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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: j% G; s6 s2 z7 Q% |7 Q1 Y& g" D# H4 v9 `, k) D
OD2作用:
: w, Y& i# w' b0 B1. 增加阻值
+ Q. f2 ]/ {% d) t/ U# y0 O6 \9 M1 C3 Y2. 防止電流過大而導致元件燒毀
3 W' n0 ]1 i2 Z1 b: H  |3. 通常用於高壓製程上1 [4 `, u/ T7 i$ c

, w8 L3 b! o, m8 E# F) Y! N; @$ NSAB作用:% i* X0 `- v" k; E
1. 可以用來計算電阻值
( X' |" G0 J! ]& V( l2. 降低阻值- g& r3 x* a2 \+ N- `
3. 防止LDD的尖端放電
$ ^! c9 Z# p2 }
7 ]. a: C: B( N+ E' V  ^$ O# f
9 Q4 E' Q2 E9 f0 Y  |7 r以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
2 h8 \. w$ |/ h8 U3 `) K1 [( ^, f* u8 \6 @( T5 l# R
個人的認知與看法!有錯請指點一下!( y, f& b) W5 i8 P7 f7 T

4 T9 S0 f, {& d: ^  p  g, S有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!% L- R- v5 K1 |- f4 \) w
. g% T( h$ s. o/ V  I
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
: g3 K6 }4 g8 i( r! x! H9 [/ V能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
- M$ `5 I* Q" W' ~. V" T這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的& ^" E8 d1 z1 }0 M# b0 s
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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