Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21911|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' L2 s: Q7 n  j& z! T- F
' W! |8 K' Z$ W1 S1 {9 E- rOD2作用:
7 L1 L. I# \+ N" s" o' ~2 k1. 增加阻值/ i0 q  P. T$ L9 w2 y3 w
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
; g) a3 d4 q9 [3. 通常用於高壓製程上& ~% X3 N2 U5 H) C2 H1 Y

+ {+ N+ X2 q  m% N+ f- ESAB作用:
3 Y4 H6 R7 g8 a: a4 ~+ m3 x4 z5 b1. 可以用來計算電阻值
2 b8 g% O+ g- V- x2. 降低阻值
, Z4 q  X1 ~3 H3 Y8 T- h3. 防止LDD的尖端放電0 m" K7 T! X& n. L: l* [5 {. f
: t" o7 y: j. f( r' _7 C! R
8 j; k/ r- g7 B5 q& @2 x- l( F
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ; U6 E" t8 P) _0 {" {

4 r7 Q( B, J  f0 j# m個人的認知與看法!有錯請指點一下!, ?" r$ A- z2 L3 D7 ^+ `5 N9 X
: P: h% _- s' V# n7 J* f5 K
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!1 V( ~' g. b3 Q/ a5 w' T. W+ D

4 U/ i& ?" u  |3 w- ^3 E& z蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 r" R1 j" N5 y* q( w5 J& G能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
8 ^8 C5 n+ M7 m* T/ x6 Z這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的: Y* h, B9 H  r& R
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 11:03 PM , Processed in 0.159009 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表