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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ e7 J. L( d, L( [- v
) @/ X" H( \- y: T9 E* N& q2 j9 ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, G. W- P) j7 y# H3 c* F+ @  |
大部分是要match/ C+ h( N- s, ]0 a" A4 I0 V
Metal poly  density  不夠
: D* T7 _# b# Z; R% J加ㄉ那些也較 DUMMY 6 x" K) I  H5 W
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; J. u) a% f2 \: w0 H
5 {% [" l6 o; Z4 `& }
% X9 [  q2 X# k0 L8 z- _
    感謝樓上的大大
6 f7 S! j4 X! B$ C, x   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . }, B, Y9 S9 E. X. ~3 R9 X

+ k0 c: S. @* f& \  I5 J/ C( c& L% T& j$ l" f
    感謝您回覆的這麼的詳細- E3 @0 k: y! X8 }- s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. r0 L; p" i, N! d/ T0 T* [* i% ]7 S9 w
( _* Z. b9 F' E不過簡單來說
$ c9 B: d. |" X& n0 k. e在製程時食刻會破壞掉你的元件
( {+ |2 |9 _, I而特性就被損壞
/ c, E( F! e+ C* U& J7 h  _, L8 n. x0 d
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ y9 p) ]! e5 s# m* f, b  m
所以蝕刻吃他最多
! Y9 `0 F. J: m- U% _主要部份特性就不會被破壞. p: z) q' P4 M" s
8 C, G! Q  {0 O2 U6 @, C
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* X4 U0 U, v+ J5 i. ?6 U8 C所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
- ?8 q& M, w$ @( g0 P5 d* S
3 P1 N0 N2 o" Y* v" k* k' n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ F  {0 ?( {& _& r9 s/ I- x3 _& W" |1 T
還有電容也要加
! j0 W& M9 c3 O& N若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  w7 q6 ~# m# b* s* J% r5 a
% M2 R7 v' v: q" h5 [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; `0 ]" v) k3 ~* wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 K/ `. s7 g% p) K' Q- i& z. n5 Y* G8 Z' ^& S' J- y- a" J

2 I# @! |3 M0 a2 e; v# [7 S    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 m1 J# f) ]; h, X2 L+ s( j

9 L6 t. u6 K! y% g: D& V. d如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  V$ i7 u7 q& F" S1 P+ ]! s8 R

/ X2 P. v) D) z5 I5 s2 E數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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