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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟" L1 n5 e3 J: K( n, t7 m
8 g/ n2 Y) ~  A0 j" F) `
OD2作用:
) i. Y8 {0 n* C, p" t1. 增加阻值4 b+ G6 {  I; X$ d) F' r
2. 防止電流過大而導致元件燒毀4 G, D) q$ g" c$ D* M
3. 通常用於高壓製程上' N5 D& `# Y2 ~8 [0 N! B

! m/ N& S# ?7 c( [SAB作用:
' ]; U$ b* D, L$ r; G  Z1. 可以用來計算電阻值8 X5 e+ S8 z8 ~& ^2 X# B
2. 降低阻值
; m8 G4 k8 ~( D/ i5 N3 e2 J3. 防止LDD的尖端放電
% x5 r; w2 r0 o7 P1 L1 ~+ H6 `( P  H8 O' S8 g8 H

4 J6 k3 L* o+ w" X4 b/ g- D以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
$ I* ?0 j; c8 A) z! K: I/ m) z6 M3 D. C
個人的認知與看法!有錯請指點一下!; N$ k2 U  U! J" Z8 x

2 B. U! T6 _3 Q2 V- p! K3 l  H5 `. e有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
, q9 z$ J, W2 N$ x* I3 w; R
: j7 v2 P. I2 K6 d  N蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  x5 x; Z7 R( |
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
5 x  \" {1 p: f+ r+ e% h) x: U這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的, j# l6 a6 {; R7 l0 ?7 p
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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