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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟2 P; d4 H! d) L8 v! ?, R( j
+ K! y$ f2 E1 t
OD2作用:% p0 L! J3 K' |6 F
1. 增加阻值
2 Y( L: \4 V3 z! t+ S2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 h8 D% l7 _/ f" F
3. 通常用於高壓製程上& f# q2 F) o* M/ Q! x0 q- x
( f) H0 D1 D# H0 S
SAB作用:" S% }+ n: W) J& r2 a& C. S
1. 可以用來計算電阻值$ z7 p4 l* U+ Z
2. 降低阻值
2 ]$ G9 P  i3 P$ h7 Z6 \3. 防止LDD的尖端放電
, w+ Z3 d  G" n; z' c
" I- {/ b) N* y5 f- H7 n5 q: V
+ E8 W, N1 K# d6 w/ a7 Q以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
1 W  g+ S+ r8 q1 p$ K
8 Q" T" V3 C( ?8 z9 ~" k個人的認知與看法!有錯請指點一下!
" {1 D! b. ~8 S3 x9 r! b" ^+ c
& {/ T0 s0 l% ^2 ~) r有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!: T( w4 c' B* l/ u' @
, I1 E, }" p# s
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!- E; x- |2 J0 z' T4 f4 s9 p
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
  z" Z$ W5 N0 q6 E0 |這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
/ P) Q/ i0 u  K, w3 vSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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