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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
* a- I2 B# q" A: ?, N5 T- {% x% S4 k* h. ?
OD2作用:7 j3 \" j* m' l  U2 R$ Z' x' `
1. 增加阻值. K% b8 P3 _/ _7 D+ G5 y% ~
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
2 m. V6 N( n4 g( \5 e0 I  e4 [3. 通常用於高壓製程上4 {8 B, A! E7 v9 q" e+ G4 C9 E4 F' _
) V! M& H6 r% ?& a5 w  \* a" ~* @
SAB作用:
9 J4 ?$ S% `: a3 d' _5 a1. 可以用來計算電阻值3 ], p% y$ f  S" F, ]
2. 降低阻值
2 z7 P+ y: G0 ?+ c, d3. 防止LDD的尖端放電8 b3 r* w% t0 `0 H, n
" y. u# R* l( H* }

* y  d5 r/ m! ?6 u! I; B以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
/ ]9 _  m, J1 Z& ~+ ?* {2 Y. G9 `0 N6 i+ T1 ?* {3 I4 Z
個人的認知與看法!有錯請指點一下!1 x7 q: ~0 O& ]6 Y/ ]1 W9 ?

3 I2 m% R9 U4 b* \( s# R有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# A- [0 _: E6 T  m! {# }9 a
5 w/ s. e/ t. u蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
5 B1 _/ g. {0 ^& ?* [0 ?" ^能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚, g  Q' O, v6 V0 \$ S
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- ^$ U" i1 ^- E7 J# vSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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