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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
1 V7 A/ w4 ~2 R& P  A8 M" C# _
: Y/ R" H1 h$ E! c/ dOD2作用:# m: @+ {8 R+ ]4 _/ u
1. 增加阻值5 I* y( J2 [( L
2. 防止電流過大而導致元件燒毀# k/ f8 J6 L" Z$ Z& Q$ `3 B! }" V1 Q
3. 通常用於高壓製程上6 u) \$ ^; g% e

) ]: b# Q. c" iSAB作用:
( V! P4 @1 G( a! h( X1. 可以用來計算電阻值3 D; k6 I) v6 \2 _
2. 降低阻值2 y4 \. v4 p  W& ~0 y. n7 B
3. 防止LDD的尖端放電* r8 p- |4 a# D" M6 j9 g# j8 G
# p0 w1 n5 m$ \3 Z( v& y

& T- ~8 u' k) t, Y1 B( u2 y! h以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 m9 |/ _& W- Y5 d  V$ G

5 k, K4 G( `/ F) n個人的認知與看法!有錯請指點一下!
0 ?/ c% g6 }) ^" A" C1 F2 ]4 v& }# g5 i
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!( [" A4 j% E; n9 j
8 u7 e3 X$ q* Q3 B& t9 z5 g4 O
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
5 F: t3 r5 s3 s+ w; T6 w能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
, R/ [" n; _' }0 k" ?, _這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- P+ ^! m/ E7 OSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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