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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟, j0 ], f% z- h. C- s

+ `! U( G7 M& J2 |OD2作用:- j5 ^) s$ E1 R8 C4 C! }
1. 增加阻值
+ c: i- ]: p8 M% E/ @+ `2. 防止電流過大而導致元件燒毀  S0 l7 H( b6 ~' b
3. 通常用於高壓製程上
' T( G" h% S& l1 X
* y; r: O, r3 X, e8 M* @SAB作用:
2 K( ~; _2 ^4 g7 U$ e( _1. 可以用來計算電阻值; r' y, N% O( Z4 r
2. 降低阻值; }4 S8 Y! ^8 n$ _
3. 防止LDD的尖端放電  Q- s- k& ~0 ~- _9 k

8 k% ]5 K4 n3 p5 g) @: a) ~; B$ t0 F6 z4 \
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 $ t3 B- D# P5 p7 j7 v. ~
& s4 m, }: p" |4 {+ _
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; i- }; F' x7 |$ P' x
: \* h" X* l" x3 r6 ~有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
  ]. a1 z4 Y# y; t3 n. @# M
* C4 E9 Z1 @9 ?2 Z! U; q2 C6 F蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
* g0 n, B, ^* A% ]9 ?3 O/ \能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
& t8 W. {+ O: ~* t) H0 f$ T& O( |這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
. J: N: y% `# \SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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