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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ w1 D) E, Z0 K. z1 u( N/ X0 O* k' S% K8 y1 X/ z
OD2作用:, A3 f$ Q6 V; O. ^
1. 增加阻值' D8 y* E+ e- e4 [5 F( }3 o/ e
2. 防止電流過大而導致元件燒毀; V" h: x& P8 j% k) v5 o8 O+ `* Q
3. 通常用於高壓製程上' c! N3 W" c" A: i6 f/ b6 K5 b) i5 W
4 j4 Z0 `  x* K  v) h+ C. O$ x3 \
SAB作用:+ |- o: z" V# R' u! y, ?5 ?
1. 可以用來計算電阻值) m2 b" ^3 _. Z
2. 降低阻值
5 y5 q1 I0 |; c9 O8 V; a  E3. 防止LDD的尖端放電
& A2 b, U, A- ^5 u8 _4 z: ]) l% [8 G4 q% {4 a$ V9 u

8 Z. C2 x- j' a1 u, B以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 d6 Y! c! y$ q- B9 Q0 q3 v7 I8 |' _  a1 t- S* G4 @
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ Y( o  N: j9 N  [. [! e* T$ M6 I5 a! w. Y% y0 v
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
: _. M. y! D6 H5 n) k! b* R. a( M6 X
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
7 o; q, [. A8 S" L能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
/ ?2 t5 _/ p3 _& y# ]; n4 E這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
1 N: `: ?/ |  i3 YSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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