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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟! [& a3 D/ A+ d/ e/ d, k) Z1 W

" a# `/ N% n, b+ Z. j1 NOD2作用:' U4 n5 Q4 |4 X
1. 增加阻值0 ^8 }. `- C6 ]: v/ C
2. 防止電流過大而導致元件燒毀! Z7 o' U2 j7 c# p
3. 通常用於高壓製程上$ [& Q7 T' C8 _+ A- _/ Z% L5 A- o
9 f0 {6 ~, U/ ?! O8 J) i
SAB作用:
+ |- B7 ]- A" |' Y8 M* e6 t1. 可以用來計算電阻值
* q$ j$ A4 q3 K" H' S3 F2. 降低阻值
! @6 R3 b9 g- i6 c8 W4 m' o' J! j3. 防止LDD的尖端放電) c) y. X* h/ r: y0 u! }- x6 ]
4 R2 S2 `5 C4 u' b
1 K, o3 Q/ U3 D/ A
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 P0 b: N. ^$ l0 e. ]5 E3 M9 @% k
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
1 T; q* {, U" M! Y" Y
: W& m  t+ l/ c. s* ~( n有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!! j- @6 F2 C$ p5 {3 _8 N; O

7 W- {. D+ @5 z/ l7 H2 g4 k蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 Q9 |: P. \' c, w3 I! M能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ y3 |7 L( Z5 z9 x8 j. Y
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
, [0 W7 K1 g5 y, h, h2 bSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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