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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
5 n4 G+ k  v5 M/ x+ I
) x; k; [0 X5 ^0 G- r; HOD2作用:0 Y; Z+ z4 |. ~) I
1. 增加阻值+ \, n3 m8 v! Y; y$ m3 O; U
2. 防止電流過大而導致元件燒毀- X' W" p6 O& G7 c
3. 通常用於高壓製程上
# N" E4 z4 W' ?# ^2 K" v( }' b# n, T. q
SAB作用:9 Y5 t! }3 E1 O7 g& o; A& o
1. 可以用來計算電阻值
- @, x7 |0 O8 `5 Z0 \2. 降低阻值) Y2 {! k6 |3 Y# r. I, h
3. 防止LDD的尖端放電
7 E# `1 M* R2 G5 \0 z) M
; T4 G0 ^7 `6 T7 @! w8 p* Y- X2 [- X2 A$ G. B* |# u
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 5 o2 E$ K) ^; b2 l

9 I: H. z4 y$ L- L( `$ C2 @" ]個人的認知與看法!有錯請指點一下!; @" U, S7 N* E# B  e& X5 w

& S) S( i( ]4 H有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! }3 r- k0 ~0 y  ?& j; x6 t, ~# {" K* @8 c' T3 \' i
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
- h, C( V, l7 Y能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
' {$ \' c1 ?7 d% A$ H這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的5 Q5 m& U8 J, J
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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