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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: q, j' b/ V, k1 h; G/ [3 [

6 w& {! N& Q0 P. `; vpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 H7 M5 U1 c* ^: A0 M0 r
大部分是要match7 Y) B, Q4 h9 m$ w) D% p
Metal poly  density  不夠
4 F  K+ R5 f9 i& e# N加ㄉ那些也較 DUMMY
; C; j  d. s" a+ s4 p: H; K把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 ^+ a4 g- O  V% s
) G% {* Z/ [! c" ?/ J4 E. }
2 }! @& z2 }5 a' z7 ~
    感謝樓上的大大
/ G' @( l  p  x+ Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) i# h5 L: }9 }# y* {
9 g8 R/ U. w: f2 X" M2 M2 u( _6 o. i1 J7 t. {4 m+ p1 O. c" O8 h
    感謝您回覆的這麼的詳細% a/ a) Y" A/ ~! d7 J. w. c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# e0 w6 o/ g, I* X5 y
( ^9 X6 z2 I$ c6 J
不過簡單來說7 m# m: o4 T  D1 p: |
在製程時食刻會破壞掉你的元件* K2 R% h; l4 D" L0 g
而特性就被損壞
4 d' Q; F! R/ P- [, x. x! S3 A% h2 o% u8 I* v- h
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! y) S) Z4 t7 h/ [; y+ }! }0 }
所以蝕刻吃他最多- P( H# A. n9 q0 D) _& ]0 O1 j8 J
主要部份特性就不會被破壞- g  J+ ]7 R! ^& ~! t# h

3 L5 K1 ?7 b8 q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 a- o# c0 b$ L$ _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 I& n4 c* o' O& h

/ w0 b8 N2 l6 w% H9 W又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 D! M  g" A, k# Y/ ~還有電容也要加6 r* Z8 O: k! x6 f' M+ @- m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) o5 }" S+ B3 W

" }' b7 U1 A. I& l; e# Land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' d( C$ _% e3 m$ ^
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 D2 @+ a5 F$ u, G( x8 W
6 S# l4 h; Y+ i, H* N- R1 T7 a9 i: J5 p# P' C( p/ f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, W, }7 l5 }" z) [* p1 ^, q4 e$ m% K7 W9 M& y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  k7 y5 y% e. E0 N8 _* j
+ q+ E4 }" ?1 u6 b4 r( n0 D9 H; e
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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