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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟4 \% d1 z2 v2 m; N

6 h2 ^6 H  D. F% n9 [OD2作用:: [3 \8 D( v, N  Q8 S. l0 V
1. 增加阻值
3 w( Q0 \# X( }6 A: H; l* C5 J' z6 z2. 防止電流過大而導致元件燒毀; n& _  ^7 \" p2 C  s6 D
3. 通常用於高壓製程上& v. A$ s% g# ^& Y4 D

  r# l% r2 P/ s5 E; TSAB作用:+ B: D' |9 F2 ?; e$ m4 J7 B
1. 可以用來計算電阻值
" a" V! K6 F3 V2. 降低阻值# P" @3 e8 s7 U; R
3. 防止LDD的尖端放電  |0 I9 [- s7 e) A1 ^( Z+ |
  {+ Q6 f( @: Y5 b( q- d
9 D# i( q) W4 B/ i& F9 F$ }) a
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' h: y! s# ^, K( b: r- m# @0 T0 b
: a) H2 x; A; ~  V: _
個人的認知與看法!有錯請指點一下!. r  @. _1 z* X/ r  c
, o) Q* f" Y9 U4 s  E& C
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
3 y5 I3 L7 s) p1 V5 \$ E: R2 x8 l% T/ x' L  f
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
: J/ F3 X/ u0 Z7 J8 d( {6 v9 D能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚, {6 h# u9 u' J5 U0 Z7 d5 b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的) ]* }  i5 C7 k8 J
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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