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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟: d0 R- t( H0 P, B6 d
" ~8 m6 Z) f) U/ `$ |
OD2作用:( i, p9 N' {) h% f7 B
1. 增加阻值9 N  _3 ?2 A0 o% l
2. 防止電流過大而導致元件燒毀0 V3 i) m9 K2 l8 q+ O7 o. P9 |. x; l
3. 通常用於高壓製程上( v. j; v) x7 e. T5 r. C
. g* F/ i% M, c( u5 ]
SAB作用:+ P5 l4 I0 k' q+ K2 u6 O/ b
1. 可以用來計算電阻值% |2 D: }# ?* J3 u- t
2. 降低阻值
+ g# J0 a4 q! U0 C1 }# c. Q3. 防止LDD的尖端放電1 ~8 f: D7 p) S# P" T9 w
: T2 J$ T' |! ~- P/ j

* I* ~. D3 g9 T" ]. E( e以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
. W% x9 y) f" a( c6 o/ K/ q! r# z! p- P
個人的認知與看法!有錯請指點一下!  p' V" i7 t8 I$ t  u/ `
0 e: P# C' c* p9 P
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!4 |1 y( E# q( N& j1 E

% l7 W2 d  y- {蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
8 _: E  a; }% k能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚7 i; ?* p. D/ S5 I" s0 u# r
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的; W1 f$ W1 g5 ~  ^+ w
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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