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你的問題應該在上過 IC 製程的課後; l: e* s c2 v" i' _$ D- j; M
就能得到解答
. ~/ H4 D8 I6 Y* R以1P3M N -well PSUB 製程而言% }2 G: E3 h$ r# O
CO 以上- e, ?4 |: H4 |- `3 N1 l
CO 用來連接 POLY OR OD 到 M1
! D' {0 p6 V& W; d! C/ V3 P% Q M1 第一層Metal 連線用
# j; I1 e; j1 \" R Via12 連接 M1 & M2 ,
6 ~, T( n* O9 w7 ?' s" @7 h$ a0 `0 o$ }M2第2層Metal 連線用
4 X: O6 H# ^+ I6 [- fVia 23 連接 M2 & M3 ,0 ?: i+ d4 J& E3 n# p9 r6 z
M3 第3層Metal 連線用 O& Q5 R, l+ ?0 Z T$ _" u
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M33 k n; L) x% p/ o0 Y
也就是可以連到 chip 內部
9 z2 p/ C" \. I, v& NCO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
, S, _; N" }0 V3 p& M" F. E) a叫 CO $ s; I( f# U- b6 A3 u! u0 I9 Z
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
2 Y5 u" b8 q Y1 H6 tvia 12 也有人 叫 v1
: ?. g( h3 \" a! P& gvia 23 也有人 叫 v2$ C7 ]/ w" V/ ]- m! M' D0 @" c
同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal
' M$ J6 d$ s \5 w. e, ~0 G' ?8 t有機會 再 來說 CO 以下 |
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