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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟0 E+ ], N, i2 A! X% K% o

/ k( M. H8 z) D) w9 C: gOD2作用:
6 [" P9 a5 n/ u' [- G$ _1. 增加阻值
8 |+ p) ]4 i2 p2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 _. @0 V. ]) A, Y
3. 通常用於高壓製程上* |$ q3 O) X. d$ C( K7 S9 K
: ?& M$ R' N. l1 b3 n
SAB作用:
! q( S5 R# D2 W( L1. 可以用來計算電阻值
0 m' A+ C: A/ C( W% m9 {& D2. 降低阻值3 M6 L& Q4 l( {" _
3. 防止LDD的尖端放電) j0 x" `( y8 D
. Q; R" T5 E, ]/ P+ K) B0 T" j4 g6 k
8 ]9 a8 [! s6 l, G: r
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
' g* M2 D, ~! Z# Q/ r4 ?8 E5 B" p% L% j- i: y
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: I# c" H9 X* t) g- c5 I. H( z2 l) l% o1 O# C6 F7 i
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! J" Z+ Q9 z) m" I+ S* ~, |
5 Y; B1 _* W+ g: }蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!0 A# R( j( g4 D, U( \0 D
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
# s" n1 m9 J6 f  h" s. z這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- e7 N) W* e% z0 ~- PSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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