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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟4 B: ]8 U  w6 N4 B! \5 W3 w4 N
: O; q$ A3 J6 \
OD2作用:% N* J# p3 v' `2 R! L$ R* M
1. 增加阻值
9 O, [1 d+ |( ~+ ~% X9 ^" |2. 防止電流過大而導致元件燒毀$ }, w4 r' @6 ~" V6 {
3. 通常用於高壓製程上
0 W2 i% R8 G& i! o: s  i4 ~* }8 z5 p' A" F% X  A% e" f0 Z! y
SAB作用:* K0 h: G) ?* J8 h6 i
1. 可以用來計算電阻值
% A  |% i6 u5 G7 M2. 降低阻值
+ z0 i9 O4 b  t9 i; Q# {2 t7 ~6 r% w3. 防止LDD的尖端放電
* h3 S% g: R& ]
3 D9 \! x5 ~' T6 v" T; k: g* \% l8 A4 x# S+ b+ f
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, p2 Z7 d6 m" O7 k2 E) u  y( _' ~2 \1 U! t$ E( k
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* ?' ]6 w! f4 F( D+ K6 ~, t
5 i9 Q, N3 N$ F有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!8 H0 N" T: t# D: K% M4 P
" d0 d) X  N5 Y
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 t! ^5 r5 f( M) n1 N能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
* U. D, w3 R+ E8 D9 L4 c) ^這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
/ J9 G2 `4 _1 y( oSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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