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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟  U4 H6 x& ]4 g1 A; [* c, n2 i) U

6 u5 o! o- T4 d" H$ y2 GOD2作用:
! W! C% t8 ^% c# [* P" e3 F1. 增加阻值4 T4 o7 ?0 k1 Z; |- Z: [
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
. ?8 m: f2 ?; b( P$ z  H3. 通常用於高壓製程上
* M' A. l& P# Z* _
% F, W" N" }% q2 S4 a$ @- M% ~SAB作用:
% t. B0 }( a* c+ ]1. 可以用來計算電阻值
: ]3 n+ ^* B! N. c+ A5 D2. 降低阻值4 I. L. m% d# [: v
3. 防止LDD的尖端放電9 o1 M+ o. \9 J8 ~' U" b9 j8 Y

4 p# X0 P9 G2 |+ u: v6 D3 b% `! D: G9 E
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 / S' e# h6 e4 P' n1 H( ?

2 K0 l! T& _+ n4 u% ^個人的認知與看法!有錯請指點一下!
. Q( S4 j5 }0 A, K3 q6 [' r5 N
, [+ s' P( g3 m7 G有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) V+ L+ ~: {, h" x, A

* ^. y# e9 O% s/ S2 g* X- b( i/ I蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 y& f5 e: i9 m) C能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚) c$ e1 T1 v. W/ I5 ~
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
+ [5 k% F( r5 l) r* `2 gSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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