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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! _* x! Q0 M* D7 F" g2 m

7 u$ X, C1 \: N$ x  Z& mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: |4 U1 w% f% Z( l! J1 ~大部分是要match
$ d( D* l" o9 |) B% |2 `1 NMetal poly  density  不夠* }$ l  V1 i7 i1 H! w
加ㄉ那些也較 DUMMY
; h6 c  f& d- M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
/ p+ U: w. r  |' A8 \& W2 g* X
% p- H$ f! C- J# }& o7 Z; b" ?9 G( b: ]; Y0 x3 j
    感謝樓上的大大1 N/ b5 o4 t( f2 Z9 t' Q3 I7 Q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , j+ C" I' O  P

# n* r& x3 {0 [( {5 v
/ {2 H8 A- N7 D( a% s9 `    感謝您回覆的這麼的詳細
4 E  U' S# ^% Z5 A8 w3 s5 K您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" N+ ^& z- F7 H. `! @
" Z$ f4 v5 l/ C" w: M) ^% F' |不過簡單來說
6 @( Z  C: S, X; D在製程時食刻會破壞掉你的元件
. a( }/ u: r8 |3 i; O. l( B而特性就被損壞
) s1 X6 \6 B7 y5 G  ]7 B7 R( q$ j
$ a& q% Q3 M# h- y  X* k7 N若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ T7 x: P$ E, z
所以蝕刻吃他最多
( c; _% N$ U( `" o* \1 M0 Q# h主要部份特性就不會被破壞* @- P7 v9 r" q! Y" c
3 k) d* p1 H" J  ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 x" A* ]% i* ^4 x2 t
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 H! m) T) k) r2 `
+ G9 A% `) Q; ]( Y; J  p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 A0 B8 m2 f1 R+ Q3 b
還有電容也要加
2 z( i4 U: t6 q! ]3 i9 v# X若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 N' \9 w& U/ M7 Y7 Z/ Q+ Z
% q0 V6 k) p7 d. T# band i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 |( n) T+ s5 d; B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& s7 J& {# S4 I$ E( D
2 d+ p( w1 q. q5 a! }5 X
9 K+ y* P- t- x# J
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- {% d) z. s  B
% J/ h* [% W- w5 ~7 U如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
6 D" O* B* H& [, T/ P0 R  K& _- J- g! Q: d, J1 K+ O
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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