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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ S9 Y- z1 P, G: v, i/ `
% N$ y) h+ a0 y- r, C& NOD2作用:
: {' ^2 ]8 ~2 j$ P& m5 H4 F1 G1. 增加阻值3 ^7 z+ @" I3 _. M) ]6 }7 P
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! M+ X7 l# x( v3. 通常用於高壓製程上
; M: {4 F& v# f# M) f/ X
  a2 \2 M: b5 j+ W5 |' m' G  iSAB作用:
$ a5 |6 m* E  G5 U9 X1. 可以用來計算電阻值$ ]4 ?; {  P& L0 i
2. 降低阻值
9 `* V( S# Q4 o# e* ^, W7 A) R3. 防止LDD的尖端放電
* t( k7 T" x4 `* G: j" M2 X3 D' r) A
- y  c( y, G: d5 l7 W
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ) y* \, A" s8 y1 Y# }: }1 s
) N0 L$ V9 v6 @1 E( |! t, g. |
個人的認知與看法!有錯請指點一下!$ ^" b# V! Q" y+ c) l
! Y( J) G' ^% G$ r( c( V
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!' l* z: I* O9 D) C1 ^) f

  }6 l0 I( o! K% L, T蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
( d2 L* h9 `9 z2 n4 W  q1 y6 b5 v能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ W! d& v1 Z& q6 A7 k/ z
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; K3 V$ l! I. b7 G/ vSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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