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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# M' e, `5 i2 R( ~: B
# R4 p1 M5 ]( D) ~; z: yOD2作用:
/ Q) o1 m& V' k1. 增加阻值4 P- z7 f+ e5 D7 H. }8 I0 n
2. 防止電流過大而導致元件燒毀  Q! p; `6 p% s, s
3. 通常用於高壓製程上
3 B, [, J) x7 u+ h; L" r8 [8 H* ?( d: q1 b
SAB作用:  b1 [- J( P8 c& e+ _& C( P7 i( X
1. 可以用來計算電阻值/ a8 @+ ?; M6 x0 U
2. 降低阻值2 ]3 P6 S  s& u; |8 w; x
3. 防止LDD的尖端放電
) V9 i' Y" m1 r* X' P. Q4 X! b4 B: p+ y/ j7 e( x

; a, n- n6 B9 I' W, ^以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 # E7 d6 c( I* e$ L: E

1 B& Y* ]0 a9 f6 M/ I9 t3 z" x7 B' T個人的認知與看法!有錯請指點一下!- F* k9 c/ K( c- u

5 t9 p4 K: P* }3 w! L  i# d9 B有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% b; R, z. P" V+ q0 q3 m7 e( ?1 \$ N& ?
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
" @# V1 J- U) E9 E- Z8 G( D能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚! s, e5 d+ P* S8 {$ \% Z9 n
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的7 W& \+ B( H0 n
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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