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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# }5 L7 F7 f! k; Z) N
: `$ S9 Q# a: U" [) x
OD2作用:/ l. s) O: V3 G$ m+ ]$ e
1. 增加阻值4 u1 @" d- ]- b7 a0 F
2. 防止電流過大而導致元件燒毀" U' F6 _' g7 @, e' m" o
3. 通常用於高壓製程上
. u. X/ n; h0 g. U1 D
# Z4 }9 u6 R8 x1 q' R' zSAB作用:
. `) a9 _" [6 }8 p7 B& c1. 可以用來計算電阻值
$ `! b! T5 P8 i- j$ C3 p$ b2. 降低阻值
+ k; Z0 r4 j! L# M3. 防止LDD的尖端放電
6 {- d4 X. l( R% W6 L0 m, c8 B7 ]# [# A
" O" R  F2 X  P8 j8 h
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
2 j( G0 }0 u% L
# L, Q; Z4 e3 h: ^6 \, G7 q" F個人的認知與看法!有錯請指點一下!9 T1 O& B1 M# h8 v, w
3 n; R. O/ u* ]. F  C* p* z
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!; N, \6 Z" z+ X9 O& \9 R, M

0 c3 Q8 o/ z9 Z$ Z# d+ B蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 D6 {( Q9 M3 i9 r& F能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
' D) J8 ^7 N# |- t這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
+ _+ i( @5 X4 I/ z% l' nSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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