非揮發性記憶體製造商Unity Semiconductor進入公眾視野

jiming

(20090524 14:55:38)美國商業資訊加州SUNNYVALE消息——Unity Semiconductor Corp.一家新興的矽谷企業，它將以非揮發性記憶體的設計、開發和製造商的身份，進軍半導體資料儲存市場。該公司於今天表示，其目標是達到業界最小的晶片尺寸和最低的位元成本。這家儲存級非揮發性記憶體（NVM）公司計畫透過創新的多層儲存陣列結構，和一種名為CMOxTM的新型關鍵技術來實現這項目標。CMOxTM主要是在伴有離子運動的半導體製程中加入了一種叫做導電性金屬氧化物的新材料。

Unity Semiconductor的董事長、總裁兼CEO Darrell Rinerson表示：「公司的首款產品是一種64 GB的儲存級記憶體，將在兩年內開始生產。」Darrell Rinerson曾在知名的記憶體公司美光科技公司 (那斯達克股票代碼：MU) 和超微半導體公司 (那斯達克股票代碼：AMD) 任職。成立於2002年的Unity Semiconductor，已經成功研發了全球首款無需儲存單元電晶體的被動式可覆寫交叉點儲存陣列。Unity Semiconductor已有兩年的64 KB產品和1年的64 MB產品製程經驗，而且由公司設計的一種64 GB產品即將定案，預計這種產品將於2010年下半年開始試產，2011年2季度開始量產。
" H: r/ Q$ G9 D) t7 Y$ t6 a
/ }# V  c( ~; |Unity Semiconductor不僅要為主要的高密度記憶體研發出一種NAND快閃記憶體的替代技術，公司還希望能開發並生產出NAND快閃記憶體的「下一代」產品，這種產品最終將應用於各種嵌入式高性能應用平台和企業應用平台。Rinerson表示：「只有「Terabits技術」能夠挑戰大容量旋轉磁性媒體。」
- ^; |/ a5 z$ l- h8 W, B
Unity Semiconductor將與領先的記憶體整合元件製造商（IDM）密切合作，以非揮發性記憶體的設計、開發和製造商身份，為半導體資料儲存市場提供服務。除此以外，公司還將展開一些智慧財產權授權業務。
4 |/ r, a, K- Q7 A7 }
" ^  M- }7 G1 Q& q" N加州蒙特利Web-Feet Research的CEO Alan Niebel表示：「儲存級記憶體（SCM）通常分為記憶體式（非揮發性RAM）和記憶體式兩種。CMOxTM是首款實質上的儲存級記憶體，它能滿足先進儲存的對記憶體的性能要求。作為首款交叉點儲存裝置，CMOxTM能夠精確到20奈米以下，儲存密度高於每單元儲存4位元（4bits/cell）的NAND技術。此外，它使用每單元1微安培以下的寫入流，擁有10x的寫入速度，而且比NAND更耐用、費用更低。」

jiming

根據市場研究機構的預測，Unity Semiconductor相信，到2010年，公司的儲存級非揮發性記憶體的市場容量將達到150億美元左右，到2013年將超過250億美元。
9 Q7 J+ q4 g3 V7 D
# E; _4 w* s5 R7 p+ g% Q這家新興公司對於目標市場份額的預測，是基於它獨有的新一代NVM技術CMOxTM。採用CMOxTM技術的儲存級記憶體產品的高性價比將使Unity Semiconductor有能力直指高性能NAND快閃記憶體的替代市場。但是，CMOxTM主要針對新興市場，如筆記型電腦和小筆電的固態硬碟（SSDs）、行動上網裝置（MIDs）和智慧手機等，根據市場預測，到2012年，這些市場將有90%以上使用嵌入式快閃記憶體。
5 d+ r7 a9 I+ ^3 p# u+ {8 p
CMOxTM是一種新一代NVM技術，它採用Unity Semiconductor的專利技術，能在特定的金屬氧化物組合中發生轉換效應。Unity Semiconductor在CMOxTM中使用的轉換概念不同於當前的快閃記憶體技術。CMOxTM技術的儲存效應來自於離子載流子的運動。由於不需要儲存單元電晶體，CMOxTM可用於產生被動式交叉點多層儲存陣列。其他的儲存技術，如相變記憶體（PCM）和磁性隨機存取記憶體（MRAM），每個儲存單元都需要一個電晶體，因此不符合交叉點多層晶片結構的要求。
1 `- x& R) k0 q# M' G7 h) d* C
Unity Semiconductor的多層交叉點陣列使用了一個阻抗性元件，但不是像其他幾家公司那樣，使用電阻式隨機存取記憶體（RRAM）儲存單元，相反，在CMOxTM技術中，導體不是線性分佈的，而是平均分佈於各處。同時，交叉點儲存陣列結構能夠容納高度密集採用新一代NVM技術的記憶體裝置，此外，它還允許多層記憶體的疊加。Unity Semiconductor的CMOxTM技術使用了4層多層式晶片（MLC）記憶體，這對於增加儲存級記憶體產品的儲存密度十分重要。作為一項新一代非揮發性記憶體技術，CMOxTM將生產出具備當前NAND快閃記憶體的4x儲存密度和5-10x寫入速度。Rinerson表示：「我們相信只有小儲存單元的CMOxTM有能力在費用和儲存密度方面勝過NAND快閃記憶體。」

