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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
/ V9 L6 ~3 f) Y" m3 E' N& k3 h, p" |8 H6 X
OD2作用:
: Z, L1 o: r2 C4 s$ I' S1. 增加阻值8 m' B% l" G, ?# M
2. 防止電流過大而導致元件燒毀4 R# z3 ^  R3 D; _# q+ j
3. 通常用於高壓製程上$ c3 v: a. L9 S) ?

; L2 u) u4 ]8 `- Q* f, BSAB作用:
' s! [0 c9 o) X5 j/ k" K1. 可以用來計算電阻值
2 c1 o" U1 U) I7 |# B' ~2. 降低阻值! h- y) `6 v# V+ z& m# t0 e
3. 防止LDD的尖端放電
1 F) C7 B0 e+ {. B6 \! A( j  A  w, ?4 F* a& l. ^. k

( L8 B5 t& [: A7 E以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  O* o  ]2 M* n8 l" h. D: v/ X! w6 |8 t% C  i( V
個人的認知與看法!有錯請指點一下!3 R9 {, n* {6 c4 z# u
0 w( b$ @5 W* @' _, F
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
8 d. ^* Y4 M2 X  \9 R1 R% k# e) G/ M1 u+ Y, U+ L, L0 A" L
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!7 ^6 a% I  f7 _/ a
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚9 S2 X# K  k4 ~
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
+ `6 j! Z) M, y# C4 c. \) GSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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