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[問題求助] 誰能為我解答,感激不盡

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1#
發表於 2012-3-8 21:10:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我在跑DRC時出現的問題,這是什麼意思呢? , Q. j0 y- S- s  w
$ m' S4 U  W8 a. n. @- t
N-well pickup OD to PMOS space <=20um0 o% @6 p" h% }) T2 {

/ y4 o% |" e3 t0 B. q6 [$ n' U0 S/ j2 o, {* Q  w
煩請為我解答感謝
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2#
發表於 2012-3-8 23:11:25 | 只看該作者
意思是pmos的衬底接触与pmos的间距大于20u,带来的影响是会有latch up
3#
發表於 2012-3-9 09:48:05 | 只看該作者
同樓上大大所說,這意思是指N-well 的substrate contact到PMOS OD中+ d9 t( E: K9 y7 C4 c9 }
的部分區域距離大過於20um。
" A! |) l3 R4 V% J8 L: k
7 }5 O4 e& F2 u1 E( Y  M8 s通常會發生在mos圍上pick-ring時過大,導致mos離picj-up太遠- a9 m& J! H9 C. S) G* R
或者,mos本身w過大(大多超過36um以上),mos中心點位
2 ], C6 b3 U5 ?( Z, Z置離pick-up太遠,超過20um也會有同樣的狀況。
4#
 樓主| 發表於 2012-3-12 11:49:03 | 只看該作者
感謝各樓上兩位大大的解釋,真的很感謝^^
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