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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
3 N% s6 A0 h- l) {% G5 o5 \) u) ~+ x1 h$ Q
OD2作用:" S  N8 J. C% B1 q$ P
1. 增加阻值
( U* k" ?. {' G2. 防止電流過大而導致元件燒毀+ K4 d0 k8 b" Q5 I+ d, O
3. 通常用於高壓製程上
" M9 I- F6 e4 c/ q
0 K* G) M. c( A% zSAB作用:
* [  z( k/ y+ O1 N2 a3 b! e$ L3 q1. 可以用來計算電阻值
8 I+ G, G# c& R4 U: h2. 降低阻值
8 h, Z4 x" V' l0 H3. 防止LDD的尖端放電
* S$ C/ x# y; C6 x  d+ n+ }' V+ J+ A2 }& U& `; w
- W% y* Y: J' G, Y5 Z2 e
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
) C5 Q3 ?6 _$ n/ W4 I4 L# H# \4 ?+ F! t
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
$ ?9 T& n& Z( z+ x* G1 b
# Z! N+ X7 b: q0 X( ^8 K有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
1 Z; l+ p4 M, ?; h& M& h8 g+ P: y8 o& J, r+ Z; C
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  V) \9 k1 e/ Z* X- J
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚2 E, }, g& S- U6 C' V5 d$ o
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  G0 r  J1 D  j) F5 g
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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