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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
6 ?- k, J3 X/ ?: d: A( X
% c, z' Y$ q! ~' sOD2作用:
3 k# C! Z6 H- M% U( d1. 增加阻值
8 s" A% L. @+ T7 B2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( \7 l7 N* K3 A/ s3. 通常用於高壓製程上( |- t4 m, B3 }; T
1 |2 g, a# z3 z3 H% |/ p% y: O
SAB作用:& D2 d# R. u' G; N
1. 可以用來計算電阻值
- }. I1 C( E; ]2. 降低阻值
6 v/ O' R$ l$ }) f" u3. 防止LDD的尖端放電
/ N5 x, M; A, e4 q( ^
1 H: s8 h- w  T+ s$ l' B* q% S
1 O4 q# q. l5 `, ]6 ?+ y以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
) P) X. l4 N1 i2 o& T0 \1 P. t1 {, R) y! v
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
, h+ |1 x/ q8 I: j- |
9 ^2 T0 _* h; V3 s有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
' w3 K  H: m) A( Y  w9 k- v% n% l3 Q, K  k- N& t; V% o
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
5 @. @. F' T% ~能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
" a) R8 V9 }# @這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的8 G3 F0 M# ~* N
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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