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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟6 n5 ?' F3 O5 Q: _8 x7 |
. E$ N( i& [. W# T# O3 F) C' O) ~
OD2作用:, k- _1 F3 h& j- z  M( w. ]9 V: ~
1. 增加阻值
$ J6 E) m5 f2 O1 R2. 防止電流過大而導致元件燒毀7 j6 R/ T$ }$ b. z
3. 通常用於高壓製程上4 m2 \: k; L; C/ M

% d  c" F( g* I6 q- c- w" p* L3 sSAB作用:
( z2 F" q% V8 N8 `1 Y  U9 O1. 可以用來計算電阻值7 f; j* W0 l( B+ U$ ^- @
2. 降低阻值
2 i1 j% [# w0 w0 ^3 R" ]3. 防止LDD的尖端放電
  q+ C; S, f8 a' V
3 A) {. v# \4 j$ v( p; g9 l8 _  C, C' a
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, T3 O: t$ C9 r, b: ~' U' r
: q: x" S7 H% R% \; f個人的認知與看法!有錯請指點一下!
  F8 [8 O. t; y  Q; v
4 ?) y" S2 L$ B$ U有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
; a, m. q/ l2 H6 l* y, a0 L: ^+ S" H5 y3 m
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!6 j) R+ p7 S$ r: R3 C
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚2 N- N" W+ _! Z6 P* Q1 n
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的& R- a  n: C7 s2 J8 C% t
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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