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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟; I( s; ?4 ^5 E: [
- @5 n1 c: j5 o/ I; @6 C5 w
OD2作用:
8 }7 }! v: s# @' {1. 增加阻值
/ T% G3 r% i) I! R2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 N: O0 t# ]& z! o3 g( F7 f
3. 通常用於高壓製程上; `) L5 t0 l+ [% N1 i* o' U; H$ Y3 m
5 s* Y: x/ M( q: Y
SAB作用:$ R: U6 I& [! B" W8 n! G5 H
1. 可以用來計算電阻值
' m6 F8 j( ?- j; T5 o: F  D9 F2. 降低阻值
4 H) x. A2 \2 `7 \" p% b3. 防止LDD的尖端放電8 D2 r0 W1 Z4 K2 ~' E

+ |& t: {: M# i2 M* f9 r' }& w9 J2 ~
: U; x$ g9 T2 u8 r: v' K以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
/ `8 n0 C- D) i7 N8 {7 c
- {  z" \4 R) b個人的認知與看法!有錯請指點一下!
0 A4 t7 z/ f! g% S0 L4 o7 N: R: Q3 v
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!0 D" h' o$ O' J. J4 J4 y6 c- ~0 N' Q
  W  S$ n: e! L
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
; i1 Y2 J& g2 y; ?  X" _能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
+ ?7 \+ V' h$ x" x5 D這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( g$ \0 Z& \2 M7 N& N5 ^
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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