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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
6 G& H5 y2 l/ S7 j
( E7 Y4 Y+ M* C( e5 dOD2作用:
* r& j' G& `6 ]0 M* R: Y1. 增加阻值
' i. w( ^4 n2 |2. 防止電流過大而導致元件燒毀
% q; z) F* P6 f6 H; k# d3. 通常用於高壓製程上
, @1 ]2 c) v, |9 {' K5 L
: [- z7 N( m) LSAB作用:" ~. w1 E% x1 R4 d) ?9 `# e
1. 可以用來計算電阻值) r; I$ |$ A0 _' v+ W
2. 降低阻值
7 |4 j% m* `* T0 b# K/ W% x& N3. 防止LDD的尖端放電
3 z% a6 s$ ?, x- [( N; j7 |; D2 C8 a) `* D% P$ k
+ i. N; b3 @4 e3 k# ]5 k5 N
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
: }5 r1 m- B/ W' ~8 W( f+ o
. t9 R; e% ^0 l/ R' v個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ f9 f" l, y  F* k. y  X- Y
6 ^4 E0 y% J& b6 k4 b6 r有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% d( \, D1 q6 W% A  a' }; _6 j' g4 F) r4 ]
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!6 X( x6 f' i- I, C0 q
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚6 D; w( {* Z8 H7 \) M! h+ Y
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的4 ~1 o# u- i$ Z/ S2 l& n
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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