|
你的問題應該在上過 IC 製程的課後
Q8 |8 j+ m1 N就能得到解答0 H- D$ h3 |7 j7 |7 W
以1P3M N -well PSUB 製程而言
[. @ a) h4 j7 H5 o( _; FCO 以上, ^( r1 i0 g6 E! R9 A x: r
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1" U, L5 c) k' K' g
M1 第一層Metal 連線用( F% E. H( l2 {7 j, u
Via12 連接 M1 & M2 ,
6 b* s. p# K) C0 NM2第2層Metal 連線用
0 a# r9 h/ ^, B# Z8 ?$ `5 j. pVia 23 連接 M2 & M3 ,
' X! ?( K1 V, c6 C( c& ]. H% DM3 第3層Metal 連線用
+ W& D( e: M- j/ a* ~6 Y4 g1 uPAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3
5 _2 R& G4 \% L6 y. Y也就是可以連到 chip 內部) n/ n1 g+ E2 D, ~4 i7 I f
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔1 {' ]) S/ ^& Y. s5 s- t' ^
叫 CO
8 R5 b8 g' F# L3 x+ P* \via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via & M0 [3 Y9 `7 p/ F+ s. j! A& `
via 12 也有人 叫 v1; E! L( F1 V! P3 }
via 23 也有人 叫 v2
, c! h6 a. L' F: c4 F. m& j* ~同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
# P+ |" ^5 H, A' X有機會 再 來說 CO 以下 |
|