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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟; O. D  m3 v: q5 v; m

  b3 T4 T- h$ ?0 {OD2作用:
$ y- \* p$ u- `) k4 Q' q- ]" Z( m1. 增加阻值
* C* F8 U; s, g$ v( X$ O2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! V: G6 M4 ~& Y8 {) A3. 通常用於高壓製程上( F( @9 i  e1 j' A( @# `% b

0 E: O3 R4 ]7 f: s$ n' RSAB作用:
  |" i4 l2 t1 _  K/ n" P3 @# B, a1. 可以用來計算電阻值
8 K5 E* v" c. x4 b7 H( L3 s2. 降低阻值6 j* j! d3 v- c6 Z
3. 防止LDD的尖端放電8 }( ~5 w% j5 c( W3 a
: k2 l$ F( n8 ^& o9 Q. {! q* Z6 K3 g

1 i7 q& A% Y& N' o) @以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  O' f7 F9 f  B
, H5 l) O7 X/ s% b( @% `9 z個人的認知與看法!有錯請指點一下!
0 y# K3 U$ L1 L$ L6 |0 ?+ C
$ @) b! ^. ~$ |. c# l: i% S/ \4 W有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
1 A7 h+ N$ d1 w- ^+ }
! w' K" x# f% T3 K3 x4 k蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
  k# m4 L3 ^; t2 p1 i5 }能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
6 x" h8 D+ @3 D這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的3 g4 n$ H- @, D. R, L: M
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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