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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
; B4 ?# [+ G& B5 b' M  v
: i2 V2 \( e6 o4 S9 hOD2作用:
/ D, h+ h$ r3 [- z4 M. W  K1. 增加阻值
- D- O8 Y1 w' G. N: b3 b9 M3 ]2 K5 G# T2. 防止電流過大而導致元件燒毀  f4 k. F6 m/ D& f+ I# y
3. 通常用於高壓製程上
5 `5 V1 p4 x6 e
' A  n2 c! K" J( l# B. M  n  zSAB作用:
) E8 v( w- c1 K5 H1 r1. 可以用來計算電阻值
# v, x3 F# L. N) a2 ]  X! v2 N% b2. 降低阻值
$ X! V# f5 c* l2 D# F3. 防止LDD的尖端放電$ r; L! ?9 |8 F8 ]
7 _- Y. J+ |6 {; s2 u0 U
$ J3 k6 Y$ W8 f7 H- \, Z! @) n
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  V* D0 ?# k$ T% Y1 |2 D7 S; |+ [, X; _4 I
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
3 C5 R" z2 m& }( o$ k; l9 K0 {9 f, \- O3 e/ f
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!9 M& H1 Y: s$ A. I# c; X0 g$ ^) t

2 S% ]: x; U; N蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
* @4 l% J- c8 M, y: D" F5 M能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
/ }& G* P: G/ }! q, k這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
% f# ]( a; v" |SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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