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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟9 c7 K# M+ p+ N; e6 K
7 Q2 F! p. p" V/ m9 V% @0 v
OD2作用:
1 n% p5 }1 M- Z5 D1. 增加阻值3 N" Z0 |3 ~8 a( i
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 l8 Y) w- V; O# n3. 通常用於高壓製程上
" }7 u" e" g: a( U2 ^2 B4 P* o" f( Z8 g6 }% e8 {& A9 Z& G
SAB作用:
9 |) ~2 {0 b3 [3 s, K6 p* F; W, |1. 可以用來計算電阻值
" ^  }/ Q; t! f4 C6 l, _2. 降低阻值
3 C5 Y: ~; p& A5 L+ U3. 防止LDD的尖端放電, x# ^' Z# _% V

5 f8 a5 w5 ]/ D! [: j0 t' @, l
+ Q# x) _- E* N0 l/ H4 Y5 O以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯   {$ j7 I. j/ o* k3 b
& }3 @/ A1 W; Y6 q6 H( ~
個人的認知與看法!有錯請指點一下!$ |) b) |5 y/ n) }2 E9 j" y* U
4 H' C3 s# c. h- k$ x
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
- \8 c3 _& ?# V% R; g1 S% c1 o6 u, `' q! ?: S; |' u
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!& K% n- J4 o7 z  `" t, r
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
5 N8 }& ~5 s  w: k( T! \這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的# r9 S' E. Y% T9 [/ h& ^
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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