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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 T0 z' e& C9 _: B: H( \8 i8 p. ?4 N6 b5 a( R; R% B  \( P: }( ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" `3 v" |' |( H" Z3 Z
大部分是要match
( j! z0 E- c3 Z2 ?! B) VMetal poly  density  不夠
4 a# k3 K8 w$ K: r1 |0 t加ㄉ那些也較 DUMMY
  I1 J. H6 w- k4 \- O把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % t1 E" |8 ]; f7 ]5 g& Y; I" t  V
' n6 U1 u& Q# a0 ?

3 X& X+ S* R, m, P' O9 ]+ h    感謝樓上的大大* k% U. N+ f& U! y; [5 U1 `
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) ^/ x9 n3 P! s  A+ d

6 r$ K8 s* X% r1 o4 D4 c8 y
0 \8 H# e4 u) ]5 S    感謝您回覆的這麼的詳細
; N5 p  c# r, f" M6 n您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 s/ p& C+ a! j, d* Q: `- Y+ |; V. ^
% Y4 _+ F2 c# k! [) I不過簡單來說" n& S7 S6 T- ]4 b% O, `: z* ?9 e( }
在製程時食刻會破壞掉你的元件! @4 F  @% v0 ^: R
而特性就被損壞( C: Z0 a5 ^( ?6 E, ?4 D

/ g, R  v8 g& h. n( @. V/ H若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! l8 \9 r" m1 m, L所以蝕刻吃他最多- [: j* R2 `- M* x5 }( Z2 E
主要部份特性就不會被破壞
! {4 {! B/ e6 i! t' i$ B2 ?4 H
" }4 i1 H) |0 G) Q6 V/ l& [很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: q+ T$ x5 s5 I2 k/ q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 q0 s2 q$ X2 S" Z
% u. q1 u& h7 X6 P; Q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* y9 @, I. e8 t5 G/ F  `  I4 p7 X- @" K, j
還有電容也要加- B3 b/ a4 V1 t: C% F' y! r: {1 N
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 t" o! j' _' }' B7 A1 X, \7 m3 d8 i8 x* D3 A5 W
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: F8 \7 M( e2 I4 n& M
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- t  C% m) ~$ f* ^0 A5 c% h
7 H5 P4 T7 w  I- e, f; U9 J

+ p, x' m/ {# {, j* ~3 u    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 c+ y# ]! F0 z- A' y9 H9 Y+ z8 t  b/ c0 X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
; Y0 T* @7 p$ i; L; u
, t% D: e) P6 @% d- O; @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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