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[問題求助] VDD、GND line的寬度如何拿捏

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1#
發表於 2010-4-29 13:05:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
VDD、GND line的寬度如何拿捏
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2#
發表於 2010-5-7 16:21:35 | 只看該作者
要看你的lis檔電流有多大
: I% B: v: A# B- @然後再看製程檔有個地方會說電流多大~就要多大的寬度
' q) S+ }+ y5 v$ b' c) X舉例: 如果是.35製程
* X& v! |( A/ G. d5 E% R     電流3mA就要layout畫3U: G: F9 N) n( S
但通常VDD與GND最少也要20~30U
3#
發表於 2010-5-9 15:40:47 | 只看該作者
Design rules文件有時會寫Contact M1 Via1 M2...可通過電流量
4#
發表於 2010-5-9 22:16:50 | 只看該作者
还需要考虑走点电阻 如果走线实在太长 电压drop 可能导致chip 内部得到的电压太低而fail
5#
發表於 2010-5-21 11:06:03 | 只看該作者
应该是越粗越好吧。。。。
6#
發表於 2010-7-6 11:36:02 | 只看該作者
能大就大也要考慮到IR Drop
7#
發表於 2010-7-10 11:31:08 | 只看該作者
1 从EM角度考虑,计算所有的电流值,根据Process manual计算;" M7 o! J* l3 E7 ^" d- P# G
2 与Circuit designer讨论,IR drop的要求
8#
發表於 2010-7-21 13:24:48 | 只看該作者
那如果說 我的電流1mA  那power的線也可以畫20u~30u嗎
9#
發表於 2011-4-1 18:19:22 | 只看該作者
主power line 取決於IC動作時需要的電流有多大,可以請designer 決定.通常15um~30um都有,也有更大的.但是太寬會有metal slot的rule必須注意.否則會產生集膚效應 . 另外主power line的寬度也會影響ESD的能力.所以也不能太小.至少15um以上應該比較適當.
10#
發表於 2011-5-9 14:33:53 | 只看該作者
1.主要要了解RD能接受最小的寬度為多少,(基本上當然越寬越好,不過還是有面積考量); f5 Y6 P' P+ E! j* d/ s
2.每一主幹接到多少BLOCK,還有多長,這些都是IR DROP須要考量的
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