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你的問題應該在上過 IC 製程的課後9 Y+ \$ E8 T4 K' i6 C
就能得到解答
1 o0 z* T( I5 u/ \! z9 W/ e以1P3M N -well PSUB 製程而言
- x9 i8 {8 W( [CO 以上
7 N2 L" X. P0 T WCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1! A- L# ~6 r0 A8 h( |: y8 v7 [6 U
M1 第一層Metal 連線用3 q1 ~- e# U4 K% }% \2 }& k) [
Via12 連接 M1 & M2 ,
! I6 [( A: \7 F, D4 v+ M7 }, e) IM2第2層Metal 連線用* j2 x+ b& j; t, i& L4 m0 V
Via 23 連接 M2 & M3 ,# n6 |, e- A- b& r* x0 v* K
M3 第3層Metal 連線用
( x( b% y! j3 y% M6 ~4 _; {PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M39 h) C4 b/ U9 M# p* D
也就是可以連到 chip 內部& O8 S( l: q( [4 [: T: s9 E* l3 D, T
CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔. e1 }! l" O6 l' D6 K+ Y3 \! Q
叫 CO
% e C# H/ c ]# X$ L: W2 dvia連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
( l) D/ w8 S# U; y: b0 svia 12 也有人 叫 v1
. m- s% X# U; h3 k2 p Ovia 23 也有人 叫 v2" g. `8 E. r$ V% f+ ]+ ]
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
$ e5 Q, V$ G$ P5 `) F! x- g有機會 再 來說 CO 以下 |
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