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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# ?! j) y( x8 v; Z' i6 ]) w9 r

% S1 R; b8 m! F5 ~- EOD2作用:9 K$ h" ^, H! t3 P$ H, G' |
1. 增加阻值
5 P- y  |, N" ^) o% o2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( A* i% F5 u3 k" r- s0 f# ~2 Q3. 通常用於高壓製程上# t$ a* k8 h' J  X
2 M1 d5 ^. i0 @# i0 L9 J, x
SAB作用:! b4 h" `; G8 S7 s8 @. M0 u' e
1. 可以用來計算電阻值0 g% i5 R& q0 E: ]2 H( l# o8 u; @
2. 降低阻值
2 Z0 r- i# ?7 w, ?( D3. 防止LDD的尖端放電
& R5 U' C- }- r4 V( Y8 o- c# q' Z0 f3 d/ j* M
' s! [$ r' c  @7 U
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 C! K$ `! m+ t5 Q
& T0 e/ u2 a4 M+ [+ y個人的認知與看法!有錯請指點一下!
. p" @1 g1 q1 h5 `
! T2 s3 Z  p/ c; S- b0 w5 M1 ~有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!, h/ ^: k9 d3 l0 D& U- L; g
) g5 d. T/ s! L. `! l, L
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!1 G7 S* _# P* B) H8 k% b' y
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
0 t. D* p& k8 u; M這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的2 H8 l  @, d8 n
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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