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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟; {, t7 O) Y' ^# S. X. [# B

. o2 @' r& @! D  `% n: W$ qOD2作用:
$ u. Z6 C; v( K& W. E4 f1. 增加阻值
" `+ P( B2 A9 i" e; w2. 防止電流過大而導致元件燒毀( j: d0 c  Q1 a' l/ J' P8 G
3. 通常用於高壓製程上9 H5 r9 `+ S8 O5 ]0 v% {
0 j0 x% ?6 K/ q& Y
SAB作用:# L& c1 r9 u3 P0 \4 a$ t
1. 可以用來計算電阻值; B% B+ I$ R3 p0 P( m/ y5 b
2. 降低阻值
: v& S+ t$ z3 p9 B* A3. 防止LDD的尖端放電
1 |. P/ q0 d+ r. C  X. ?) M: d9 Z- b6 O) j  w
$ r* T, ?  B8 n7 s9 o2 ?9 {
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 * G- ^% k4 d/ c
. s8 q$ a- e: F: h) X/ N! P
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& u, p. b8 H4 k' d* Z( c

  V3 [  `0 a. w7 Y7 W  E/ N/ {有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!0 x1 @1 z% F$ U6 u7 J2 [9 B) ]7 M

+ u+ S! O. m# C6 r5 d+ W6 m% s蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
0 g& ?. F: U/ o& j4 i4 t能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
! x/ |' S# k7 f+ f6 {$ V這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
0 y* ?$ v- p4 }& u7 ?% V2 ~4 f! @SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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