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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
& g) S6 r. s" Y) T6 _- y
1 B) f$ B  h/ k. Q! C$ UOD2作用:
) O( H+ w" A$ J2 b2 m1. 增加阻值
6 c1 I  I1 Z: N; W$ c2. 防止電流過大而導致元件燒毀4 _$ C# F8 H# D. q  N
3. 通常用於高壓製程上) E( P6 V, ^- b: I7 r
6 v* A$ L0 o. s  U: t+ H
SAB作用:
! @$ _4 m3 _9 w1. 可以用來計算電阻值
5 [" p6 |5 n2 W# Y2. 降低阻值
5 }1 b5 }4 J) W3. 防止LDD的尖端放電! u; Q% \: e& T& ?

1 K% }# F* [2 ^1 `! ^
1 P0 X0 P+ c6 D8 y- A0 e以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
+ z  A; b& b3 Y, Z: h# \
% j. C$ ]& M$ z) ]3 |個人的認知與看法!有錯請指點一下!
2 s( b2 Y5 J7 S, A" M5 N) I. U
; |+ |$ j% {8 Q9 P* I有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!. X  J  f* ?4 p) Q* `

  L" i# W& L7 F4 H) E% n- p! \2 ~2 m蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!9 v, {& F6 T- i+ n( a. C0 A& I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 d! k" \& h5 I  ~# T" Q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
) m3 K; g) j# I6 b' JSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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