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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ u5 x9 r7 c, R; o9 J0 x' d# z1 B5 H8 `2 `2 S
OD2作用:
% _& w' F, c& G) V1. 增加阻值) T: c8 V  Q9 ~! q* d
2. 防止電流過大而導致元件燒毀9 m  P1 d4 _( h3 r6 E
3. 通常用於高壓製程上+ J1 @3 L3 h1 w6 j$ h

3 q9 y4 O$ q) p: sSAB作用:
% q9 c6 Y. C! z  i, ?1. 可以用來計算電阻值( h, ?" h) ]7 u! H
2. 降低阻值
& s% r( }6 c4 @0 i# t3. 防止LDD的尖端放電) i) w+ ?+ j+ j' k

% v9 H+ _- J: s. X! a( C7 L% I! |" j6 r* n. M, y# f3 y& D
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
% c& x0 N# e/ d! y. B. L# }" z( g* S6 F  o% _9 n3 @( b; I( J! u- I
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
3 ^+ S. a0 X/ ~2 B
9 p! `4 s/ O3 D' Q# \3 r9 A有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
9 L# h& @5 {' P# t) \: @  X( _/ F1 N5 x- H" X# d' u
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
; P2 `; X9 q  H, k7 o# [% k5 u9 \能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
% K& p! b1 c4 l: M" k! k這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
7 F8 o9 S! r) r$ k7 L9 jSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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