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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
9 N4 d% t) E" z, }
8 R5 o% c* S) c; R6 c! ^# o: tOD2作用:
- X9 t7 S' p1 B+ }( y2 b$ S% X1. 增加阻值
2 A1 i) ?2 F0 \/ y$ g0 }2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 a+ B5 f/ y* |# m& {
3. 通常用於高壓製程上1 s# U) o5 z* O4 O# _

7 b$ M4 k3 R( ?* I- ?SAB作用:
2 e# A4 i2 K, V0 i  t& u4 t7 U5 U1. 可以用來計算電阻值) A) ~, Z. h+ h2 Z' p( J4 @/ D
2. 降低阻值
$ ~3 G: f% d6 M# E  r3. 防止LDD的尖端放電
0 |' _1 y+ H' A# g" S* t0 U
. c, o% s2 t7 R
# v' k) H8 Q8 j; J以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 * j1 {/ j0 F6 g' U- W

+ b* Y& [% W8 x- ?5 Y. N個人的認知與看法!有錯請指點一下!
6 z1 ]& P0 ?( v; s3 R. f; @& Y' m$ ^8 S9 T
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) Y6 i5 a0 `7 `2 C4 r
" U6 l: m/ E4 l3 l6 P! V
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
" \% ?; d8 k( ~! w4 W" A- w8 Q能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
; J% O* N) r: F; P5 x. g# I6 N! Y這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
  \$ w6 N1 f' ^. \' i5 XSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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