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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟+ h# F# N% _/ Y0 X( A
0 r" t0 J) k% v  ]) f* y3 H
OD2作用:! \$ r$ t" F" V% l, g7 D6 m6 D
1. 增加阻值
- w$ z0 z; J. G! M) ?# _& p+ W2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! b3 @$ [, X  N( |0 Z3. 通常用於高壓製程上
2 W6 t9 F, _; S* @9 B: V4 E/ W6 M
SAB作用:/ d1 r; D$ p8 X
1. 可以用來計算電阻值7 Y: M' Y' h- y/ K4 p
2. 降低阻值
0 O$ ^1 |- g! M7 f2 G' L, \3. 防止LDD的尖端放電/ ~) R3 B7 Q& u; d, r9 a+ b

/ v# M* \7 \- d: Y5 ]! e
# C- p: P, @/ b4 S+ ]以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 X& R2 L) x' I2 V  `: Z6 p6 G4 x/ R/ z/ u; p
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
! E* H" p" f- J* v. @! m; E1 b2 o" k* X
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
8 \  W0 |; e7 `, Y! l6 Z7 X( E2 A" q( q5 E3 r
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!' X: @& n- |% p/ G9 F6 |2 I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚8 N- O$ E/ F0 A; Z
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( F0 g1 H5 A; k! K; i' D
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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