9 z0 R8 G8 L' K2 Q除了技術創新，Unity Semiconductor還有一些其他業務，其中包括將前段（FEOL）的CMOS晶片製程與後段（BEOL）的記憶體層製程分離。CMOS晶片不需要新的製程技術，可在CMOS邏輯工廠進行生產，以現有的產能，只需擁有90奈米的CMOS後段製程即可。

jiming

BEOL MemoryTM能保證在CMOS邏輯工廠在從事記憶體製造同時，無需承擔記憶體市場的巨大風險。
: m% i9 v7 k* A& A7 f# A
0 D  v8 H1 a% X# u9 e- T' _/ mUnity Semiconductor的CMOS FEOL策略使得公司能夠適度借鑒他人的CMOS電晶體技術。公司的衰減路徑也將有所不同，因為高儲存密度的儲存磁芯不需要基礎CMOS技術的升級，相反，Unity Semiconductor可以使用同樣的90奈米基礎CMOS技術來開發許多代產品，並採用認可的設計IP來降低風險、縮短產品上市時間。Unity Semiconductor特有的衰減路徑策略會降低製造的基本費用，例如，公司可以持續使用90奈米後段的生產線，並將較舊的CMOS邏輯生產線作為它的前段製程工廠。在前段製程階段，不需要追加投資。
+ q2 H5 g' a. l* J
/ r+ h/ g# N* u$ z) t+ g為了保持相對傳統NAND快閃記憶體技術的4x優勢，BEOL MemoryTM必須積極改進，保持其前端地位，而基礎CMOS則不必。因此Unity Semiconductor將借鑒最新的記憶體技術。它將以盡可能快的速度，最大限度地利用先進的半導體製造工具。公司的BEOL MemoryTM策略要求它與一家領先的記憶體IDM進行合資生產。公司的合作夥伴，亞利桑那州鳳凰城的Convergent Semiconductors的Sherry Garber表示：「這種生產模式，以及我們生產的產品，都是革命性的。」
6 f4 t4 ]$ a* C. `
7 W$ M2 n& ~8 _CMOxTM 64 GB裝置的作業頻率將達到100 MHz，最高資料速率將達到每秒200 MB。持續寫入速度可達到每秒60 MB，讀取速度可達到每秒100 MB。
0 k6 d3 c. P; n( ]+ a7 \0 n" F- d! l4 X
6 V# b- W6 _: @# S6 Z0 i( ZUnity Semiconductor是一家資金雄厚的新興企業，至今已累計獲得將近6500萬美元來自風險投資機構和一家主要硬碟驅動器製造商的投資。最近Unity Semiconductor還獲得了2200萬美元的C輪投資，主要來自公司的三家風險投資人，August Capital、Lightspeed Venture Partners和Morgenthaler Ventures，以及上述硬碟驅動器製造商。最新的一輪融資行動包括1000萬美元的債券融資，共募集了將近7500美元資金。

$ n2 l. X% I* N) R3 l$ m, oUnity Semiconductor是非揮發性儲存級記憶體的設計和開發商，公司使用創新性的多層記憶體陣列結構，以及一種名為CMOxTM的新型儲存單元技術。Unity Semiconductor（www.unitysemi.com）於2002年在矽谷成立，目前擁有40多名員工。

