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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟3 @0 y; K; b1 y( h( c% g. o' C: q

: o: h" n6 Y4 r+ e8 BOD2作用:: g4 `. p0 R4 ~, R5 C! B; g6 r
1. 增加阻值3 g' W3 }. t# X  f, Y
2. 防止電流過大而導致元件燒毀- V1 g, B( I7 L
3. 通常用於高壓製程上8 D$ K  Q5 X) ^: _
! [& B; p% ~8 \) U& t, |
SAB作用:7 z2 E4 ~% |3 u! }+ @. s5 d' O
1. 可以用來計算電阻值
0 e# i5 Z  z% K* s2. 降低阻值! i( I' e% k: e. m
3. 防止LDD的尖端放電( j( R9 }& K3 O% Y7 f+ A

7 Z  f. _. \4 V$ J/ Y* g1 }* G
: h! K' M# g+ H% l0 o, D7 a以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - N$ R* U8 t% P' h. c
8 o# e8 @' j. K
個人的認知與看法!有錯請指點一下!  a3 ]' w' V4 w8 U. t

+ n- Z; s: U% _  q* v有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!/ R5 m% s& P) R* J2 ]% ?
( v/ w* |1 S% s1 ?
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
5 S& b  e$ a9 e' L% j能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚7 M, C; Z1 J1 o
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
* N& Q  v0 ]" c) oSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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