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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 C8 t; {: k0 |. ^# ]# [' N+ w7 g& ?

& t# {6 U: I$ B* ]6 ~  c2 LOD2作用:
1 v0 u: ?# }% d4 @# R1 B1. 增加阻值5 h$ f2 d8 J+ y5 q0 t& J
2. 防止電流過大而導致元件燒毀$ U$ P9 a' p$ S4 X" G
3. 通常用於高壓製程上/ L2 W# x% z" S$ _  K& f
+ w" t' P2 T0 r1 Z
SAB作用:
5 Z1 N$ f, U4 b! @# C1. 可以用來計算電阻值, H* [, h4 ?" g/ r/ Q
2. 降低阻值8 Q+ H! Y' I- [# |% V1 l5 J
3. 防止LDD的尖端放電
4 {+ c8 R+ }3 r/ s+ E! r
; X, o% a( j; c" N4 V& [8 ?4 M4 \# r: N# j% }6 Z. V6 h" F
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
) Q. f3 K6 z- Q+ v: b) T
, S1 b5 d  z. T0 d4 V3 t& g, n. Y個人的認知與看法!有錯請指點一下!; C7 p9 n9 T# A3 {
& f. _( \' Q8 v3 k9 J3 T2 _7 S9 g
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!" t/ S1 v0 ~+ w1 x, D

+ w" H5 E; }, A( n/ _蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!' P/ W7 |& K3 [+ C& D4 j% i
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
" [4 c0 Z+ H  d# z3 |" F這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
2 _& y( s( t, r: VSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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