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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
( {1 S( ^+ e! C/ z- j+ L# D" o" g5 O2 U5 E7 ^" n
OD2作用:
+ H1 g6 i; d: ]1 R6 G5 O9 }, d  d1. 增加阻值% v: ]( y3 d1 O) P/ j; K! y
2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 B& M4 m6 y6 u7 w4 E* v  b  _/ B
3. 通常用於高壓製程上! G( y' E2 F- V- l4 S4 x* t5 |

; m# Y7 N5 v$ X( {* |/ gSAB作用:( x/ \4 U# b" Q1 y3 o9 f
1. 可以用來計算電阻值
& ], v9 g8 x  [! i, f& }' l9 d9 i8 L& O2. 降低阻值
0 i+ q6 ?2 f9 ^6 [  S3. 防止LDD的尖端放電
* P5 S7 s+ @; y  R$ n; U/ ^' z; G4 K$ _$ [

7 H! u& l  j. ^: d$ u以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
" i' _& Z  x0 ]+ J6 n$ \" ]8 r% @! ~2 O6 `  `8 s
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
  t' d, y+ H0 K, A) X" x
0 E9 ~0 V" f5 }, s, U7 V有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) Q9 w3 o9 t" _# N/ X" W
7 K8 l) x' N' n% h/ K5 c2 k
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!) d& C$ d$ p+ S4 f# }* t7 h
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
$ Y! v  E4 z: O5 _; j這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的+ T  t! G3 H8 |3 F
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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