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你的問題應該在上過 IC 製程的課後5 g% S5 g$ B/ H" ~
就能得到解答
. N( C& {4 C: c% s以1P3M N -well PSUB 製程而言
0 f* @. f4 W1 _9 QCO 以上* ^2 Y5 Q; |8 E. r# p' N( b- e
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
- L' N! g0 g$ k8 @) r M1 第一層Metal 連線用- C+ U- u0 T6 K* H) V1 N( |0 M
Via12 連接 M1 & M2 ,# z% e' @/ F% k4 @3 A `
M2第2層Metal 連線用7 t0 i" M; |* u+ ]" m# H. X- d
Via 23 連接 M2 & M3 ,
# F4 \) T4 l4 {0 ]3 EM3 第3層Metal 連線用
4 _9 P8 [) D# x* L/ ~: k6 D% M, \! xPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
. Y. e) A% O9 M# K也就是可以連到 chip 內部
6 | b" s$ V3 ]( aCO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔. d1 x* R1 U( }. Z2 s- K! ~
叫 CO
5 s0 a! K- F- L) @- Q: X" E6 x& _via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
$ V9 g3 o3 M) X) R: u) u) B+ xvia 12 也有人 叫 v1
6 `6 {1 u( h3 a I. g# E) X3 ?via 23 也有人 叫 v2
$ ~6 c" B7 z5 A同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
+ Y, V* ^, E; U, G ]有機會 再 來說 CO 以下 |
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