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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟. A% `! c7 y$ s3 p2 t$ e
' h( E& p# a1 Q$ x7 X6 U. o. ^
OD2作用:
( h( @3 G6 O* V- c; }1. 增加阻值
5 B1 i& Q1 M4 x" [2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! k- t  i; [2 V  C3. 通常用於高壓製程上8 O) U4 f! q4 \, S3 G4 E
9 T& N' y$ ~$ z* M3 [: U- G
SAB作用:
5 y# Y# O2 w8 t+ O3 I& I1. 可以用來計算電阻值
" U  ?8 ]. K6 J% E3 E2. 降低阻值
. Z& M$ a/ Z6 z: W# @8 E% O7 ]: b  x3. 防止LDD的尖端放電8 F3 N2 ?1 L* k# B) C& L1 A( L# h
" p* v6 J. i" P0 F/ O) g  l
4 ]3 _, C* k9 N& h, F
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
/ t2 c$ I8 k; ]4 x' d, R0 E
! ^8 B; L. m7 d0 F  u. p個人的認知與看法!有錯請指點一下!
1 q, j! q. L. j7 w7 l2 z* O3 G9 Q$ `6 e! k3 g6 r! |/ I
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!8 a9 q8 h6 K+ I$ {

) _$ s: \- c( U: @% z9 q1 N蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
& E+ c7 a4 H" g8 X" m7 p8 r+ T能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
( Q# K4 \* M& `. G* k這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的7 V  `" h3 M" p' b
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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