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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請問關於tsmc018製程裡面的pwell
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[問題求助] 請問關於tsmc018製程裡面的pwell

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tshiu
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1#
發表於 2009-10-26 16:11:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL3 R# O" g, u, k5 G1 x, S
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎3 ^1 }) [. m$ F) C
(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)
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tshiu
2#
 樓主| 發表於 2009-10-26 18:10:57 | 只看該作者
目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序3 m8 |2 U+ C" c8 O" d, }
可以增加NMOS的參雜濃度
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3#
發表於 2009-10-27 22:44:59 | 只看該作者
當你sub的電位不一樣時. k! H9 ?1 @* \3 V7 Z! h
                                                   
; k  {& V6 P8 j5 F. l" Z也可以使用！
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4#
發表於 2009-10-29 15:01:52 | 只看該作者
通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…
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5#
發表於 2009-11-11 10:14:45 | 只看該作者
看你ㄉ 製程 決定9 U3 a- I; p1 A3 Q0 H* e
通常 T ㄉ  PWELL 光罩
' h5 N& L" a+ Z4 P2 W% T: k都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來* C' }! \% _) |6 ?0 W; L
所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　
& o* @& \$ U' X/ y3 T4 A和　光罩製程資料
9 F0 v6 a) O) D- f: |% D" J　
9 W* C7 A$ e1 n/ ?PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程
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