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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟! z7 _! `: }9 e0 K

5 v- q( K( O( B: [) ^5 nOD2作用:
7 Q2 O$ ^5 L: u3 G/ n& p1. 增加阻值% }: r- ]9 S" I
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
3 u7 N0 s) O6 u+ _4 d( G3. 通常用於高壓製程上- a8 H5 G4 ]% z2 e

1 f, G' Z# }* o( e/ `SAB作用:7 d5 _/ h1 I0 b! w$ d' n
1. 可以用來計算電阻值- L2 B" d; N  `& N2 `8 t, _
2. 降低阻值- C% O6 }' o2 S: X
3. 防止LDD的尖端放電$ c8 j  H3 N6 R9 Y! a+ |0 _

: E: J) c6 _8 `% O
  v4 S# w, @5 u3 a. J3 A7 ~以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
1 ?" |+ y, A( M8 _
: H' @( B  y  B; N7 Q個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: w" e5 x, T/ b5 P* m
: i+ M- O. J6 k有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# R! f7 A) x6 A- U0 f) ?0 }( B9 L+ G6 Q  z( q5 t) e
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!4 B8 K9 ?+ {9 X" Y2 O
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
% p6 m% [3 k' M4 |這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的3 X8 B% X: z- U+ V( V) _8 Q
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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