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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟5 J4 u8 j0 A( l+ o" r

% [/ F. y) o6 k3 q/ jOD2作用:
2 u5 m" F7 w" J; i/ p  S, n5 j  C1. 增加阻值
7 M" d5 A" N  u+ [9 Y+ g/ x5 w2. 防止電流過大而導致元件燒毀) w6 I7 l# ~& |/ x
3. 通常用於高壓製程上# k7 C% i  q( ]9 l$ L. U2 f5 i! K, X5 X

$ x( }0 |" S5 j9 v% s" [SAB作用:& G: O3 E4 j/ C$ ?8 O
1. 可以用來計算電阻值% W& w. n3 I" R6 D! @; y6 f+ J5 C2 M
2. 降低阻值# A/ _7 F- d3 M1 [$ t8 L% c
3. 防止LDD的尖端放電
  d: a: ]8 h  f( B( _+ z
$ e9 J: x2 E/ R2 e
6 B2 e* h. a: b$ |" {' ^6 L以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
8 }0 _$ e* c$ ?1 H3 y
6 c# M2 u) I* I+ f2 @9 z' ]  l1 {) h個人的認知與看法!有錯請指點一下!
) M; {& C% ?, s0 y3 k% t, z! x/ C: K+ P7 U
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!' J% a9 L( ?3 P6 j/ J; }

3 Z/ K9 z4 v4 q, i* e蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
9 i% c3 g/ S1 o* U! E" R3 o% Q能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ ?% U, x- b% W( V' z6 b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的+ f; @" j! _2 e& [7 g
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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