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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟+ E, l7 C: N. r- N' k+ j2 [

2 e( p; H$ T. h, N: xOD2作用:
9 v0 m& U3 M6 T0 D  i6 K7 n1. 增加阻值! s  ~9 J. h! R. n. b, H
2. 防止電流過大而導致元件燒毀7 b  [1 [  U8 z+ I& j) r! ^
3. 通常用於高壓製程上: s$ s& g  B5 L$ Z0 |4 _* n, \3 _
" G) W( n2 ?% F3 `. h0 j$ y0 ?
SAB作用:
. B2 ~9 `5 s% B" W# [& v1. 可以用來計算電阻值
4 ~' j  X+ @! z( q& E! ?) Z: `2. 降低阻值* g% t) U# M1 ?. V' _% n9 [8 F- W$ T# }9 N
3. 防止LDD的尖端放電
, v4 p' V, q) R1 }8 X4 u8 r
8 n" q# F9 _" R4 t2 J
2 m" h. ]! ]' l/ C. x9 I) _以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
. M  h; L( {5 h" Q6 \* A
2 Z* }2 l2 E/ _( @- f個人的認知與看法!有錯請指點一下!
" z9 |+ x7 b3 O* o
. e  @5 ~  ^+ q, m5 m有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
' x4 K, n3 }3 c# ?1 K* ?/ m1 s: F! a
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
4 t$ c0 W. o) f7 {6 H5 e$ E8 b能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚& c( E) a: p0 J/ E
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的; Z" w0 B/ \3 P7 \6 `5 x% A- d5 u
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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