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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# V8 h' D/ s- G' g: k

$ y) U% c# x5 {0 ~: O9 I, wOD2作用:
. A$ W- ~% T, @8 k; F" \1. 增加阻值
* N3 X( b- L% E+ _: z/ y3 s2. 防止電流過大而導致元件燒毀
2 O& h4 A: M5 `: Y3. 通常用於高壓製程上
9 H% ^4 f; I& W* r8 q
, e! [4 g  E6 E5 M/ p* [SAB作用:
' u" O6 k" Y. A7 d' \1 V, Y1. 可以用來計算電阻值9 r) B, [. t- o* M9 `: H
2. 降低阻值8 \: z- U3 T% C: l% z
3. 防止LDD的尖端放電2 I# f+ A- H- @; _# Y
( [) p- l3 `8 X3 R# U, G

8 G8 ^2 x  H: w' c7 D( i以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 1 C% M- L& [: \9 D2 g" Y& r

: O# ~4 R3 I( h8 p7 `1 D個人的認知與看法!有錯請指點一下!
- M8 K- t; O. a2 d5 q
8 @$ p" _1 K' \" q" W% u9 k( v5 S有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!! E, k" J# J3 h+ ]8 i" G& D
) e) @: l& Q9 c, v
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!5 e0 |. L9 k# Z* s4 N
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: `8 N! p8 f4 v' i  ^8 E
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的) T- I0 j4 q0 r* e6 J. ?" o5 H3 ]
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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