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你的問題應該在上過 IC 製程的課後- x% d4 D( ~, a5 P, Q2 S$ Z
就能得到解答) Q: @$ r: U3 m5 R+ l; r
以1P3M N -well PSUB 製程而言4 I% _: Q0 S$ e. N
CO 以上6 K# b& @' M) I% P6 t: U# \' K F
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
9 |( {5 W$ T, E9 _! X M1 第一層Metal 連線用4 H( }4 r$ h- n M/ N
Via12 連接 M1 & M2 ,
( Z" Y- T4 t. W- yM2第2層Metal 連線用# ^6 S9 i" H3 A5 T, F
Via 23 連接 M2 & M3 ,0 m& N; N' V3 e: X" T V3 C+ y0 N% r
M3 第3層Metal 連線用& M+ D% t( u5 j q
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
8 |1 Z$ R. s/ B6 e8 I: q1 Y9 q也就是可以連到 chip 內部
) I$ }. s0 d% ^/ D, C9 v) yCO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔0 u( Z. g! i# D( ~1 p1 p
叫 CO
( x! K* E8 C; ~via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via ' L6 {& Y% Z+ b6 O% g' C
via 12 也有人 叫 v1
0 s0 g) w+ K4 D5 R! pvia 23 也有人 叫 v24 q% W! {! H" _5 Z$ h
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
: r; V+ B4 \9 r有機會 再 來說 CO 以下 |
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