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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 j! X( l! N; ]  ?
; ~- o- F5 _# d$ K  X9 S1 z
OD2作用:; q6 |. E+ y2 I6 q6 U6 d0 g
1. 增加阻值
9 Y8 U1 O2 W! f, P* m- B. n8 Q2. 防止電流過大而導致元件燒毀
2 b9 b! n: @& C9 s3. 通常用於高壓製程上
# s0 f( U9 v" t
* M" ~4 X2 J$ LSAB作用:3 G* Y: [. }' |! T# ^' Z
1. 可以用來計算電阻值
9 w+ U: y8 {8 J- @; _5 A" p2. 降低阻值- n' {( y0 H' @% q9 `: c: V7 f. C
3. 防止LDD的尖端放電
9 z$ `, \/ O* @* g9 ^, K  B
9 y/ a1 _2 h( Z$ H
! Q& ^: I. U* o6 }以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 . V# a) Y" T4 ~$ y5 A5 S; d/ I1 Y
) b1 A- R- ~! m2 J- n
個人的認知與看法!有錯請指點一下!7 }- Q$ b2 G" _! `& L

5 O( R2 \3 @( y有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
( T6 i$ z5 Y+ Q2 {$ W  C% }3 g( {9 j7 ~4 |
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 H2 c; Y  c' y8 y0 p8 r' G+ F能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 l2 x: f- E& T+ r! _
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( `; e9 @$ [1 D
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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