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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: P' A  D/ q1 S. `! g5 Q
6 q& O9 e& L; _# u9 o. DOD2作用:
* z0 t* P# i' r' I) P0 W( [1. 增加阻值6 f0 V  t* R  ?- E* y+ M
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 m" ?. t. \6 s8 {& b8 {3. 通常用於高壓製程上) D9 D2 o; f6 k  B

* h7 C4 F% ]4 ASAB作用:2 }! M5 x: K0 J) M7 W: S! T  r
1. 可以用來計算電阻值
! n3 G8 ?" v; ?! K+ K' J2. 降低阻值4 Y# H* g: ~: j5 e- ^* i
3. 防止LDD的尖端放電  S* K3 k$ }' M% [$ K$ s6 m5 x
& B3 W7 k" C" ~8 T1 v1 `9 D

4 z- c6 M: ?! V8 Y0 ?) F以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
' s) Z; f: M2 ]
/ s& ~- n6 ]  B個人的認知與看法!有錯請指點一下!9 ]0 F# u3 t. N+ M! R
( L) l- \, g* A. C/ \
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
1 G# `' d, @  P. U. a9 Y) w/ U9 a) g2 R
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!4 s- L* n6 J5 ?0 W% a2 r- t
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚  d2 p, W' @* {& y+ N: }% w
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( p; _- L$ \. x( B$ F4 k
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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