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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
/ T, w$ o7 B2 H5 r! M; c
& i' ?5 p  P$ Y1 n  U7 p6 {1 GOD2作用:/ M4 _3 a5 G% T
1. 增加阻值
" \! d* n$ s5 T5 D2. 防止電流過大而導致元件燒毀
+ Q" Q% }: d. z% @, w; J3. 通常用於高壓製程上
' K/ I1 K' d9 g5 t2 G% z+ J* f3 d* s3 _% G! N( h) _" Q  `5 z
SAB作用:
( i3 w7 {7 r3 \: x+ J8 Z4 O1. 可以用來計算電阻值
# v2 u) [* o5 T# x9 @# p2. 降低阻值
- h, X1 P0 e; Y7 M" z4 a3. 防止LDD的尖端放電" m$ d+ N6 n9 w5 ]+ z

( ^4 g6 m6 m# u& p5 b. o& j0 f& o# Q, }+ k" x2 {, p, {
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
& o: C2 j* A9 g+ Z: U& c9 @7 H9 I1 G9 [- [7 Y
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
9 n1 d, \, C! j1 [+ S4 Q) t/ P7 ?; }  f  q
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
, \( g9 g. _* ~' U; g7 A$ H+ r6 e5 c" W/ f% E8 o
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!$ j3 e7 y( P# A: \  R, s
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚7 F) ^* k* K# H5 `9 D
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  _& B$ x: \+ U
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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