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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
8 F2 z6 H5 E. N* ]- K就能得到解答 E% d/ b j5 R! F1 i
以1P3M N -well PSUB 製程而言2 X; g' k3 G- m! z8 x
CO 以上* L/ R, S$ m: R1 h7 G; H
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1' R$ e9 @) s' Q9 F2 A5 d4 d1 M" \
M1 第一層Metal 連線用
7 d; P8 \% X& N- c! J* e: w5 E1 K1 t Via12 連接 M1 & M2 ,
. g5 @- q" L m7 v5 XM2第2層Metal 連線用
$ e$ G' w7 {" m* lVia 23 連接 M2 & M3 ,
+ [! _2 @( P) a, j+ AM3 第3層Metal 連線用
" C* O5 p- u% ^PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3! t6 f/ Z8 v) F/ [7 G
也就是可以連到 chip 內部" ]( H* v' B$ _6 ]
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔# F3 p- w7 a2 F* Q8 j2 N, d- w* K
叫 CO % J0 \2 q, C- x D" y$ N
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
+ s5 ~+ B7 E' ]* I. ivia 12 也有人 叫 v1/ t2 q' X- W( X' y
via 23 也有人 叫 v2: r3 _. T7 r3 v0 v3 T$ D S! [ ~2 j
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal . t! Z G1 h8 L3 D
有機會 再 來說 CO 以下 |
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