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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟: _/ W  |: q) u

0 B2 L* |9 F! \0 N3 ?; `6 A" K* DOD2作用:; T- e! {  |7 W$ [9 s0 g
1. 增加阻值1 c$ |- P# Z* n9 v9 \" h
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 n( P7 U6 \$ m3. 通常用於高壓製程上
, ?# E" c9 J4 F3 {( u
9 v6 c; j+ w) m1 ^* dSAB作用:! r' o/ y8 l6 ]( U2 t, ~. x9 Z' b3 o
1. 可以用來計算電阻值
/ s* P8 D% ^+ M% n2. 降低阻值1 t3 }- Q/ z" _- e# y
3. 防止LDD的尖端放電3 J2 R' q, v) @4 [. ?8 o/ g# u
. M8 c5 }& t7 o9 ], p/ `
$ ~" ~. y2 O; t6 Q7 p# Q, Y  p
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' c1 G6 u* p$ ]# g9 k1 }
7 Z7 P- `  _+ Y# J
個人的認知與看法!有錯請指點一下!- N9 @  ]1 T5 j$ Y$ Y
" I& y, X8 I' N8 A: ?
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
: |2 P! Z- |- [, P5 |
- r$ W3 G8 V3 W, ~3 w  G/ a+ n蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  W3 ?* Y7 w& G
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚; G3 W0 K6 W5 @+ H4 U% y
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
' I" y3 k+ ~+ k9 Z4 f$ m* CSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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