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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
5 P8 }+ B; A5 R7 g7 n! n: c# d9 w9 r( h- E$ P% d5 w
OD2作用:
4 [2 J' l0 e! D1. 增加阻值
" ?# `, G  u4 R6 O2. 防止電流過大而導致元件燒毀
. U! U4 k: \$ F4 V- K1 y( T3. 通常用於高壓製程上$ g1 t$ J+ y, R7 D

; V( d3 ~9 I$ i1 k3 l8 \SAB作用:
: O* ?5 u2 h5 e8 p9 n7 O# Q1. 可以用來計算電阻值
" |! V9 f2 f2 s. J2. 降低阻值+ c2 g+ l3 j# o- V" f$ F
3. 防止LDD的尖端放電
8 B' z, v3 O+ ^; @3 f# c0 t1 P  @( ~3 Y  p/ }: C
, ^' F+ b  E% e  E: c- D
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 9 h, F; A. U5 ~

+ O3 s. g7 }4 T7 R個人的認知與看法!有錯請指點一下!
. k" n' X1 z' [& B- x. M$ @3 f( @( T/ E
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!' V( r8 e: g' ?( ?) c/ P
) ~, k! ?4 O; U& y7 N' K
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* j3 F" `* N) Z
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚. n) \* R7 w, Z1 f& G2 s
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
' O- k* a# ~. w: h. ESAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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