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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
) R9 e' d4 B+ k0 v" I2 F6 f0 D! O: G5 l4 U1 {- z
OD2作用:
1 r/ ^- _  n6 x; d3 Y1. 增加阻值1 b* ]( W; j* n
2. 防止電流過大而導致元件燒毀/ Z8 u& Q: d" J3 N0 o  d$ T
3. 通常用於高壓製程上3 p; U  E1 _8 P' Q& \% i0 i
7 V$ }6 h" [2 z( e+ P
SAB作用:
! }2 A1 [! M* G9 b. C8 t5 W1. 可以用來計算電阻值  r2 `3 Q  H; H
2. 降低阻值
* n9 k0 w5 Z. e3 t, o& n5 z3. 防止LDD的尖端放電8 C/ S8 v: k+ P* H) p% ]" G) V' s/ N

% I- W2 X2 B( _0 u
8 d0 x$ C3 e+ h; b" T- X/ K/ g以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
& ?- R' q! j* ]8 |: k) e1 F
+ ?9 Y* K. t+ k9 h9 f個人的認知與看法!有錯請指點一下!
+ H  C& |3 n  X8 o" h' V& X8 c0 g: u8 p
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! m( s  P/ [1 R# O4 Z# g' F" n6 N' o0 f. t* h3 U' A: ^" l
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
; r0 H" P& H" s3 D# }能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( n# C& t- d) g, ]. f3 {. z, E+ p
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
" J& \9 c, M% D5 ~7 _# tSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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