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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟! ~; J$ ?3 G; G3 X8 ~2 n3 N
# k! K3 N" C% a
OD2作用:$ C! E; I" g7 @! n
1. 增加阻值
. o5 K' }( v2 @1 P4 _3 i1 b0 z2. 防止電流過大而導致元件燒毀: K6 P9 j; I6 C
3. 通常用於高壓製程上" w9 i, E+ m5 c' t6 p
4 k' E- \$ |9 ]
SAB作用:1 d3 d9 [" R9 r0 x- f
1. 可以用來計算電阻值0 T: C- |9 F: d: K, G* J; j
2. 降低阻值  |% @+ K. N9 C2 c. r* m2 L7 `
3. 防止LDD的尖端放電
! U1 T" T( ^8 F( @; m
8 F2 {0 y7 ^' C7 V( g1 l. t$ d. ]& O( O. ?! X
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
. D' K, B1 i4 ?+ ?# Y  s9 _) Y2 C$ |& E- {
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
. O. s& d+ Z# g/ j& J0 _
& q/ v# m( u2 n$ a4 e4 \0 h) m有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
2 F; E8 T5 r7 d* H% d& F
# {4 Q9 l: ~4 v4 p/ N蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
. n8 \' P+ j- \9 e; ]能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚1 \  v& @0 \5 _
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的5 v( Q; h6 X1 y& }, q
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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