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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
2 U, ~7 B0 r# _% o  n2 U- {0 r# Y& U" l; q8 q% b. }5 V
OD2作用:4 O$ t* _0 {/ p8 I, `" t2 P
1. 增加阻值
& M+ }. a5 U+ f/ D2. 防止電流過大而導致元件燒毀. H1 g. x* z( ]6 Z" f; _; h2 V
3. 通常用於高壓製程上+ L' p: |2 ?- D! O
( p! C6 ^+ `& Z; ~; l
SAB作用:
* D# j) V) o6 X1. 可以用來計算電阻值
2 ~" q% m/ _4 {* G$ k2. 降低阻值) |, z) z; u8 c  n& I
3. 防止LDD的尖端放電
6 F, Z% a2 G1 v' D8 y8 x' \+ W' I$ l0 [3 e6 _  P- z! c+ {( u

' n' u2 b" Y& j- ], h% b以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
8 W, k+ a. f" Y8 s7 f
0 w! |0 Z- b' Y4 _/ D4 d$ W; w個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; G( x: n- t9 h2 }! x- k) ?% e. |& T
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!; `- S5 w1 Q5 D8 R+ p. W
8 r$ R" a  P, `/ f: b$ j5 N& p
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!& @8 k8 x: j/ G3 g& C) R/ t
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚+ z1 N0 m) `" E4 s- Y
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 |. {& B$ r; I7 M: P$ }
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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