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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?
! Q1 t- b) T9 `3 }! V- [有好多种cap啊
- J& N% w; z3 mpip 两层poly作两极板
0 C5 A. Y0 Q# J- q/ RMOS cap  就是PMOS&NMOS管9 W$ J- s& V* ^" Y. @
MIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板& s% @. \2 Z" V9 [  G1 r
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff
) w9 _$ t+ ^$ n9 s7 {等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um
( I& ?+ z* n" F在畫 POLY2      Z um X Zum / L: d4 i9 S% X$ V5 G$ U- d+ X- _
通常  下層版 較大  RULE 會有
+ C" D! b$ t# ^7 A$ T# Q% p做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1
3 [, y, r2 v1 K9 _9 y0 U: c做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
3 r1 N* B7 p9 M1 e1 J3 r. IX & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~
9 M' _; c, G7 \: ]2 h你可以去看看你是否有申請~
9 a/ m: c3 y' I8 ~# g2 D這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~
  r7 r0 v: Q. h! u由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...( S; ]$ b5 h: L8 V* j; P
但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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