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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟3 v, L7 p- i6 _6 h* A* k! {$ N0 E
! V; R5 a# w3 y1 k. B
OD2作用:! j) w% V. ~" h  i; B; D! l
1. 增加阻值
. ?# E- o0 f3 Q- g& b9 @) Y  O+ Z2. 防止電流過大而導致元件燒毀
& C8 i  a/ t; T5 D3. 通常用於高壓製程上
. W# Q8 Y  s! S7 n- ], j; ^& H5 V1 y. u: U$ u; O
SAB作用:
9 L0 U4 k3 P' T8 C* `/ b1. 可以用來計算電阻值
) `! k$ u2 A7 n2. 降低阻值
3 T+ j. y# _) {+ w3. 防止LDD的尖端放電
' @' w% `+ F4 g  ?9 f
4 r. @$ g3 z1 c
3 e/ z# L  z' I, \2 a8 a以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - r9 L0 h4 C0 Z8 d6 Z) ?  q/ O
: U) X# I' c1 Z% o1 A+ C4 S- w
個人的認知與看法!有錯請指點一下!" G* a, D2 `4 u4 P

1 I7 [1 Z  X# v9 q3 F  S  H% Z有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!# G) V2 Q. X# A- e
- c" ?2 l4 p0 M$ P5 p2 d
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!# \& d3 ?& \+ C: |, Q6 o7 \* j* C
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚' |" R( l4 K0 Q3 p( @: a
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; K/ }, m% l$ h. s& X# ?7 KSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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