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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟3 p5 Y! o) q- L  u& b( g
$ ^* j0 l5 Q8 c4 }  z
OD2作用:
! p% Y* y3 C3 c- Q1. 增加阻值
7 x. Z; Q& i% i* y2. 防止電流過大而導致元件燒毀! V& C# `: e+ B2 i
3. 通常用於高壓製程上# W" g+ J" c' e- Y. h
' X6 S% ]6 ]' g6 k& N
SAB作用:% m7 e# Z# N1 y! y. b+ C
1. 可以用來計算電阻值
. x, r/ z$ Y5 [4 ^. d$ o2 A2. 降低阻值
. I5 o# u; J  j3. 防止LDD的尖端放電
/ V% c% e6 B  p# ^; ~7 z2 ?; t$ C" P- E

- X: Q( c& V; ]5 \* }9 Q: C! c' Y% W以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 0 N& f) r- f: _/ {# V
& @0 ~7 S& \# [" s! `$ n3 H( X& G4 U
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* {# r/ H! }2 B5 t6 W1 O* h3 t- B& D6 j
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
1 n8 V2 }; @$ n8 L4 N0 O& _; R  ]
5 V+ _* A) y7 \$ }* K9 c蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
7 _1 b# S) x" i. ]& D" |; g能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚1 a+ Y9 ]. C) z+ s2 X4 V
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! ?" b' E0 x( {- b5 A! D: zSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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