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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟2 R" B+ U* A1 W' @6 U+ a+ }, W
8 s" X" ~- @4 Y7 b
OD2作用:
1 R8 o  k6 C7 F/ b$ \1. 增加阻值
% H0 P8 T8 V- r  D$ F. J" T+ }2. 防止電流過大而導致元件燒毀
  x# X6 u9 {0 [, _; i# {- u  |/ H3. 通常用於高壓製程上" D0 M% |: j5 M! q6 G# T4 G+ P
6 L' V& k, E6 B/ [0 ~
SAB作用:
7 S3 K4 B7 m9 }2 w7 \, I1. 可以用來計算電阻值
( y' Y9 p" \) Y2. 降低阻值
# m& Z. h; O' w8 _% u1 b3. 防止LDD的尖端放電5 B, m+ s0 Y3 D1 O% [
0 ^6 G% A# i, u% B) K  x1 _

$ Y& n6 O: l; G; b以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - P2 \7 q0 T0 i. D4 v; ^
5 }3 C* m2 @4 X' G9 m
個人的認知與看法!有錯請指點一下!8 z/ a; q! x# ]; Z. q* z8 K

& h) c8 [' y. ^2 ^7 T- a) d9 w有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
. G- b9 V/ e) i% r$ Q: v& O/ F7 C; ?
$ b3 U  \& p- f: M5 c- A蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!( E: E1 l6 [% ^
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚" w8 S* w; w- ]( A+ e! y8 d( j
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
( p6 t7 O" p+ i! f: ^SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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