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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
" b1 C  O3 C+ r% F- a
( g, J) l" D8 E9 TOD2作用:
; G7 L" H2 B+ Z, y+ P8 b9 O1. 增加阻值- A2 P( {7 [* E  B/ |
2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 \, `- g4 B+ Y
3. 通常用於高壓製程上
' F' J' U2 ?  ~. R  V0 o; Q" j
. t1 r% S: L9 L3 w; l& Y5 j$ P: ISAB作用:
& c; }; W! d% w" o1 ^1. 可以用來計算電阻值6 o# t2 }3 f& S/ H8 K1 Z
2. 降低阻值
, F& x# s7 |( e) O3. 防止LDD的尖端放電8 M5 j3 f' r$ Q$ O

* \# }4 r) [: w0 W3 p# V" A% S; {: k6 g/ |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 0 V, y0 ^# z2 |

; A+ X' x6 a4 l* E3 x0 ^/ O個人的認知與看法!有錯請指點一下!
2 O7 y1 [3 c9 n7 e9 j) h& }: Z) y. ]9 K7 c# W+ ~, t$ H
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
8 K: l8 \$ R& F% x4 H: F: Q7 o6 J1 m; Y" ?! V: t5 l$ q
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 W: |% T2 D8 J能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: v1 w. u: {! m1 s' v
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的7 `0 \9 ]$ X. D$ b% O6 U
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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