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你的問題應該在上過 IC 製程的課後% S3 S8 J) v/ f- X0 ?$ m; \. ^: E
就能得到解答9 S5 V& s! O/ `
以1P3M N -well PSUB 製程而言' C% B* c1 H7 s5 Q& ?
CO 以上, T) Y2 O; \! r: {* _4 ?2 U* ~
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1. E! Q! O S4 d* t9 V$ {
M1 第一層Metal 連線用7 @( h' ~' j, [% s+ n' Y0 U0 A% H
Via12 連接 M1 & M2 ,
* u J* ], ?1 s0 B: }- |% xM2第2層Metal 連線用
% c# ?$ W, v0 ` lVia 23 連接 M2 & M3 ,
; E7 Z# B& q/ z4 LM3 第3層Metal 連線用6 S ]0 G( d: d- q1 |
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
7 \- f% ]$ s+ A6 f. A. G) P也就是可以連到 chip 內部0 g* U9 W# i+ d, U
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
/ v! P9 n4 F) Z% @5 S: S叫 CO . g7 R7 y; u8 U1 s0 C
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
1 n& o3 g; D: { u: tvia 12 也有人 叫 v10 q- s! e* f0 {. L
via 23 也有人 叫 v28 g( H5 ]4 r5 B, Q; Q6 P
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal % j! h$ H3 Q# p% ?
有機會 再 來說 CO 以下 |
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