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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! d% ]" Y* g2 O* N# }$ l( _4 k

8 Y* K& x/ B$ _3 D9 }poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! ?1 ]$ U* E6 |, {
大部分是要match
2 u, o; e0 \# K* O9 C! N) gMetal poly  density  不夠
; L5 G3 G! Q/ u& j: V: }/ [加ㄉ那些也較 DUMMY 8 ^1 b0 k5 V. H7 l8 |( W, [
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % W1 i0 F/ N1 A9 d

  ]" y, E* @0 X4 X7 N
, \3 g- `) _6 W* c    感謝樓上的大大  X9 J. F6 e$ T- `% J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 f; D) W7 V$ S$ s5 P+ \

$ K" I" @( i1 p! G, R- Z1 T* q( F) p8 o7 t; q2 @, ?$ g
    感謝您回覆的這麼的詳細4 A/ D8 u2 @+ U' h; K) ^
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) k; m; G$ ~  E% K. b' v
, }0 y7 }) E0 I4 Q+ F4 r( P* q
不過簡單來說
0 T4 j/ O* b4 E3 r; B在製程時食刻會破壞掉你的元件; N9 n& y8 C% z2 e7 [
而特性就被損壞" w8 d+ f* p5 ~/ r- Y$ q9 e% B
7 M4 w& z) W+ H- s  A, s
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 O3 k8 ?7 c8 ^9 i7 V! E所以蝕刻吃他最多/ }8 J  T, _, C+ t* l5 W. L% Q# r
主要部份特性就不會被破壞: `) z* q4 u1 l+ N0 H/ _& L* L

8 C+ W8 N8 M# O2 U1 V0 x* Y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>) Z* O6 T6 @! p: {  r+ O
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享& t! f( A. X: k& k8 P
* ]4 _& p& X$ e* F5 ]4 c: B3 ?
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' T- A, Q% ]: b5 M還有電容也要加
3 _4 b% H4 @/ P7 R若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!0 m% r$ G! u/ v$ j9 h2 s
7 s- J+ z8 p0 O# G. q( ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 Z% ~1 W  K1 j  i# D  C- J
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) s+ A) F$ r3 ?% ^

+ J* b$ h$ ?2 y: o( d# Q/ s! U3 J$ i; E/ {& w/ w% ?& R8 [
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 Z* @; ^4 ]; g6 Q& u. t! s- h
0 q! J9 Q5 J4 G- Z$ t
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& H# d" i# i6 E0 Z5 X

4 A! s) n5 s0 V# s9 H. ~數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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