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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
6 s$ J/ R  `) W3 I+ S
4 b; B( `& b' p" M1 b- FOD2作用:
& n* \0 q9 ?8 a1. 增加阻值8 D% A: a: x. w, D: s$ ~- x4 ~
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
/ n) }% g$ ]6 |  w# t8 @3. 通常用於高壓製程上
$ N+ J# Y. h0 Q7 L3 L7 G
' [* o' r+ ~9 m- k4 ISAB作用:
# \& O1 ^, ]9 w( ]1. 可以用來計算電阻值
' ^* o% ]9 B9 R0 d' D2. 降低阻值
( l/ J4 C# h( v) n+ ]3. 防止LDD的尖端放電3 x& S3 h4 a. }  @0 [+ |
' d6 q" D& S# x" H3 \# V

2 y' V3 M8 p3 Q  p6 }2 e# h% |" j5 G以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
" P( J/ H/ x% w$ P: m
( F! Z/ F3 K  \. u5 r6 \: h個人的認知與看法!有錯請指點一下!
9 z8 ]0 V  E! [1 g# e4 N& y1 [7 {# l
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!5 t) S, |$ i& K7 v

2 H5 V; Z) x, Y$ r6 l3 S蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!5 P2 S9 {' [: V2 G0 G
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚4 H; `3 _! ?/ q+ G$ B  H# d
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! y9 K/ f: z+ M* e( i7 {8 nSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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