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[問題求助] power mos layout的sub接触？

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scy8080

電梯直達

1^#

發表於 2009-6-18 15:57:35 | 只看該作者回帖獎勵

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power mos layout通常面积很大，如果功率管中间不加sub接触孔，sub接触全部放在周围，那么中心的管子衬偏势必狠严重，从而RDSON势必很大。种情况怎么处理？请教各位达人。

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semico_ljj

2^#

發表於 2009-6-19 13:12:41 | 只看該作者

每隔一段插入sub，比如50um！

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pkjordan

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發表於 2009-6-22 09:51:06 | 只看該作者

可做成特殊power mos 使用
普通mos 也可以變化型的

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shkao0201

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發表於 2009-6-23 09:28:31 | 只看該作者

你必須要做butting contact,如果你沒有做butting contact,則Vsb太大,body effect嚴重就可能使中央的mos燒毀.

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alai

5^#

發表於 2009-7-13 11:42:25 | 只看該作者

原帖由 semico_ljj 於 2009-6-19 01:12 PM 發表 7 W! |* _9 z+ U
每隔一段插入sub，比如50um！

要看具体的运用场合，如果power Mos驱动的是感性负载，在断电的一瞬间有大电流回冲。会引起latch up的问题。
这种情况下。大家插入sub的距离，在允许的情况下，还是越小约好。50um可能是不够的。像DC-DC，每个MOS 的
source都做butting 。

大家互相学习，分享经验很快乐。