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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟5 y  k) Y) \9 ~$ f" e' S3 e
& M5 I$ \4 i8 {5 B6 N4 [6 p
OD2作用:
+ L8 z; u0 a6 ~& d% q% z1. 增加阻值
2 I5 h9 t, {2 H5 E% p* Z2. 防止電流過大而導致元件燒毀/ z# f6 N- r7 @( N
3. 通常用於高壓製程上# _; m8 y2 r& e, W: j2 g2 ]" A

9 X8 A/ |+ I& \" l* z3 a' z1 R0 SSAB作用:* W9 O8 L7 S' `# q7 ^! S8 ?
1. 可以用來計算電阻值
( @/ Z' y' [- R" o9 ?2. 降低阻值
8 k4 n% q& {+ F0 E2 Y' B( f4 R. p3. 防止LDD的尖端放電# ]: u# @8 }5 p8 `; {2 q4 o

2 [3 F. P3 L2 E2 x5 q, Q  ^9 h4 I7 q# d" e- Y/ R; u6 a$ m7 Z$ ]9 F
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 # b7 {3 _0 y. l( R
/ m. q. c; D5 t
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
  ~! E4 e6 H$ E/ z# {6 \4 @2 N+ E1 N, a3 c& B% q$ |% \9 s8 v) l4 N. W
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!- }8 X; j/ ?+ n
) k: h1 |0 U1 `- S$ F/ B1 n5 _
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
$ ^7 w. N5 l7 n3 t4 o' M能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 U. E4 l+ F2 _5 Q! i
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的8 @5 ^: F: m! k( d0 q1 H5 M! D9 ^
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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