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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: W2 m2 X* L3 ^; W* j) b* U; x
( c# B6 i2 }& I2 _OD2作用:/ F" t- u# C& X- M. c4 g- t- s
1. 增加阻值  \7 O( N* A5 I* B" I, s
2. 防止電流過大而導致元件燒毀$ J8 e  `& o0 P7 V
3. 通常用於高壓製程上
6 w9 @# i( y$ b
6 P$ P2 ]7 a* F& eSAB作用:, v5 U7 \" L/ Z0 F: d
1. 可以用來計算電阻值
' u# c/ z7 f) |/ M4 b2. 降低阻值3 g! w  n7 N: V
3. 防止LDD的尖端放電
6 ]1 h4 s! D% J0 s
% d9 C6 ~: w3 [( f) L9 R- Q, ]; G; H; }- N5 k2 e0 i3 q: T3 @. I  @
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 + ^0 R6 |% T" ~6 R8 u% F
# W  [! F) l; p7 J
個人的認知與看法!有錯請指點一下!7 [" C, W( a* o

7 [% q# U8 {, ?/ F3 `有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!4 y  r4 h) \4 J5 _1 u
* R/ E& r& }) P0 v+ a; A5 }
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!# k7 R0 B7 {" K5 t! q" n' ^+ q' a8 b
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
. _( z) ?: F; {! f  S, ]這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- S+ R5 ~! V1 l4 b' v! Z( s5 eSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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