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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
+ U7 x2 i! T: v8 q$ Z# C& m% S" T$ x7 Q9 S2 z3 O" j
OD2作用:' c: j5 I* ~' \5 t- C$ J4 V& y5 h
1. 增加阻值# ^. u' o4 {8 Q" h" K6 g8 w! x
2. 防止電流過大而導致元件燒毀: m2 D2 M1 y% ?, B2 ~; [: G0 f. L
3. 通常用於高壓製程上; v4 U  ?! f! I: v, ^- `( C
) ?8 ?, T  M" P+ [0 V1 o8 O# n
SAB作用:
  P$ \1 J$ u( X" V$ R: [: Y- A1. 可以用來計算電阻值
9 f# z) W7 o" e8 t4 t+ n* x: m' E2. 降低阻值0 `. _% n; T& e1 u( M% F* R
3. 防止LDD的尖端放電
; d6 z5 w! p: C4 e" y& r
" y' v; |, X4 Z* v9 J: X) g
% D* l+ @4 r2 `4 Y: V6 f' A: V以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
7 k- w. ?) V, w2 r4 J
) z8 C: C$ ]. }/ Y: s' a個人的認知與看法!有錯請指點一下!3 m. M5 ~& j# t: A. T9 x% s2 j: x

$ S- u: h( c7 q5 ~) T, d9 u有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!1 d+ c  _9 W4 u% _
& @# i$ ]; Q6 b) D
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
, ^+ ]2 C: A" r  ?) Y8 k/ s能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚+ w. m' g2 V8 L; c4 a
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
4 ^# V6 E  L6 R6 xSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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