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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
1 O$ |0 X7 T! S5 i
  ^# Y8 t7 ]' NOD2作用:& d, A: _7 [! N* d, t: ]( U2 O/ R
1. 增加阻值6 b1 |% l0 x' Q, m* h
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
1 N* r1 g( }' [0 n$ R9 V; R3. 通常用於高壓製程上7 h0 f8 D0 }; I7 l6 P

  r# e$ u0 h. i( U5 J1 G( u/ ZSAB作用:7 \2 W$ q. H1 C; N
1. 可以用來計算電阻值! \! N0 k, Y9 s# K$ G9 g
2. 降低阻值" K% |5 A4 Y; D
3. 防止LDD的尖端放電6 F4 `3 O0 t, s& E5 e+ \

8 y- ]7 M( l4 r! G8 s: W7 N' V
; j7 R5 e" r! K以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  P9 T9 e  Y/ G: R# }- R) k( \2 o# d  i1 B/ U! h
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ p- t: y2 t' k+ }, r# [' _
6 F$ X/ H" ~8 U: i有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
* \/ i; R3 p' g# c2 x) L- w' n; m) [
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! D# |1 D6 o& o) I2 T能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚5 X# I3 `* u8 n/ d1 M
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的1 U, D( J3 Y  L2 z, O& U! j
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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