Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21648|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟/ A& r! ]0 P  x/ b. N* d5 D7 f

* o  d1 N! O. i2 @8 U- t4 M( COD2作用:
/ l( ^2 z0 V% `' d% Q. |! [1. 增加阻值
  W2 r) F3 Q# ^6 Z- `" m2. 防止電流過大而導致元件燒毀
. O& ?  C$ o2 n* F3. 通常用於高壓製程上
2 A& o3 G1 k! Z, S/ l" L; K: u* {1 r
SAB作用:
+ D, ~" ?0 w$ g" x1 g' n1. 可以用來計算電阻值! O4 _# y. `1 D3 X1 I4 B3 J1 Z
2. 降低阻值
- J: K! Y. v, z# W* K+ a3. 防止LDD的尖端放電
0 J# v- t: q8 e% `( w% b% b
8 Q$ s* h2 E5 u6 w' t
& B6 \: x. f* `5 ~+ g8 t, A以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ; R3 k" t6 m5 M
3 R& G3 W& A- R9 r( G% Y: n
個人的認知與看法!有錯請指點一下!: k' E. z. E7 J

9 H% d8 j! N6 h, R7 p有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!* o, Y* h4 S- C

8 R( d! B- }6 v! q. q' H蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
* ]0 z1 n6 Y5 E/ A5 _1 |" ^能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( [: W; d& G( q3 ~$ k; ?
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
( s7 \0 K, j$ y2 ~. }0 YSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 07:09 AM , Processed in 0.163009 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表