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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
1 C6 m: O9 U4 X0 F6 I+ B9 {就能得到解答
1 ~2 d/ \, B+ e以1P3M N -well PSUB 製程而言# J. B; R4 e, ?6 Z0 R, e _& n0 ^
CO 以上* t% v+ p- y9 Z2 i+ Y2 o: H
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1+ Y7 b/ ^$ r* M% a I% P
M1 第一層Metal 連線用
4 K2 Q, z$ s& [9 S$ k9 [ Via12 連接 M1 & M2 ,- z% O+ z* R/ V# x, u" V
M2第2層Metal 連線用 x* b) q$ t; r% O
Via 23 連接 M2 & M3 ,
( m0 n q8 A8 |8 xM3 第3層Metal 連線用" k. ^! W2 I' [1 f3 V: T9 e( e
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3! h0 E- Y# D7 c" F9 t1 `" d
也就是可以連到 chip 內部
+ z# j7 x" v! ?& i# G& h- [CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
5 z$ n3 m# G" @/ L7 T6 }叫 CO ! c$ y+ `, n. \* e! S3 Y
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via ) C& C! x" K* l
via 12 也有人 叫 v1$ {# d2 l7 g+ X, E4 d) y
via 23 也有人 叫 v2
; {+ Z- }6 Z$ M5 \同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
* [; F" [! ^- V有機會 再 來說 CO 以下 |
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