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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
+ H0 }6 H( C& }# Y4 E$ X& L9 E+ J6 d$ s. Z4 P5 T2 E7 J/ a
OD2作用:
( k$ [+ N* I# q1. 增加阻值
# H9 J, x( J% `2 S2 v2. 防止電流過大而導致元件燒毀0 j8 t+ Y1 b3 D6 R) U
3. 通常用於高壓製程上) T% O3 t! P/ k$ Y9 {

2 k) F4 B9 y; R9 c2 }& R/ {  xSAB作用:
: a$ n. V- q: g4 a1. 可以用來計算電阻值
8 @' A0 N: u# ^. @+ }, c/ t2. 降低阻值
4 r8 O  @9 U7 U2 |% g2 A3. 防止LDD的尖端放電0 M0 X: H+ L' s
5 H+ e) {0 I  Y. {% M

/ N2 W+ k# l1 b) w, s以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 / X% _5 `/ X& I/ D" T  @4 K% E0 T
# l: i! L; ~3 p0 p" |. J
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
  C- A; ?/ g& r& X7 a7 K0 w2 E0 j- @  z/ R
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
3 |: q1 l7 J7 m0 `# t8 e/ U1 f) z4 R6 @9 U$ Q- `, e
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!8 W$ n% l) g) R9 G0 Q% `
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚  ~( j1 x# v4 K. \9 ~# n7 I% b, w; T6 d: W
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
2 p3 q) A$ q% p& P- ^* A' oSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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