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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 O! k5 X4 f8 d+ |, |
1 {$ }# G$ O& M
OD2作用:: M3 f" h& n% b2 E$ g0 l7 h' _1 x
1. 增加阻值
, n* j9 q  g/ T# D2 f2. 防止電流過大而導致元件燒毀. L! i! p3 l: O
3. 通常用於高壓製程上
+ w* k* C& e0 [7 Z3 V1 e: j  }& b9 [6 I3 Y2 [" E- _
SAB作用:
* ?& O) m1 H2 d) J1. 可以用來計算電阻值
8 K8 [$ n! ?8 S. Y# J# {0 j- ~: F2. 降低阻值% ?- E7 ~6 q7 ]" j
3. 防止LDD的尖端放電
3 e+ {6 [/ ]; ^% a5 p- C& ~% g0 p9 B6 c; F7 w. O+ j8 c  o( y
" o; e9 O  N, O% x
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
$ b9 S/ \% K3 [# S# e* |$ J; P" D5 N) `: A, w* f
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& g! V5 a- l7 {) N

. G  Y* @6 [6 h+ L' |- `2 x: e有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
1 ?4 @3 O+ J3 E- I3 w: t  R6 H: S7 Q
9 v. D% J$ N5 G8 _0 r蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!. S4 C! A1 \, v9 d  z1 m
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 ?: J& K: w; j$ `1 X# h& P這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
0 F9 Y2 m. I8 y2 b  S; h: nSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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