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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟, _) ~# w' ]& |. B6 |- @, Y

  n. U- W" h( F: H0 YOD2作用:* T; F" i& ^1 q8 m
1. 增加阻值
6 I. t) c/ m7 S& {2. 防止電流過大而導致元件燒毀
* A3 O! V2 T3 }" K8 f+ ^3. 通常用於高壓製程上- }( @7 i2 c: m5 \$ R# T0 s

  B5 P9 g# ~" h% y2 s- h( L0 gSAB作用:) U! U0 V3 O; a3 i1 V
1. 可以用來計算電阻值
7 k% v% D. P) G0 v6 Q* k, X2. 降低阻值
" S" G7 U5 q1 M% D3. 防止LDD的尖端放電+ w& w' y9 u! S  P# u
2 Q# d# n8 M8 a/ A1 n( U" ?

0 z+ w: p. s" K6 d: x以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ( D# h* A& M% e# M/ e/ _, H

5 ]1 s- p, x/ z/ @個人的認知與看法!有錯請指點一下!
5 m, I1 s7 w3 ?* c% T8 i
& l  Z5 ~. m5 L! P! G9 u有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
8 A0 t" W. K6 H! ~2 ~# `1 R$ F& j6 A( w
& R4 d6 t" `) R# p7 m蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* T0 b, v7 U, W1 v. \+ _
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚6 J7 D, H$ c" F/ s3 n) O
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的0 ?, Z% d% V" L. i, w
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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