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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' ~0 s* A2 N, O' V3 {% q3 ?* _# `4 Z  {- v  K; j
OD2作用:) Y! r. [6 G1 c4 W
1. 增加阻值
) _4 i( L, D; [5 b1 U2. 防止電流過大而導致元件燒毀) L; {7 x" O2 @& V+ B$ c
3. 通常用於高壓製程上
$ c. i; I2 K2 {7 _& j* C( c
4 h& X/ w* W1 L# uSAB作用:% D. a8 @1 A% \) ~$ J7 ]
1. 可以用來計算電阻值
: `) M7 u. k8 k( C0 X2. 降低阻值
  T0 k0 m) S- D3. 防止LDD的尖端放電
" l7 _" O# h4 [- }
5 R1 ]8 n! g2 j" O8 ~2 E
4 S) B1 N  {) Y. g' V! C以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 G5 c. m* w" h9 [4 ^- t# N' e3 d
: P( h6 p1 M0 D4 j7 N  Q0 Y" R個人的認知與看法!有錯請指點一下!
' {1 l$ O) B0 o$ x5 T
! b+ @5 n: r5 p/ L$ Z5 x. [, V有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
5 ?# t: u, i6 C7 E# j. T0 m
5 B* M  r4 c1 M# b( v蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!! \1 ^$ Z7 {- r9 T
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
% P5 U8 Q: Y: Y5 B這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
( i% n7 b- \: E4 ~. a: ^SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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