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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟8 d' M5 M  P  |

- q$ _& ], x9 j& o3 ]OD2作用:
; I+ j! k. E4 M$ v& ^! M1. 增加阻值
2 j, @& ]2 _9 @* l9 u: C2. 防止電流過大而導致元件燒毀
$ a- Z1 d* Z2 T0 i/ \$ G3. 通常用於高壓製程上5 S1 b/ k8 t) `

! r  k. [8 N/ ~" N4 V( L. qSAB作用:
) e/ [* [1 n2 c. ~% O  [1. 可以用來計算電阻值
& f- K3 f) v8 o8 o' F# e2. 降低阻值
5 J& L# y/ I; B" a3 {8 h' d3. 防止LDD的尖端放電6 @0 N. e4 A2 ]& u
8 l( |0 W0 ~- b& S. ]5 `! q
1 R  l+ d) [  {* r2 R  M, v
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 S; @0 K& D' u* V2 `; G" C4 k0 D

  q; ]; ?1 q' z& H. K個人的認知與看法!有錯請指點一下!
7 m& `; P3 ]- H" G  [6 H0 k# B2 E4 J0 i% F6 @( d$ @
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!% r& a( n( {- p6 ?% T
8 \1 c/ e/ `+ S% o5 B! G& `
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
+ j# ]8 ~) e8 s$ W能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
( H# M; Z& M2 o1 e# i- k" Z0 ~  m$ e這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
. \) T" N. s  j6 KSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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