Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21973|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟% w. n7 n6 J& ~! c1 e  d5 d
: k" p3 g5 W. B' S9 T' M- p* k
OD2作用:
7 x5 {6 P! w# U) i1. 增加阻值
3 @$ @1 O' ~$ j) {' H3 `$ z2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 H2 O# D/ }  d0 d
3. 通常用於高壓製程上6 j& N0 `, F3 b3 `+ y$ D+ Y

: J# [! ^! G" m. W& {SAB作用:$ V* g1 x3 b* ~) V5 z6 F6 |
1. 可以用來計算電阻值) y0 E2 c/ G5 C
2. 降低阻值: y+ t! r; @, G* s
3. 防止LDD的尖端放電
$ S2 f" q  O4 K5 o  t- `/ p; x, E% n7 c+ N
7 h# r/ H) T8 f, G
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 1 [$ ?$ H% k# C, W* |
7 L- A5 h# t# b7 G# e
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: R9 `2 m+ l0 y8 q( P/ V4 g9 |
5 {. A2 U8 B8 Y$ N" p3 B( Z/ U有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% v/ Z) N9 C4 @* A' p* ?% Z" C
2 W- Z! l3 y" }; H蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!9 _: Z& O6 f* j6 Z# C
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( ~6 j; m! O5 e, w. C6 L
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的* W) \3 X. Q. {1 z# S" @& @
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-11 01:20 AM , Processed in 0.158009 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表