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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
* B* Y" g' u- U  X, Z& m8 K0 C; @5 P! |; k$ R4 M/ u) u0 p) U
OD2作用:
, Z+ {* L, r2 _1. 增加阻值
( H# W1 q! n4 i% J8 V/ ^2. 防止電流過大而導致元件燒毀
/ M2 J2 j. e) w% m, p6 I3. 通常用於高壓製程上
1 k9 ^6 J" p# h6 P7 c, f& {+ j& Y3 x0 E$ d3 X5 c
SAB作用:
9 \1 h2 H1 f% E# }2 f1. 可以用來計算電阻值
# r: x! y7 Z0 V2. 降低阻值
* _$ N: H9 T) F: M* u3. 防止LDD的尖端放電
- o, I# \- G4 ?6 Q- U* S  a, x1 X7 f9 A! v

! l9 P, z' I# d- V/ K! V# I以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - z7 H) A! W7 R
5 e+ P, s3 p% y$ S
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
! u: ~8 R" w+ s9 W' N/ j/ u* Y# u) }
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! g) \* m7 ]- `8 n$ G9 e& I
. d! S+ [+ U1 j蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!& l, m8 B, N7 C% m4 ]) J
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
( ^+ F9 \+ B( N$ ]這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  v4 g9 `5 r; L+ P
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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