2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：
3 r: _; w) I7 g! u% d$ t4 F3 w+ |; ]9 I
不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，

在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

8 }0 a8 D7 S' [/ Z- m! jMC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10

4 K) s0 ]3 W, G3 x" e! _( ]( [上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

. N! I) i& P3 q# _6 n$ u+ ^: f是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?
6 A  }1 L- G' n9 e
麻煩大家了

KKboy

as200112同學 您好，
* X- P# z: j) D- a+ x! V好巧不巧我去年有比過此比賽，
我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
# ?/ f2 V- y8 i5 E9 t5 i0 k1 X! Y此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
7 @* Z' v$ u" [  K(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
" q: a% {8 D7 a$ CDNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
$ n( Z% Q, }6 S1 L7 `* c8 E0 o而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
# z  i$ V, Q* u+ b7 J% D但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......

如果有錯請見諒
  s+ i- \! ]& m- A, E" D4 l) U/ @: |, N希望對你有幫助，祝你今年能得名。