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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
5 w" N& q/ n1 P" }% p
9 l$ P( T: c3 d& m' f% fOD2作用:
' Q; n4 A+ P! B! p1. 增加阻值6 D* ]) X4 y2 q; ~- K1 z
2. 防止電流過大而導致元件燒毀& u" P/ B! p7 t( S
3. 通常用於高壓製程上) V5 D7 x+ u: `

" P9 @, z! d0 Q: a: O# @, RSAB作用:
6 b9 D/ O& \# t2 ?2 ^; b1. 可以用來計算電阻值
9 f/ `( C! _  b2 Z- t2. 降低阻值
, d" C- x3 ]0 B0 T! }& q$ R3. 防止LDD的尖端放電! w8 ]( d" X8 [7 E7 @# e! y. @
8 i/ m8 U, {% w
  s3 u! \( g; Q- o
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
7 v  |# e: D$ G+ m7 V
- j5 Y/ ]$ o1 I: o6 A* s個人的認知與看法!有錯請指點一下!
& t. Q0 A" |( D/ [! w
: X- Q/ ^: _/ J. H4 u有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!: o3 a4 j: [3 e- |* ~; K9 y

% T3 x( P7 Y8 {: @) S/ c( k$ h$ q蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!; ^; Q/ B/ K0 w
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚; O, |" P. n" o! l! e1 j
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
+ s  X; i! Y' q; n7 jSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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