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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
7 \1 p9 N6 K, Q" u
, I( r, @# ?& K: j" bOD2作用:
: s, b. N, U& g4 B  f/ ^- G1. 增加阻值& m5 i" c  m- Y" d$ E* t" v1 t
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( |( P( r% l* h5 L: q3. 通常用於高壓製程上. g! ^4 |) I* ?9 y' w9 }

, c' `1 A1 D/ k' r2 e! S; oSAB作用:1 _+ H" ~) v4 M8 |9 s+ g3 O
1. 可以用來計算電阻值
6 g  o; d, j' r# {7 {! ]3 }0 P2. 降低阻值& z) ?; X. }" P" c
3. 防止LDD的尖端放電* v" X8 d& N; f+ a8 V. A

7 r4 x) O1 u6 d- c7 U+ r" M: p  L# X" n, l9 a# p
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
* q2 {5 l# k! g5 v$ X" M1 B& X6 E) V0 Y. j! I- Q9 m4 p$ S
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* _. A* r# c: Z- e5 V# _2 Y4 ^8 p7 x3 Q  E) r% Y' l* b. I
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
0 D9 m/ c4 U( J
# ]  Z+ B. u0 U& ]% d0 d9 H蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!) ]4 ]; h  J; A. v& m
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚$ M9 j- A- c" N  r% A
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
1 L. ?3 y, n' o( G+ N) J0 eSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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