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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 K% N2 W! z* `: v& `8 ^
; @4 @7 s. [  Z& Y. j; ?8 [3 m8 z
OD2作用:6 ~& ]5 D( T% }: B
1. 增加阻值
9 k' e( e$ F- Y! s2. 防止電流過大而導致元件燒毀+ a1 C2 y2 K2 g) n( Y2 S, i
3. 通常用於高壓製程上3 P* P- n4 l% ^) m9 }, p

3 s* {2 N8 O2 v7 |: T6 w2 r3 qSAB作用:
0 b1 L$ Q9 w& Y$ g( l1 |! W1. 可以用來計算電阻值# R: i  t# s9 D, f  P6 x. e/ t
2. 降低阻值
% W$ X8 b2 u) {9 `+ b6 d7 y3. 防止LDD的尖端放電
6 c, B7 Y' @4 C0 u: V/ u* I
4 o- Z) ^( v$ g/ y4 z/ q$ U
) c- C* g! S' N# i  h( }; [以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
' n6 V& z5 f: A0 X, n- D/ _, [' p/ _
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
! N. `/ k9 `$ p- ?& D6 Y. y' Q* k' }! l8 f- D
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
0 s; E" [) i! L+ }- S/ B' m
3 I' x6 ?0 l: O% G* Q1 j' ?蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!) y6 O6 H% u/ D4 k0 t9 W
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
5 ]% q- x8 l2 s- a1 o這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
, |% y0 |' t) h' \8 OSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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