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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟$ P6 B3 E4 r4 G9 w

2 ]1 }: V  j9 P- A# l; POD2作用:
1 M% c7 \8 i8 a4 n# X6 c1. 增加阻值
3 T3 w* P! o& w9 U! i5 K' d2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( [' D% |- |; g3. 通常用於高壓製程上
; s0 _* n# \" Z. h  v" ?- ]- V$ Y+ X3 R  k5 V
SAB作用:3 e' w* F# U' [4 ~; Z
1. 可以用來計算電阻值
# I+ w2 f5 V$ |5 v; n  f2. 降低阻值7 W9 [2 D  X1 h3 _1 Q4 m! R5 }5 _
3. 防止LDD的尖端放電6 A4 L3 `; g/ w/ V' K* n" W
- z7 [2 |0 q- d7 k2 x

" U  n" J; v3 O9 _/ T以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
; J1 L% g. a1 k5 z' p) j
6 t9 O' z" O0 N' m5 X0 H8 O個人的認知與看法!有錯請指點一下!2 j1 y0 ]* {/ y; b6 P* F) d
2 O* W8 n3 [4 ]3 }5 j: q
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! t! B7 K/ ]- B3 \7 k( S* K3 g3 K( Z' x; m' K0 u! j$ i
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
5 q* x' g1 l. k8 G2 c3 U  x' |能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚. u3 S9 b4 r" w& B
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
/ U  }7 {+ V8 \& l+ `SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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