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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
+ A' L8 ?) x9 P; |' y
' e3 r7 u9 u* H+ ]- [OD2作用:
' C* e1 O; p# ?2 i% m% d( r9 A1. 增加阻值
: c* y* f# ?5 x9 T( l; n8 a' r2. 防止電流過大而導致元件燒毀
0 g- F4 c% X2 E, a3. 通常用於高壓製程上
! g6 _( U/ o$ G9 j* ~  y( c, x( D  A2 F  q9 V1 K& e* Q; o
SAB作用:/ T/ ~3 Y2 o6 f$ I. @
1. 可以用來計算電阻值2 W1 S6 @2 `2 w- u9 }6 W4 V; w
2. 降低阻值
3 Z& d7 i5 |" _, f. e) N3. 防止LDD的尖端放電
  @9 l- P9 [8 B2 _. _( |2 i( j+ M- O0 ?/ g& ?1 O2 A6 f' c
# C1 ~% w) I$ J3 [, [7 d& P  w( h
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 6 `1 ?9 z9 r1 g
# K  h; g+ n1 s0 I( D
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
, c7 W0 \/ g& k- c0 ^1 }
1 J, \! M. @2 u# J# ^: u有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!9 v1 S9 m- f/ N; j, B& C7 z0 H

/ X1 A$ j& U, W' f. e0 E蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
/ Y7 i2 K4 R4 E( `4 a& _' ?6 Q3 G$ E能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚' c: t& e, v2 E
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的- d- r* x" o8 ~: N! w4 X9 e6 o+ e# c
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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