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你的問題應該在上過 IC 製程的課後6 g/ {- m2 \- j' v, @& E4 k$ C7 B
就能得到解答
* V1 V/ Q! P, ] V以1P3M N -well PSUB 製程而言* Z( v: s6 K5 I7 J7 D# I
CO 以上
- b8 w# W2 O$ [6 Z* GCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1$ X( E: j' U H
M1 第一層Metal 連線用* X9 X4 D2 O8 u2 X0 s! e* x j( Z0 I
Via12 連接 M1 & M2 ,
3 R {+ ^6 S e0 ZM2第2層Metal 連線用1 n0 M% L( R: e7 I W
Via 23 連接 M2 & M3 ,6 Y+ b( }7 {; G8 p* K! a& h# ^9 J
M3 第3層Metal 連線用" w$ F; Y/ K% z
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M33 p8 @% X `/ ?# ]- q9 C6 |
也就是可以連到 chip 內部2 n, G* {- ^- @- s1 f5 }" z
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔3 y7 o+ a9 e2 z
叫 CO . V+ L( Y. @0 h# P+ F
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
: B$ W, g! ~/ T: _$ V/ Z) A: Vvia 12 也有人 叫 v1
3 V/ U& ]0 S8 N) F" X( `via 23 也有人 叫 v2
7 e# M6 O6 n9 d8 w* l; x同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal 7 ^/ U8 H' |4 J* q
有機會 再 來說 CO 以下 |
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