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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ f9 p2 ^# M, I" {! f' e5 ]0 d- N# T9 S+ \5 j4 G" c
OD2作用:
/ C6 L' R, w: R' O: j8 _! U1. 增加阻值+ O& x2 x7 o. w1 ]! z3 a: h
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
3 t8 ^# |# O- |/ p' g0 z3. 通常用於高壓製程上, W# K$ n7 Q" _; A7 ?) Y
5 A  X2 ?8 l) {6 j7 a
SAB作用:
* d; z' U( t# c  @* B! G1. 可以用來計算電阻值
# T/ T% E5 ]/ w4 M, {& [2. 降低阻值
, `* x, u* ^( j8 x3. 防止LDD的尖端放電
& `/ Q  N0 @3 V; D: X5 h" S6 B# y
" |3 o4 l7 Q6 Q% Q; ^4 {1 s$ t5 X2 i5 U4 k8 f9 C; T
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
7 E1 X+ Z7 F/ `0 I" n  v  a( m2 w2 c! ~0 \. J& x; x* M
個人的認知與看法!有錯請指點一下!4 Z) l8 p. I# R+ q$ o* I& D& X2 i
. l; K4 T& ?' @8 h- }6 }/ A
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!3 |& B$ z8 }! j/ k" E
* A& J7 [) T" g2 G1 i! `
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!; s9 H" R( B2 k% l  J" d
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚1 [5 i, l; ~  k9 y, `
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的6 ^7 T7 [% l) z0 s- B7 f
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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