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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 _! g9 Q0 U2 I% k2 _- k' i$ d/ g( z

  ^$ T/ |- G3 j% X: `/ ZOD2作用:
! a" ]- y3 P2 W7 T3 Y1. 增加阻值
1 o) f$ A# G: w, t- C, G; Q2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 [5 D, w* x: \" n+ V. i" V3. 通常用於高壓製程上
1 V& L/ Y0 V0 [+ u! P
7 v. h1 Z7 A0 i# |( [  i. O0 xSAB作用:
( s5 p! f9 S8 a4 u1. 可以用來計算電阻值
- K" d9 g. ]( ~2. 降低阻值. W; o! b0 r* ]; G* X
3. 防止LDD的尖端放電
( s3 ^$ Y+ ]6 f- ^) k( J" o3 {4 [- ~) k% i1 G8 U, G0 b
( h! h1 G* Q1 u
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
% N+ o8 T1 F& V3 O
; d; t: {" e  {3 |1 m/ F# \" S個人的認知與看法!有錯請指點一下!
& h. L$ a8 }$ n) w3 t' O
. x$ i3 k# n6 D3 l: c) \有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!! V2 k7 V4 s! [6 p  b. Y7 f

; [' {! V5 ?( M( j  j7 u7 e* L( d' c蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!& L* `  u/ J  x5 y- W; q. [! z
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
: J: M+ w* J7 `, d9 y1 b9 q這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
) Z5 [9 ^' ]* V7 K' d$ H* i. lSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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