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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟: j' I' J* X5 E. `3 k$ G7 Q+ y: p

9 r8 U0 R  a5 O4 `2 XOD2作用:
% i" B6 N  F* f6 P$ t* B1. 增加阻值2 B- b( ?! A. C
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
9 L1 F; j) a0 P3. 通常用於高壓製程上5 Y8 T, L0 Q4 B1 x
; C; c* {9 d4 A, K4 q
SAB作用:! y, `4 U$ K: ?3 X
1. 可以用來計算電阻值- _: n$ ?" H) {. }2 d
2. 降低阻值
* [. ]) O3 Z: y2 g3. 防止LDD的尖端放電& ^+ j0 H6 z! w4 |: p

1 n+ E2 x( p5 V! {* ]$ p1 A: l5 e* P0 U" Z0 m5 r7 ?
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 G$ @4 W* ?! [% d

7 p4 Z- c, L8 X# d3 u( V( E個人的認知與看法!有錯請指點一下!2 u+ e+ @) H& P, i$ S- G

; u! L$ H3 c2 b有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!* i, N/ d. I" V+ ^1 N9 B
2 D  W+ w7 M+ k, u( z4 W
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
, ]1 r# x% R2 N2 Q0 d能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( v0 ?5 E: w/ d. v
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
7 Z5 C3 \) E7 d: A* g! jSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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