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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' Q$ t2 R; v0 f: ~3 M' Q
1 Y" \5 a9 ~  ?9 O+ nOD2作用:
1 z5 ?9 M5 P' n1. 增加阻值& i6 Y# W! X! ?; D, O2 O. n- X' F7 p
2. 防止電流過大而導致元件燒毀: g; Q: X2 U7 Q, N& V1 K( `4 L$ Y& o
3. 通常用於高壓製程上
  _9 J/ m: \: m; P' k/ e
* o' ]# F9 ]/ O: Q3 P6 h5 P6 KSAB作用:
% c4 p0 S% P0 P1. 可以用來計算電阻值# J9 C, g2 T4 k# u) d
2. 降低阻值/ r4 Y$ `6 E' P, g( @. G
3. 防止LDD的尖端放電
$ l3 p; H& b. Y4 h4 f
& Y0 A0 o' |; |, i/ Z. z- d* C' M# H* Q& c$ l( r! S: E
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 " o) B; y  i; L: g/ k
4 f# u& W8 I) z0 C0 ?
個人的認知與看法!有錯請指點一下!5 i* k7 y; ]7 ?! V

# V+ Y2 J% O  O% M, u, h有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) J- O9 ~. i( l( X- y# P
( E* m. J* e# a& e
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
: K0 U" Z& X0 p% r% H1 E  Y8 M能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
7 k7 D" w. E" Y/ {- N" G這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! d! l$ l, L9 y7 E) {SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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