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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 _* ^4 s& \9 h/ m

/ ~( J# R% b) S+ d9 \* b$ R* zOD2作用:
% t- U, |" ]9 C4 g! L1 A8 P1. 增加阻值
# V% y$ h1 Y) k) G2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 d/ Q( q; `7 V, d3. 通常用於高壓製程上7 Y) @( ~- h0 i1 A
) }) B0 }8 m" q' c/ S( A8 j2 [2 e
SAB作用:8 T2 }1 I* N0 b4 S* y' T5 M
1. 可以用來計算電阻值
0 |6 P- L6 F5 c, `. C2. 降低阻值
& o3 E, Y- L# A: R" Y; S6 E+ Q( {3. 防止LDD的尖端放電
, d) O/ n$ C7 l) p
" Q7 y& s$ U: J6 q4 ^  M/ ^5 v/ h) ^* V( m& J
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
8 i1 d: v7 _3 B7 J( E7 ^! w+ V! ?6 a* n. D
個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 u( p6 C5 F( {& v( Y* j

% _- T, W5 E% N, a' f% k有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!4 g- B4 ]# B3 \6 _. G3 \0 p
5 t% o1 ]& J) s9 t0 R# M8 v
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!% W: B; F" r! ^; S# X! X
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
! E* C# [& G3 ^  q; y# y; j, k" I8 S這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! W; I' \5 u) O+ uSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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