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你的問題應該在上過 IC 製程的課後1 |; i8 }. T3 K
就能得到解答4 i; ~' a& d5 B. _- b/ o5 q
以1P3M N -well PSUB 製程而言( P- W# J$ I( r
CO 以上
) y$ Q0 Y* M( e- |CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1! V9 N1 Z0 l) x$ Q8 C8 X
M1 第一層Metal 連線用7 |" D/ _, D7 F! t& ]9 l' t
Via12 連接 M1 & M2 ,
+ Y0 Q- c5 V0 v. D+ T7 m" u# P: NM2第2層Metal 連線用
: F2 S" b. O7 L$ h: {$ eVia 23 連接 M2 & M3 ,) Y( L. n( f- f: d( }
M3 第3層Metal 連線用" S2 {" m3 i: Y
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3& \) O. k- e* |2 y0 G$ [
也就是可以連到 chip 內部( O; }& y6 Q% N' ~
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
8 y/ k. O1 w% K3 A1 L% Z7 c叫 CO
- E, o3 U0 L c& Ivia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
( V+ U" k# _) i/ x+ T6 m, G: {via 12 也有人 叫 v1
6 o0 E- K+ @$ p; I. jvia 23 也有人 叫 v28 X2 O: h3 B# o! U, @0 u0 e
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal ' v1 c- h: r( |+ ^" N" v6 O
有機會 再 來說 CO 以下 |
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