Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21604|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟9 \1 E' d# y3 W( l( ^: L

' D0 Y) y% \; s3 H' D% m- lOD2作用:
0 O4 n: E2 M9 c7 W1. 增加阻值
' {5 `, n0 ^, w# n2. 防止電流過大而導致元件燒毀
) B0 L. T6 @) s0 z/ R3. 通常用於高壓製程上
( ^3 }# b, Y( D# @5 Z! M& |$ b5 N& {" I( S' l$ T7 Y5 x% I
SAB作用:
1 N7 s# [" F! R) \; h6 b/ c1. 可以用來計算電阻值. t3 H1 Z0 _0 e. I9 _9 _: K
2. 降低阻值) g% N& D! d7 k; a& N# S  I1 {
3. 防止LDD的尖端放電& m5 s, P: J: F

. I0 b( |5 ]' r* A: d3 _8 v7 _" ?. M7 n* {2 X; Q/ v  I
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 2 F) J  ]9 m9 {8 }" e  D

3 ~, g% ?& }! {& H4 h9 Y個人的認知與看法!有錯請指點一下!
! N4 p* N3 e2 a& H6 i4 D9 }: W  }, y- y9 E! J
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
& J0 ~& O* _7 R
( j4 [& H; y+ J; V* S" E" f蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
" r5 b* t$ Z7 h% g能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
* P4 g* E8 v" M; y/ G6 e* e這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的, Y6 r. V$ V: Y9 r
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-5 02:47 PM , Processed in 0.156009 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表