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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟  ?' X! l2 T, p9 A

( z% b1 K5 V* FOD2作用:
7 P) u- ?, C. Z7 `1. 增加阻值0 L+ C- M: A+ h  [- E" H
2. 防止電流過大而導致元件燒毀* [' |: M* H% W
3. 通常用於高壓製程上
0 o5 m* x5 t8 m0 c3 `9 \" ?: y; k" n+ y& j# u
SAB作用:6 f& ^, n2 s2 G7 N8 m/ h0 ]! X
1. 可以用來計算電阻值
. n3 k3 v' Y% t, n& J  x8 B2. 降低阻值
6 C9 q( k- c% O4 U3. 防止LDD的尖端放電
( t3 U3 R- u# e4 f) V! v, W! z
, l& n1 a" r2 d( m  a  o' g" b! r4 v& l: b3 G- F2 u: d  `
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 0 x. t; Q. T* Q$ O

' Z7 x  ]7 A# U* \個人的認知與看法!有錯請指點一下!- P6 ]! }! g, B. N: |6 |
0 z) ~5 p7 h3 \, O
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!3 f6 O# C: n6 z0 s% i8 ~
  j9 P% I, ]" R4 ?1 |
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
9 E2 m* e+ A3 s0 V' I0 J3 \! @能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
/ ^5 O: A( `- Z7 x0 Z! C9 W0 A; f! x這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
& P* T$ r  n: h/ O9 Y" lSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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