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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟5 j" h2 j( ?( L% t; G

7 p5 {  ]2 N- i: L0 `4 ?, XOD2作用:
& `5 t! h& V* F/ O" \: |1. 增加阻值( j( Q  v( A7 q: L" D* w: o( |& P- `
2. 防止電流過大而導致元件燒毀5 c1 k7 j  \1 ^7 ]2 Q; h
3. 通常用於高壓製程上3 m$ l( Q& v9 z) r- X: J' ]% O

4 ^, Q" D2 j1 [! n, u1 _7 O9 J+ RSAB作用:
- a0 `0 k4 \5 `# S  S: ^/ x8 s1. 可以用來計算電阻值
8 E  d" T7 Z& q, T& i* H2. 降低阻值
  `  T8 U- @( q! D3. 防止LDD的尖端放電
& {. R1 a0 o- x: h2 [; @
+ z& k% \, s) o" \. @8 ]
2 {# w% ?  x1 r6 L以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - ?) k( ?5 l* [% y4 _
+ d# E# |9 R2 M. V% K4 S
個人的認知與看法!有錯請指點一下!' {$ _. m) t# g2 q3 g- {' A

  w8 i' X, p3 q- r有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
8 K/ h- \) _1 K8 w& P
0 v6 \1 f' F$ S蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
  ^, b9 A9 R6 X3 T/ p能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
  j3 V& c! P6 `: M8 l4 Q; P這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的2 g7 p: @9 W6 H* L
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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