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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟* {. p# T8 w5 W  B5 o) B; O
4 ]. e: f8 P3 v+ N( ?  {& ?
OD2作用:' |9 ]2 a4 b. M9 ]  t" N
1. 增加阻值/ s/ s5 W5 t' K9 F; x9 c
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! D8 Q7 ?( Q3 E0 o3. 通常用於高壓製程上
8 O" d9 h& ?/ Q8 {$ J! ^$ S. {& K4 E  S0 l9 o2 R( b3 \
SAB作用:
0 h( H5 @$ u+ g1. 可以用來計算電阻值
9 t( H4 F$ F& {8 h/ e2. 降低阻值- A: w) R/ k+ G1 @0 r8 T3 w
3. 防止LDD的尖端放電
0 R- b8 _5 j/ ~2 w* ^. F
4 J# f, u1 }& z- n9 T. ^" e' M! k( S# T0 C
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ! t( Z8 l& \0 B& s5 H

! X5 y9 S! r& g4 m+ ~/ B8 S$ t個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 R' J- D/ B) Z$ h6 G( i

/ ]: v, ^( v2 `* O有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!6 M$ s$ d3 {4 H- ?1 a

+ _. u+ y7 p$ p6 j( a蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!5 _4 A1 h; q, }
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚8 v+ Z0 h( s7 `7 m- N
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
* k# Q9 Q" z2 ^4 X0 c# _' VSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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