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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
1 p$ e7 z1 N" P% V$ P就能得到解答
3 R2 r' e! g6 K% v以1P3M N -well PSUB 製程而言2 c" a5 K. X" j1 e
CO 以上
S, h4 Q2 M) G: A* ~8 TCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
9 S8 O5 c. d1 {) Y, m M1 第一層Metal 連線用
' L4 t. p) e, v9 z" p; ^ Via12 連接 M1 & M2 ,
2 T* L0 r3 h, C8 h# H0 N3 qM2第2層Metal 連線用4 e/ }2 k( K! b3 v J8 q& |& P
Via 23 連接 M2 & M3 ,
8 X N ?, Q) ^. hM3 第3層Metal 連線用
' q) Q$ n4 P* r, o0 e8 SPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M33 g) h$ |9 _5 Q7 R9 W
也就是可以連到 chip 內部+ u' v# x/ H- f1 F
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
1 c9 D7 o7 g. t3 `+ y( Z叫 CO
6 P; n: r4 U& E7 {5 Kvia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via 5 ?4 z+ i6 ^" e
via 12 也有人 叫 v1
! h$ r4 n9 \! r5 B' t8 F" yvia 23 也有人 叫 v2
$ U1 n$ D$ k% V$ |9 {同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
, b9 G/ u( g1 d, c" d+ @) m( h有機會 再 來說 CO 以下 |
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