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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
1 @+ t+ O, s& H# s# o
! ~7 }2 x6 q4 }  L8 O! AOD2作用:& M8 M6 ?6 Q+ m3 B6 I, V- z4 B
1. 增加阻值; v2 Q0 Q% b, o* [' \' h7 f1 x; l
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
) U! b) p1 T' y+ w! J3. 通常用於高壓製程上
7 r4 A' s0 U3 E6 ~. g
7 s* r" u  G8 ~SAB作用:
+ n0 j% a5 T" V% k. {1. 可以用來計算電阻值
) B' Z! W/ ?0 E# {$ A+ y$ K2. 降低阻值! D  v0 M2 ]$ r' `
3. 防止LDD的尖端放電
  l, ?7 @" }* E/ ^4 G9 t, T7 X/ f6 y$ y' `( y& V
" |4 P4 ~( e# i1 _# g
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ( @& [6 o4 E" ^* e- x
2 S1 B  E1 F+ a4 I, T
個人的認知與看法!有錯請指點一下!) g' I% P5 r$ Y+ E& |8 d: D( [
9 Z! X+ }7 _, \: {! i' r1 k
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!0 r# N" Y6 j* C' z

3 H! f5 F9 X" F3 F' D5 L& C. Q蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!: c* @! B( l, i/ Y+ ?
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ h  c. c; a9 a! b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  V5 `# r; v# y* q$ P& K
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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