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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟' D) ?9 V/ Z6 p6 j$ E' [. W

0 q& V: k, Q  |+ f" B+ n7 hOD2作用:& S7 T! Z# E. ~" ^3 T6 y
1. 增加阻值3 N! R2 _* d& G8 P: J. e, n
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
, D# u! r/ s) G  R3. 通常用於高壓製程上
* K6 E9 `" ?  X( \) n4 e( x
, T7 l- E6 B! W& M$ ]4 z! p* {SAB作用:
7 v" o; v: P8 o/ X0 T: Y1. 可以用來計算電阻值
. Q2 R& {9 I* A1 ~$ t/ d* A; X8 I2. 降低阻值, k+ K6 [" q7 _# U$ G% I! {$ N
3. 防止LDD的尖端放電$ {/ ]9 m; s  g8 c

) p  [! v4 y( D* v
2 |# J6 P1 i* u; `% `$ F4 C以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
0 M* n, [  e/ a9 F, x
5 H/ n! r( u5 P8 k/ G個人的認知與看法!有錯請指點一下!
$ V% N- w% a" K, t8 K$ }" Y4 d. j* r  Y3 G
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!. l4 B4 G: L7 N0 Z# q( I) G* t

- k! ]& O3 E( W蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
) M. \& g& S) k! L6 X& U0 q能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚) G0 {/ L: M' L2 ~$ r" L
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; Q; V! m! p4 _- USAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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