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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟3 D' W  D. k2 b. ?4 v, E* m

7 o9 M: m/ X4 L7 p1 EOD2作用:/ A3 \4 V0 \- I2 N2 ?
1. 增加阻值, J8 o/ g( g7 E" Q
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 t5 C: d# c  p0 ?7 y! n3. 通常用於高壓製程上1 U( o& R4 m& b/ h$ [' U

, P% X' c  d# R" k+ vSAB作用:7 s; `% W- K( r+ H. w# v3 l
1. 可以用來計算電阻值
! Y* Q1 A( W7 _2. 降低阻值6 k9 S1 X( j3 Q
3. 防止LDD的尖端放電# i" ^' Q3 x8 g; a. X; ?9 S
2 o& z) I; M  }- k' T: K0 X
2 X& h$ y( @: y$ |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ! v5 _' T) P5 T$ J. J

2 y+ o& F# V6 t; F- |% q個人的認知與看法!有錯請指點一下!
, a& ^4 q, ~* ~( g4 ~3 k. l  a4 T( p1 Z5 x. e4 Q2 t
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!. T9 a! l2 K- S

) l  l7 f. F3 e; e蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!, J6 q3 i  ^: l, L+ Y4 P5 h
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚2 O5 X% p: h$ d3 {8 n. S
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 C) m6 e9 K/ a7 A
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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