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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# N1 k8 K' N' F+ m; y5 p3 m
; |. U! d' n) {6 W1 M' Q8 jOD2作用:/ a, ~+ i: f0 E: v0 ]! t
1. 增加阻值0 }; K$ T4 m' R8 R+ F9 a
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! d8 N5 G, m0 L* r1 A; T3. 通常用於高壓製程上5 k* f, b  @; N: D- V9 D

: D( A3 K% v; a2 b- \' |SAB作用:' E6 N" `0 c" |9 S
1. 可以用來計算電阻值$ d4 Y3 E- U: L/ {( I4 K
2. 降低阻值
0 P" @# V/ U) O3. 防止LDD的尖端放電
7 i9 }3 \' c" X5 l) @% P
7 ]. h  D6 r$ n* J6 i# Z* W- V: a/ W# |- M$ c: y% u# Y2 K0 X! L
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 y, T2 d7 |6 @2 i
  b# Q$ G: a6 r" o5 S9 V個人的認知與看法!有錯請指點一下!: Z/ m( m6 U8 `: F
* c( u3 y" `: `9 J% c
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# d+ C2 y, J5 A$ k3 s
9 q* s/ p  N  ]& m6 U蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 w1 y8 p4 O" G& M% }* P# v4 I( C能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
4 L* }! D( D( V這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( b) B- e! u" _
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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