z% _1 i( [; \* F7 E  b9 Z( y6 a能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚, z* }9 W& _% l5 S/ G
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的0 }* w& Z2 Q8 G6 S$ G& p( j
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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