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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
7 y, ~: B/ B4 L* w/ ~5 M, n# s+ H$ k% E8 Q( U
OD2作用:
3 x$ t7 [: t1 a1 L: I, [/ ]0 t8 O  B1 p! w1. 增加阻值! {& k7 A5 x4 I& |  ^5 N
2. 防止電流過大而導致元件燒毀; Y2 g( ]. i! e/ N7 j3 }
3. 通常用於高壓製程上% X; p% r" e- m0 ^* g

8 |/ W' E& U8 p8 K2 o2 ZSAB作用:
  r3 p" l! S$ k% R; P. g1. 可以用來計算電阻值) ?! Q# u7 G' Z8 `. |% f, n. y9 K
2. 降低阻值
4 p% [* M1 v% K8 @1 Z3. 防止LDD的尖端放電/ s: D. z0 l% O

5 j3 j+ ~7 ^! c7 _
: M0 ]1 [4 U5 u! \以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 $ }$ w8 h! B/ h! P8 |3 g: @1 g
& D4 z$ o; J7 M' e' \
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
$ o: ?' }7 A- N' C+ D8 J4 k& m) t7 D' i& t5 p: X! h
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!5 \# G! K5 w0 x; e& j
" \# J9 v# O8 b- X
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!" r# v* ~- h. M0 s9 o& |' n
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚& [4 X  G: m# Y  w, r; s- V
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
6 V+ B1 F& u) R: F3 p9 S/ K* ZSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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