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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
( V+ b) ~2 y, x% z: P, K4 B; H: x& J
. g$ b' O; T/ zOD2作用:
, o) e5 `. p, x( G9 F* E1. 增加阻值- }1 t1 V$ e* ~1 f; c* R! e0 n5 u0 F
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 B8 ^5 Z' E7 X. |0 i: ^3. 通常用於高壓製程上
0 u9 h3 ]: m# `2 H' ^& m' Y# \
3 X; ?, T$ [4 S0 aSAB作用:* ]( Y7 z0 U2 Z/ ~
1. 可以用來計算電阻值6 N. ?; f+ P6 i1 r3 q" @  D  r
2. 降低阻值$ j" _0 T7 U0 F3 W
3. 防止LDD的尖端放電
7 X* u9 o5 F, o7 S/ J& ~; h) c; J( B% p4 A, A2 Q1 L
4 t% y+ w& p4 g
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ! q% q; o$ ?5 B( q$ l
4 G9 p* o6 i1 f
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
) B3 _0 i+ @% H  r3 K! {+ e$ Q0 U5 k+ s  ?1 P# c
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
7 _9 {) }" U6 j* U+ l  A9 d
8 d& N7 K$ v' r2 g0 C蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!7 D- C5 ?( A3 c7 r! p& r0 V* E; I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
; _; A( I+ l/ }0 ]這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的- n( Y7 {* t1 y3 o* u7 F
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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