jiming

半導體記憶體初創企業Unity Semiconductor公司完成2200萬美元的C輪融資

( d' V4 }6 G( m" J; h; P(20090524 14:56:02)美國商業資訊加州森尼維爾消息——Unity Semiconductor公司是一家為半導體資料儲存市場服務的初創企業，從事非揮發性儲存級記憶體產品的設計、開發和製造。公司今天宣佈，完成了2200萬美元的C輪融資。
5 f) M- I4 F/ u" K, Q: Q
4 {' x7 k! z. e8 vUnity Semiconductor公司創立於2002年，創始人Darrell Rinerson曾在記憶體領先企業美光科技有限公司（納斯達克股票代碼：MU）和超微半導體公司（納斯達克股票代碼：AMD）擔任高階主管。Unity Semiconductor公司的目標是，針對特定的市場，使晶片達到最小尺寸，並使每位元製造成本降到最低。Unity Semiconductor公司準備利用多層記憶陣列創新架構和一項名為CMOxTM的突破性記憶體單元技術來實現其產品成本目標。CMOxTM技術的原理是，透過合成某些導電金屬氧化物材料來實現離子運動。

2200萬美元的C輪融資主要來自於Unity Semiconductor公司的三大創投機構August Capital、Lightspeed Venture Partners和Morgenthaler Ventures，以及之前也曾出資的一家大型硬碟機製造商。最新的這一輪融資使Unity Semiconductor公司獲得的投資總額達到近7500萬美元。

0 t* K0 |3 N# @  L7 h% J. KUnity Semiconductor公司董事長、執行長兼總裁Rinerson先生說，「最新的這一筆投資顯示，我們經驗豐富的一流投資團對於我們的專有技術及其開發進度是有信心的。」他說，新籌集的資金將用於完成Unity獨有的下一代非揮發性記憶體技術CMOxTM的開發，並把CMOxTM整合到大容量記憶體生產製程中去。另外，這筆資金還將用於完成其CMOxTM型儲存級記憶體系列產品的設計。

August Capital公司是最早對Unity公司進行創投的投資機構，其合夥人Andy Rappaport說，「NAND快閃記憶體是目前半導體產業最大、最重要的領域之一。但是，其規模擴展方面的限制已存在多年。Unity公司所開發的技術就好比有神奇力量的聖杯，該技術不僅在各個主要性能指標方面使NAND快閃記憶體達到最佳化，而且可以適應今後製程水準的不斷提升。就我的職業生涯經驗來說，能夠用這樣獨特的基礎性技術來因應一個規模如此龐大且不斷發展的市場，這樣的半導體初創企業還是不多見的。」

jiming

利用CMOxTM 技術生產的產品，預計其密度是目前的NAND快閃記憶體的4倍，寫入速度是NAND快閃記憶體的5-10倍。Rinerson說，「唯有CMOxTM 的單元尺寸才能打敗NAND。”CMOxTM 實現了40年來一直夢想的概念，也就是被動式可讀寫交叉點記憶體技術（passive rewritable cross -point memory technology）和記憶陣列的多物理層技術。他補充說，由於CMOxTM應用了“新方法和新材料，這些概念成為事實，否則是實現不了的。」不採用這些新概念的話，讀寫交叉點記憶體單元是無法實現的。

' K, H7 k, ~! Z7 hCMOxTM 不僅要在所有重要的高密度/高性能記憶體市場領域（固態硬碟、獨立記憶體、嵌入式記憶體）成為NAND快閃記憶體的替代技術，而且要成為接續NAND快閃記憶體的技術，逐漸擴展到高性能的嵌入式和企業級應用產品之中。Rinerson說，「我們把它稱為『兆位元儲存技術』，該技術將會挑戰大容量旋轉磁性介質。」

! D' V( `  i5 C0 V/ i; U7 Z為了保護開發成果，Unity Semiconductor公司申請了大量專利，專利組合之中現有60多項正式專利，還有90項專利申請正在辦理之中。
# x+ o1 }8 B4 C( A5 s
) J2 L" _2 |& L. T1 o/ Z3 ^Rinerson先生說，「我們2年內即可實現首款64百萬位元儲存級記憶體產品的量產。」Unity Semiconductor公司研製64Kb產品花了2年時間，64Mb產品花了1年時間，而64Gb產品將在2010年上半年問市。
* f8 C: Z. {5 T! a
3 Q) S; T# a6 \) l2 Z6 e8 ~  o% oRinerson先生補充說，「為了全面開發我們獨有的下一代記憶體技術CMOxTM，並把它推向市場，就要找一些量產合作夥伴。」從公司的生產策略出發，Unity Semiconductor公司需要與一家領先的記憶體整合設備製造商（IDM）組建合資企業，負責量產。

wanglean

容量及速度都提昇了，只是不知未來的產品價格是否有競爭力，IC業者是否願意買帳才是重點．．