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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
" N% h7 o0 a# c! d+ [1 u' z/ _$ U) [7 h! s" \
OD2作用:$ p$ }* q- {% M. r7 ?/ I% a5 A) n; S
1. 增加阻值
" b; }& X2 y* ~. y2. 防止電流過大而導致元件燒毀
# H' q0 x0 A: w. p1 r- ^! p, P3. 通常用於高壓製程上: O; p9 y1 f  m  Z/ J2 j* R) O: b
! e; T9 G9 l1 _! {1 r
SAB作用:
9 \4 _6 s% b% p; E4 Z: a1. 可以用來計算電阻值
9 U0 D. c' [* d# ^2. 降低阻值; u$ D9 C# j" Y" Q, W8 U
3. 防止LDD的尖端放電
, u2 N  J# b( T0 ?* P2 T
. F, M/ k: q# O: X5 _
! I( {* t, }- r2 j8 r8 E以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
; n0 f' U5 Z2 M9 Y' m1 c7 r" h0 O+ Y% O0 U: G, l4 d: |  r$ B
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& l7 P1 R- \- \6 k

6 Z, ]! c% z/ @5 S. p有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
" L$ s& H8 u1 [' i4 p
0 H( [4 T0 K( J5 t9 a- G9 j' J蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!: }; [8 x4 Q2 x0 H( {  F  N5 {
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: w) d2 B/ H3 f5 j. ?
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! I$ C+ z7 R0 TSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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