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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟$ Z6 a4 B$ t. m" V# O/ ~# s2 ^# O
, r& n! }7 |1 F4 ?# c) n; q
OD2作用:
. c$ U# _7 @# I  f2 V5 }: w& U1. 增加阻值0 K1 k: f3 b2 c6 }; U' X
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
/ v7 a* V2 _- X2 `; _, ?% i6 K% e$ T3. 通常用於高壓製程上
8 I9 b) D) v5 {& T, F: t* z# ], q3 J1 G, r* C" S) c
SAB作用:$ m( A& K; o( n5 n
1. 可以用來計算電阻值  F+ E& B5 G. T) M( |" X
2. 降低阻值, n6 O! l- t) W" D4 E' h
3. 防止LDD的尖端放電
+ @9 N5 V* E! f8 l4 Y! ^% k& \. E5 z
- c& X* @9 z' c0 }4 B5 b, I! d$ S6 a
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 & R: @2 Q, K: G' U: N

1 W1 S+ V1 T) U. g% q個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* m" K# y, _( i& O
0 p4 u3 ^. r5 R! Z5 J% }9 W' d, K  R有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!7 d7 Q+ ~  `3 `

7 j9 B0 p+ A6 O6 M0 d蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!2 F. ^4 G# b8 d% `  X+ D
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚* @% }+ ~. d9 t) }# f  f3 F) \
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  }! H1 l0 y6 O' |- A
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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