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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟  m" x# `& F& j1 a8 Y

9 b  |& I0 Q/ h4 z8 k4 ~OD2作用:
2 Y/ z7 F/ w+ B. a4 A1. 增加阻值
. I0 w/ i; I" L, a2. 防止電流過大而導致元件燒毀
$ r' r. H. M/ L* g, k' }+ R3. 通常用於高壓製程上5 R: _; F9 j. t

3 v2 o# @3 s) I6 r# h  s6 A4 vSAB作用:
' D; M/ Y. w; I6 q7 b; P, e1. 可以用來計算電阻值
! w3 A/ s& O: x2. 降低阻值
. c$ m# D. ~$ _: q+ ^3. 防止LDD的尖端放電/ @/ H1 s0 h9 s( ^( r, r/ O
# c. }7 j1 Q, ?4 l8 k
4 }: b  }$ o8 U8 y, h
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯   U; z) Q: u! k" f: I3 H
9 ~: W) g. b  \# N
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
# l, U* R' u( y' F8 ^6 O5 N) c2 t- a. J1 X) M" ^8 T
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
2 h5 E- V/ [" I6 j3 R
  }" e5 w! b9 f6 g蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!: ~2 T/ V7 b" O2 d( Z/ W- V- U
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
# X% u5 X$ J3 u8 s- V2 C6 b( _5 d這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
, v2 K- D* B$ G* n3 iSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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