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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
  V, v3 i. ]% X1 I
% j# A  B# M1 U( F2 A+ rOD2作用:
) s7 O" V2 s% ?7 M- E2 w1. 增加阻值4 F! f. t4 W0 r& X  N
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
" Z9 d5 b$ w9 [, V  y7 \: t' i3. 通常用於高壓製程上
' {4 a- n2 N$ v1 z/ l, m* C4 L& a9 a1 y2 p: O7 M. ]( ]
SAB作用:: Q+ e; T: v  d7 X. n1 v1 L) S
1. 可以用來計算電阻值4 N8 w, ]& g9 L' }0 x2 A
2. 降低阻值
: ?7 r- n; s% }* L& p. W, |3. 防止LDD的尖端放電7 [, Z. Y7 D5 g9 C- Y9 a
% q2 z. j  p1 A% e( P$ Y3 W
( L1 }' N( f! r; P. l1 P# v
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
& E8 {) o( _' v' ]4 X6 F  k3 d
; ]/ k" b  F  g  E- L& K4 f個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 _) q8 O$ h- m+ E3 h+ D  S

5 E% B) \2 ~2 i有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
3 l" n/ ^+ u4 F$ i8 H) c
5 y! d/ `* {( A( K4 P蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
+ ^9 B( D/ ^/ P! \能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
4 h  E8 l. m1 f( `  k/ R這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的$ ~+ h" J6 J9 V: K# m# {9 r" ^
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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