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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟. F/ U" L1 X7 Q8 z3 L

5 \* H% ?- n% EOD2作用:1 J2 a5 J; y5 _( f( Y- j& Q
1. 增加阻值
& c- K" ]7 Y5 T& }3 U6 t( m2. 防止電流過大而導致元件燒毀+ ~: b7 d$ P" k( u& o; z$ k, e
3. 通常用於高壓製程上" K  n  N: P6 ^

3 @6 }! A. \5 I9 m1 q) zSAB作用:
( z, x) d" J$ P$ N/ v1. 可以用來計算電阻值( f" l; u& V8 s9 U8 J5 J5 n
2. 降低阻值! Y( @5 [  c  P
3. 防止LDD的尖端放電6 F. c4 E: P; ]$ Q

' E) d/ ?5 x9 F% A' u. x& d: b: z' s8 W' T, ]
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 0 ]9 P7 D1 v. y

  w+ b6 g( @2 r$ G) t3 X  m7 x個人的認知與看法!有錯請指點一下!; |9 N( A+ P# u: G0 e) ^

. @8 m& I5 u. C1 h8 _! Z$ p有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!. p2 @  f% f* L5 j
! {: P3 L% p6 f% L2 u- x! u) O4 [! l
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
8 g. Z+ K! e; K0 ^$ c4 F8 \能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( ~" H( m/ T, k$ _  ]
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- c3 j  ^( w7 l8 k5 o: r4 Q5 BSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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