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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
* Q, C% \* j3 a% K& d) t' R
$ d( ~* _0 W- VOD2作用:
5 ?! c9 ^7 [# U9 v  r, K1. 增加阻值
) k1 F+ M8 _6 |7 ^# K2. 防止電流過大而導致元件燒毀
- [& }( W/ Z# t9 k& m! y) y3. 通常用於高壓製程上
6 [  m" F+ J4 y" R8 [) O" ?9 ^, l4 i9 v9 w) C; F
SAB作用:
8 L$ i2 E- m6 ^3 z9 i1. 可以用來計算電阻值. ?- M( d9 d+ k+ i; Q
2. 降低阻值
; @7 G( z2 @/ f9 n3. 防止LDD的尖端放電% N* ^9 [0 Q: ~+ n0 U! I
) @8 u0 t4 @  ]8 r5 z) I
3 v" E& t* b3 j6 V5 l
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 P0 m) j, k" \+ c" K( I
  Z7 n7 |& e9 C個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 Z) G7 W! w( I% @3 }* P
' N; t3 C/ e3 ]# S
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
4 E- y! X$ z* g
  n( P- c/ u* D- S蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
7 a8 c$ U. s/ F0 d, ~% R) B5 l能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 a1 t) d  B1 w- k! f- Y0 F
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的" L' b" O* S) ^9 c/ ?0 Z8 p* w, I
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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