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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟  b8 z, y* o7 ?' h3 E2 D3 a7 _

# \" }7 X" F7 }& DOD2作用:
! d& k& n. s5 ?/ S& ?/ b, g3 w1. 增加阻值& w' t, `3 r3 p5 ?- T
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
' ~) a7 S! M5 C$ u6 M3. 通常用於高壓製程上( B5 i% D% O1 r+ j0 x3 @+ w

! i$ B+ B1 e8 L4 i* z8 LSAB作用:7 c" k" W. p6 W4 n5 K( n" K
1. 可以用來計算電阻值
& {5 e2 O- y/ _. t2. 降低阻值! X# |% g$ m' E8 c8 A2 s
3. 防止LDD的尖端放電
5 D4 T: v0 `- u6 n2 x4 u9 G% W4 W; A9 h% M% p

% j, C# E9 Q. V  `以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 $ H' E) k% b+ V7 g$ a3 u) y; k+ r
4 }7 H8 t$ Q, t- q
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* i, c* i. K* ]. _# ~1 w' t7 ^2 Y0 b9 ~8 G  x+ U
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!  N' }6 t  R: z. f
+ I' R/ C/ s& ^' {% p
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!2 R  A, F! {* i
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
" e: e7 X$ @: D* E. j- j這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
" d7 H1 {+ }* e! z3 XSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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