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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
* q; Y# y2 K4 C
( S6 b; @. n4 }' W+ P: E" YOD2作用:$ z% `9 I8 x& F) s: c* |; ~( j
1. 增加阻值* k+ d7 o( k. _' p
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
6 r  {8 I5 p7 ^/ v5 ]5 L3. 通常用於高壓製程上# u/ w$ q! t% ~7 r1 U6 r0 w2 E
6 y5 s; b0 N" D* F
SAB作用:) U8 H2 k2 S0 u: A" E% `
1. 可以用來計算電阻值
  z, x9 e" }3 i& q" y$ X7 o5 k4 A2. 降低阻值* J! R3 J& d3 k, i) X( ?' Q1 B8 x) G
3. 防止LDD的尖端放電
& x' }* N3 C7 Q5 m
3 u4 t  [6 p3 b% T5 S% `
( _& e% r8 T. J* {以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
2 c- u8 M3 N' y
" _( ]! A# [3 q) I/ y6 C) A+ |個人的認知與看法!有錯請指點一下!/ O" C, _* q' H
, W, E- l: |/ M) L
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
/ }6 V+ b- r" R9 \0 p
# f7 B/ k  x5 w6 e" E蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
; c) P4 _8 _2 t8 I1 X) V能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚& `  z$ \. A! x; J, R
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的- P7 |! a. N2 G: {: b- H/ O
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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