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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# S8 a3 b* V% D+ d1 ~* n0 J; q4 s; t2 i. X, d
OD2作用:$ J9 S1 v, c% a2 n' A' J
1. 增加阻值
) h6 x# l8 T1 Z* i- ~2. 防止電流過大而導致元件燒毀
* r% y4 [: G# n0 ~6 K3. 通常用於高壓製程上
* L; m  k- a0 M1 k4 |* R( U7 O/ S7 X( Z9 ^8 s# ]5 c) g
SAB作用:
% I" z( ^3 }; _6 q$ P2 L1. 可以用來計算電阻值
8 m% q: L' C* E* _2. 降低阻值
. w  Y; N! T: i7 B3. 防止LDD的尖端放電2 P; y( F& m* w; }1 ?- v

4 t2 t2 o7 C. T5 G' M
1 N" Z% m  s: P以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 % b6 I# a/ t6 F$ k
) n1 ^7 d. |1 k4 A; Q0 ]
個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 }/ ?* W, C; E
# ^- p0 Y/ ]; [/ m
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
& ~% R+ ]; z9 k. R. W' d
5 M+ i% u& x8 b3 P9 m; Q- @2 O, b) @2 |蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!8 x! K6 q. h4 k* ~! Y$ T
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ A3 e! }2 T  E( E
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
4 k# J) _# ~! q7 Y' DSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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