Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21690|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
4 o( q; g$ X( A3 p7 V- m
9 m: S: p9 P- M& W) FOD2作用:9 ^, P( \+ P# ~/ C9 r; t: F
1. 增加阻值. `% Z# p, F4 j( j" |$ C& }
2. 防止電流過大而導致元件燒毀9 _- O: @5 P3 R7 G
3. 通常用於高壓製程上
6 u* T5 m2 i1 o2 Z8 }3 r
2 U/ Y; E% j5 U! A8 M/ H) g' WSAB作用:
3 \; s! m( v& V# K; g. G4 m1. 可以用來計算電阻值6 ^- d3 o, F$ X7 L  j1 d+ u
2. 降低阻值4 e% y0 S- n& X; H7 _
3. 防止LDD的尖端放電: k5 f: W1 ^/ {6 W9 D

& I- j" X1 k' d5 h+ i1 K5 j7 U* t! h3 D" |- \5 F. v; N' K, X
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
- `- Y- b) Q7 n; X: N8 M- N$ l4 |; J2 j, W6 J5 I
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: B3 I( y" m5 {9 M3 n/ i* k- ?! `
7 z" F4 ~" n3 ]- G/ G- J9 p有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
( [. s6 u* l* h# d7 O4 Y- {
6 @6 I$ ~& i" I- g3 B蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!% c! Y" t& D( h; ^
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
8 q0 v/ a: m( b這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
. z0 y6 E; x* Y  iSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 08:43 PM , Processed in 0.155009 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表