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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
4 Y0 K! y! ?( g5 c* l0 ^) C6 G) \( K& h# D+ L
OD2作用:& ?0 \. B& t; j  h2 ~
1. 增加阻值% ^8 Z$ a9 Y/ m* T) D
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
1 D7 _1 e& o& X% F  D3. 通常用於高壓製程上# Z) ]1 @8 C- z

8 s) J" T! z" C% `% c. NSAB作用:
$ H- P5 D: K0 H; V! \1. 可以用來計算電阻值  }& g, ~1 q/ \
2. 降低阻值
" D! F( ?0 X! U6 k2 W3. 防止LDD的尖端放電7 }- ]+ E8 `6 [3 [' T2 g* y9 e
. k" v2 e  t' |* ?

: f: j& Z( T5 T; l4 U以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - ]' O7 H% J5 L# I9 P, ^4 I" F

6 i/ j/ T* b2 {( A5 I個人的認知與看法!有錯請指點一下!
' X2 Y0 e# I6 I
; ~  b9 G# ]6 A5 p# I7 S1 E' v3 S& i有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
$ w, W6 w) g+ H
+ h$ Y8 M+ b6 j0 F) a蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 M9 T1 Q* Y% w  t1 e9 ~- f9 X能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚. [3 }7 T/ `4 O$ R! g- {
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
, A7 @( H2 ^3 P4 M# r. SSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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