Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21618|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
- {0 W5 [3 t$ H
$ @" c" n) U: q" D0 A/ ~7 iOD2作用:
* f5 @2 |0 B9 h0 A, Y/ ^1. 增加阻值  [7 Q  N( B7 @7 h2 o2 N; n- H/ j
2. 防止電流過大而導致元件燒毀  {, l- L# B1 W- n# }0 w
3. 通常用於高壓製程上
2 }. N4 r0 ]2 I5 A  \: D/ p/ f' ?# ]. I& ^/ j7 e& j3 x
SAB作用:$ M( D, ?0 c) ?! B* h  D0 {" G, h/ f. q/ J
1. 可以用來計算電阻值
' W5 @7 g9 F4 ~' w' p2. 降低阻值2 d, u- W$ z- |2 _
3. 防止LDD的尖端放電
) U9 o+ n8 T. J! Z2 v# C7 e; p0 t8 G% k. ^3 k9 o
1 `6 h9 }, I8 j* C; t) t; f9 q# I/ c
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 : o; C/ x# I- z4 ?% A
6 A8 w  b! u4 I( z$ v
個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 t! O1 m7 T! j0 ]) L8 @/ }

$ P: }+ ?3 c2 y0 E  _有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!1 \  X# I$ h7 b. j
1 O( W: x) s% F# [6 G: B
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!+ v3 M$ O, ?# |7 n5 Y
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚- \6 t% N/ ~0 P8 o( ~
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的" W8 n) f6 P1 s+ Q$ t  P8 Z
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-5 07:09 PM , Processed in 0.154009 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表