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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
1 J$ m4 @3 v/ ~  H; u( n. {- j  y# Y) m: C* @8 e( F
OD2作用:- ]; S/ E3 y" i9 c% a, M+ E
1. 增加阻值- p* W$ [2 V# s. W7 q% y/ W
2. 防止電流過大而導致元件燒毀2 w2 s8 y) ~: @
3. 通常用於高壓製程上+ i; ]6 F; @7 D0 B4 \, F; `  ^# }

% m+ M9 A7 g% b+ d- X/ _: I* [: kSAB作用:
# N/ J& T8 F# H& D1 L2 I; q9 ]1. 可以用來計算電阻值. u3 \& J& S8 f1 y
2. 降低阻值
/ w6 H5 H: a/ R7 s8 M( v' E3. 防止LDD的尖端放電8 B4 D" T) ?# @8 o) s& y0 `

% C8 l( o; I5 w/ N2 z
0 k* s9 @$ `2 n. w& |以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
& j  F9 N3 Z7 w# d
3 L( b  j2 `+ O" W9 ~個人的認知與看法!有錯請指點一下!
$ B! ?7 L( o: y, F7 _* S5 G/ C! D% r& k
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% Q% _% y- w' X# P. W" v
. ]! E+ T3 l  L6 X蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!7 C8 a0 ?, p! v" {% V7 W# R
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚4 T) ~: K9 h$ }2 `3 y. F) |) e$ }
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
0 I4 c5 |; q, T) H& XSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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