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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝1 w+ s: ^. j2 l3 J( }$ g
我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)- T( J% p( q/ {/ I" @
1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.% W6 U( C' {) N1 u2 H, {
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }, V, ]( E. v: h0 T
2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
- c3 u4 |8 T: m$ Y  a' q                   EMPTY_AREA AND NWi }8 K, Z; ]- ?: _  J1 e+ K
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD
% u9 x% G" C3 O) U7 n- S; Q9 C0 w                     layer.
+ k# q% O3 V- c6 u- ]1 N                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
& |9 ~  G9 q8 T* Z& m0 r0 n$ j5 d: o5 N* a- q& M0 G+ _
麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer 9 h6 o7 L7 m$ U3 B' g7 J
整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check
* m' ]% R, k6 {/ [) t在 DRC command file 先把它 mark 掉
" Y1 s8 w( Y0 U# y$ N/ C6 [在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些( B2 N/ ?* d/ P) U3 ?+ C5 e/ |8 [
////#DEFINE FULL_CHIP+ _0 q) {4 K4 X1 L/ N
仔細研究一下 design rule
& F, @* E# X) C1 y% V6 T' E應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?; N% [  @/ V  Z6 S4 P
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
7 E+ G. C9 ^5 ^2 @: b8 ^) ]4 R! Z/ r  h) F: c
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width
8 K) M9 D$ h* e5 K變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
0 l. l6 I- j! M4 A6 G. D! W也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
* e8 _  k" M7 w+ ?  r- {$ G7 \7 _/ G$ `- x: A1 j3 ]
[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉3 Z1 h9 b1 p& y4 w6 V+ e
就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
, O& e2 Z$ E6 t9 X$ G在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)/ r( ?3 ?; D8 f0 r8 t1 Q
如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;
$ Y' _6 e  u; F7 d. J* P% p 還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?: n# ]: P' t' q1 H7 K2 f
是的  有人說  rule file 也有人說  command file7 {: C. B; b  g8 G& t

. A* k: e- V  h* F9 b還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width :   E3 s! V" @/ I' C
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
" B+ E, C4 G, g/ P  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
( {0 V6 C; }# q- I沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮
, c# N7 J/ `* Z) d: V6 J8 j 例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ
7 y* U6 k/ F. m9 Y- W7 m; L, e/ s通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論
4 T' L: }! ^; v. A/ W% o  i後 做決定 有時電路有其考量  參考參考/ \7 n" E$ R# v

% c- f% r, m/ r$ x  U( T:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
" e8 }1 q) k8 d1 H2 g那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表
2 X" B, Y% j( i6 R4 P5 a我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
# o0 p! [. |: q, K0 X那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?
7 I( i+ G+ E9 ]! N! Q原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…
8 u! a6 q( T' H5 n2 w這個名稱還滿好笑的……
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