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[問題求助] Al process 和Cu process的比较请教

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1#
發表於 2010-4-23 15:08:17 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在Al 工艺中一般都没有max metal density 的要求,而且max metal width的要求也比较宽松;+ ?1 ^6 l; r$ ]4 D$ N  q3 G
而在Cu工艺中一般都会有max metal density 的要求(比如80%),而且max metal width 也会比较严格一些.
% c, f  D+ i7 X7 m/ {这个在工艺上是怎么考虑的???( ]# E. }, l& ^$ s
. z" o) \- m% ^: l
以上,谢谢.请求高手指点...
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2#
 樓主| 發表於 2010-4-27 14:59:13 | 只看該作者
没人懂吗?呵呵.自己做沙发啦!!!
3#
發表於 2010-4-28 19:47:14 | 只看該作者
Cu製程的CMP,  對Metal density的要求比Al高
, r! b1 l0 W1 H" _5 V# v+ V0 ^9 B$ C因為怕會有dishing的問題.
4#
發表於 2010-4-29 21:45:49 | 只看該作者
我没有用过CU工艺,我有些不理解关于max metal density! Y+ Z7 q! L8 Z! D: c8 y

+ y; p" c& }" y, a7 L& q& [我们平时只关注AL的min metal density。。。。我理解对于越高的metal density平坦度越高啊。。。请教怎么考虑的。。。。什么是dishing。。。
5#
發表於 2010-4-29 22:04:21 | 只看該作者
如果超过mux density的话会出现怎么样的问题。dishing是什么情况
6#
發表於 2010-5-18 14:42:45 | 只看該作者
max metal density 怕根本無法蝕刻下去
  I. F& P: l" a; ?. d7 ~單位濃度不夠
7#
發表於 2010-5-18 20:24:55 | 只看該作者
因為蝕刻液灑在Wafer是固定的,所以min/max density就需要定義,避免尺寸變形。
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