請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

answerbyme

小弟LAYOUT完電路後，有碰到密度問題，後來也補上各個METAL密度後，DRC後密度已經解決了...
6 E  t% y( W# f' M但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤，我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!

motofatfat

把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
$ a6 _2 k9 ~, r' g$ N" r9 Y才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
PAD CELL　粉多時候是經驗直

m851055

請把rules的描述詳細說明，可能的話也把圖示PO上來。

answerbyme

回復 3# m851055
7 N/ {: W/ t4 t) D不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
9 T5 C5 q  j9 N" s希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!

! Z  }, l" U- T( Z) c9 h2 V   

m851055

就把大於35um的Metal做個slots就好了，要不就是用多條小於35um的metal畫。

answerbyme

回復 5# m851055
% _' |) d+ U$ ^9 I! w; g: J7 k
9 S% q0 j9 C# K2 j' E6 b多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
( f3 g. ^$ ?. t+ n# `' [# C9 p可否解釋一下...不好意思!!

m851055

回復 6# answerbyme
  l! v8 ?- Y8 q+ i' _4 U

   大於35um 的metal在中心處挖掉metal，一般DRC paper尚有可參考圖示

motofatfat

slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
  N* O0 \0 q) D) U) Q( S5 J看看  有時候可以忽略

ponyshih

如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.
  R) K8 [: J6 w/ }可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.

answerbyme

回復 9# ponyshih

' ^1 E7 A8 O6 ?. y2 z# R! O* f3 `謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!

nebula0911

關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!

semico_ljj

理解slot 最好的方法是看Design Rule！