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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟$ V+ S( f+ q# h, K7 ~' y

4 ]/ T; o1 s5 h0 C1 _5 fOD2作用:( }+ y. }! I. ^4 s0 x1 i, J
1. 增加阻值6 Q3 ^7 v" m! a9 [# h4 p- K
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
" G4 n; c. @' u/ X3. 通常用於高壓製程上
! T) V! v# B" x( L/ D, ~8 F5 y8 M( h& a4 ^$ U
SAB作用:+ l8 Y. R, Q2 G2 j9 B( ~
1. 可以用來計算電阻值
& v' d/ H$ p; a) g6 K2. 降低阻值
* G1 P* z& q: f1 d# k! [" h* C% X: G8 Z3. 防止LDD的尖端放電
! r3 I# t0 p" l. F& u0 x9 i' {2 Z% O! P5 A+ F
+ r$ `* [, y& `/ ^; |0 k
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 6 u: l  b* ]1 R% R' q, A' g4 ?" s
2 x6 n' e6 E$ v" O( C% ?( [
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
8 j! }9 a- r+ {5 g; B8 `) L, S- A0 M3 Q( ~7 n, ~9 N! z" d
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!1 t8 `6 p& J- p: K1 \
9 k: b+ H7 I: w: R5 o1 S! U3 \
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
  e0 `0 U" Q$ l6 B能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
2 b5 N' h2 n6 F# a# y這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
7 r: `6 w) X5 a+ tSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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