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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 C- S! R4 f4 I. S+ K( u+ P

/ d7 ~! \8 O; Y; POD2作用:
1 `5 F( b7 ?. `1. 增加阻值4 G  z4 _! u3 ^1 _6 A) x2 c( j( Q
2. 防止電流過大而導致元件燒毀2 G6 I# @; y+ {/ X/ t
3. 通常用於高壓製程上
, C' y* H/ |: r4 r* S
( _3 S, _$ _  c* w6 ?& ~. q* o. hSAB作用:  d8 @$ u6 e' W5 J9 N+ P' Y3 f
1. 可以用來計算電阻值1 K' c$ ]; f; ?7 k' J8 v: v' v
2. 降低阻值
! h0 {4 w! p0 J: F$ s' I3. 防止LDD的尖端放電( \  S- r) t0 N' M
' m' R# {4 }, E8 |6 d3 E
/ }( f* {' G9 M' E' L* _, ]9 j2 C
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - ^% {# ~! y1 ?4 x+ ^

: I. e0 c% _& T2 o  Y個人的認知與看法!有錯請指點一下!4 n* n+ B2 n; a. @8 c
8 G' e4 O/ P- k
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!# Z1 ?* H- q3 ^
! j6 b! H' L' ~# }! T  ~% z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!) S9 c( l  \1 e; a1 f% I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
, a9 T9 N$ B7 f$ W, i這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 ^9 {3 {2 q5 @" L5 j7 q% R
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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