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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › 為什麼Power mos的body端在Tran模擬時會有瞬間大電流? ...
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[問題求助] 為什麼Power mos的body端在Tran模擬時會有瞬間大電流?

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Dou
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1#
發表於 2013-6-20 17:08:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Dear all:- Z+ L6 o! T! o! s( A8 w3 @

! `' f$ Q) _" t, k小弟我最近在模擬buck-boost電路，發現在power mos的body會有瞬間大電流，4 D6 V* J) Z& {6 x- Y6 m
基本上都是在gate訊號轉態時，我有確定過所以power mos的gate訊號訊序都是對了# a9 V! R6 w! L3 s9 x: X' [( `
不知道各位前輩有沒有遇過這樣的問題呢 我有試過spectre跟hspice 都有一樣的問題% u, `. {6 d7 @, I9 ?: T& |
/ l9 r8 x' u. W7 S6 @. M# C
還有我想問說 在dead time經過兩個body diode會有可能造成不收斂嗎
' ?- \( B1 F* @1 h6 c2 a# ^% p" c5 K2 r% U

# t( t$ `& L0 B# k; k9 E- x6 R& j5 i謝謝各位前輩

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