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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟4 [9 ^/ y. p7 e) B( X% X; Y0 v

% v: b" u1 y3 G, |& J% x! a) j9 HOD2作用:
# A& p1 y4 U* L1. 增加阻值
% J/ d$ g1 D1 Y3 D& [. i# ^8 J3 M2. 防止電流過大而導致元件燒毀0 x4 m7 }, z5 q  l/ _# \
3. 通常用於高壓製程上
% H, I) v- f) j
6 F+ Y& D$ g* w; S4 e6 i; lSAB作用:1 Q& ~/ C' K% f& k, m  {( F
1. 可以用來計算電阻值. m/ U9 A& A& ~* O) O+ z
2. 降低阻值+ H; T3 A/ M1 F# G3 e6 N' E, j
3. 防止LDD的尖端放電" K( g8 o) W# E1 L- ?& b( N* T/ r0 o
0 R. ?9 d& j  |5 j/ D" }
. m9 Q  r; M2 S* O! o  m
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 0 L- i" w) i# D5 I2 i5 \0 E

0 b' H; [, \! V個人的認知與看法!有錯請指點一下!( K& p9 S) q. L$ |# P. g$ T8 ^4 a  ^1 B
+ S* Y# l6 Z7 X
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
' N6 l+ G) b, ?- }; Q8 Q4 g" J. j% a  {" d; X% D
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!5 Y$ _4 ?* Y- s1 U3 C
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚9 v* ^" v7 ?+ x6 n
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的8 B! Z; D( j4 ]8 o
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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