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你的問題應該在上過 IC 製程的課後 N1 E# G% y. s
就能得到解答# A, t/ ~ [# Q" c8 u
以1P3M N -well PSUB 製程而言
. U- \/ o9 y2 I! z' oCO 以上8 h) ]+ c& ` h" ]
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
`. s% {2 L# p5 `! U M1 第一層Metal 連線用" D% t l }3 n. `1 l9 D
Via12 連接 M1 & M2 ,' y/ o/ ]& w) |& `- \3 V) N
M2第2層Metal 連線用4 o5 f( l/ n1 Q0 g! p$ F6 f# ~9 a
Via 23 連接 M2 & M3 ,
& Z6 z. C1 q2 C5 c; \8 w/ r' E' eM3 第3層Metal 連線用
B: e- H% k4 c, E1 b- h) z& T/ SPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
* ~6 B: z7 n+ V4 s. Q* M/ {' t也就是可以連到 chip 內部
5 Q5 p7 U# ^( ?; ^CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
1 z+ t# W+ W- U叫 CO ; j/ U' {" |6 O$ D' W) C. F5 c
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
- a* {- W" u/ F/ k$ Bvia 12 也有人 叫 v1; l3 q" @4 m: t1 z
via 23 也有人 叫 v2# b/ T; y1 z. ~& W5 K8 J3 R! N
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal - x% V; k* n: k9 H5 r+ ~' p
有機會 再 來說 CO 以下 |
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