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你的問題應該在上過 IC 製程的課後& H/ U0 s, v, |. Z* r2 g
就能得到解答' s1 Z3 Z6 o& O* K- o! K
以1P3M N -well PSUB 製程而言
0 u# E0 H, K8 |+ w9 v% u( zCO 以上% g0 n6 ?, }9 g) J; I& q+ [( q B2 |
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
0 P: C. d2 T* A# W3 D- y. u M1 第一層Metal 連線用
9 |" s! R0 I8 M! C, Z! Y! i9 K A7 B Via12 連接 M1 & M2 ,3 i7 i* O7 o9 h# ]4 p- K6 H2 K
M2第2層Metal 連線用
4 J$ A8 l0 w2 a( o; WVia 23 連接 M2 & M3 ,
7 I1 C, t" g$ p3 hM3 第3層Metal 連線用
7 l) K# |4 F/ n$ BPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3% k4 q1 R& v+ s" }
也就是可以連到 chip 內部5 g; _# O5 T! |# q
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
7 m. ]2 G1 j0 }叫 CO
; T( g9 I0 B! I$ `3 d1 k4 h1 Hvia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
4 C: R) K4 s, k! Zvia 12 也有人 叫 v1
7 L- s; g, m* k9 f- f! Qvia 23 也有人 叫 v2
/ x$ f q" _; [/ @) u* E7 r9 {# t同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal 7 M; w9 ~# `6 x" Z
有機會 再 來說 CO 以下 |
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