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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟- t7 ~! U& W7 e
7 [4 c& N$ `' b5 |
OD2作用:* @1 ~. A' H' V- u' v! C5 ?% t! J
1. 增加阻值
9 S- ?- ~# k( Z  P2. 防止電流過大而導致元件燒毀
' @4 L, f! \; n  s3. 通常用於高壓製程上
" `& c8 c3 m; }) K* O, I0 O3 u+ T0 {- c# ^
SAB作用:
* f& L, v! J- u! t6 I# ]5 o; \1. 可以用來計算電阻值
1 ]4 F4 |% f! Y. n! B2. 降低阻值
" o8 t" N& ^) i3. 防止LDD的尖端放電
: `# e3 Z  G- ~* D) C- t4 L8 C1 V- h

7 M& R4 m  a+ `0 a0 E; m以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 + L" y7 [+ j5 t5 ~, Y1 K8 b
4 t- D% o; v& T8 S) i9 s4 q
個人的認知與看法!有錯請指點一下!: ]- P: H/ U. }+ M5 l3 C# k
. d* ~5 E  a0 b( i# W9 I& \" H9 k
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!6 |* G1 J5 d! B( E. ]

# w# i* n) v6 m( v( S! M. A) O3 s蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! l* ?4 Q1 N: A! J能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
! }7 B' K3 L4 u, `這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
0 M7 A6 @/ G: G( @6 SSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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