Diodes新型封裝元件有效節省PCB空間及增強充電器效能

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Diodes最新小巧電晶體實現超微型產品設計
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* G/ n+ d' [( ~5 e7 H' tDiodes公司近日推出了新型的20V NPN和PNP雙極電晶體，它們採用超微型的DFN1411-3表面黏著封裝，能夠大幅提升電源管理電路的功率密度和效率，並且採用了Diodes的第五代矩陣射極雙極製程來進行設計 (Generation 5 matrix emitter Bipolar process) 。
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0 I2 ?2 I% G4 I6 W- K, I% {( H; v# g這對互補性元件ZXTN26020DMF及ZXTP26020DMF的尺寸只有1.1mmx 1.4mm，離板(off-board)高度為0.5mm，有助於設計極度小巧的可攜式產品，還可以改善產品的電性能和熱特性。

0 Y$ s8 _6 M# t- O0 m這些微型電晶體適用於MOSFET和IGBT閘驅動、DC-DC轉換及一般切換工作，較一些體積更大的SOT23封裝元件更能夠節省空間，並且展現完美的熱性能 (thermal performance)，而在尺寸面積最小的FR-4 PCB上的功率耗散額定值只有0.38W。
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, K+ S2 v2 F/ C3 Q. g1 c0 W最新雙極元件的特點包括高增益、低飽和及快速切換，具有極高的連續電流處理能力。NPN元件的最大額定集極電流為1.5A，PNP元件的則為–1.25A，較目前所有封裝體積更小的元件更為優越。

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Diodes 推出旗下首個標準邏輯產品系列，開拓全新半導體領域
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+ M1 l0 M4 d% q" [Diodes 公司推出旗下首款單閘邏輯產品陣營。74LVC1Gxx 系列採用先進的5V CMOS 技術，性能表現更優於現有的同類產品，該系列為用戶提供八個最受歡迎的標準邏輯功能並設有SOT25 和 SOT353 兩種封裝選擇。74LVCE1Gxx系列則是提供相同功能的74LVC1Gxx進階版。
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Diodes 74LVC1Gxx 產品系列適用於通訊、運算、消費性及網路等廣泛的設備中，現階段推出的版本包括 AND、NAND、OR、NOR、XOR、轉換及緩衝功能。該單閘產品是業界標準零件中價格效能比更高的選擇，適用於作用點通用邏輯(point-of-application general purpose logic)、位準移動(level shifting)和訊號分離應用。
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該元件可以在1.65V 至 5.5V 之間正常運作，廣泛的電壓範圍能夠支援手持式電池操作及傳統的 5V 應用。為滿足更高的效能應用需求，Diodes 同時推出的74LVCE1Gxx 系列將規格產品操作電壓降低至 1.4V。在1.8V的情況下，該系列比標準LVC產品的開關速度提高30%。兩個產品系列均擁有 5.5V 的耐受輸入，可以用來設計電壓準位轉換。
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Diodes 的全新邏輯產品在許多應用中只會使用少於1µA的供應電流，以維持低電源消耗。其IOFF 輸出電路能讓設備電源關閉時，電流輸出亦同時中斷，進而防止損害性的回流進入設備或者產生不必要的訊號線分擔負載。
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! }/ S2 t. f( t" D% ?6 EDiodes 公司總裁兼執行長盧克修博士表示：「市場對單閘邏輯產品的需求增長迅速，而對傳統四閘邏輯產品的需求卻日漸減少。但是，許多供應商沒有低針腳接口裝配線，因此自身的產品配置時間越來越長。Diodes 擁有世界頂級的裝配設備，非常適用於製造低針腳接口 SOT25 及 SOT353 封裝。我們很高興能夠利用這一優勢，為用戶提供另一個高品質、高效能的邏輯產品選擇。」

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Diodes 迷你型SOT963封裝產品 適用於超小型可攜式電子設備

, I! D+ K# H8 r0 @1 IDiodes公司近日推出採用超小型SOT963封裝的雙極電晶體(BJT)、MOSFET和瞬態電壓抑制(TVS)元件，效能可媲美甚至更優於採用更大封裝的元件。

適合低功耗應用，Diodes SOT963的佈局面積只有0.7平方毫米，比SOT723封裝少30%，較SOT563封裝少60%。精簡的佈局面積加上0.5毫米的離板高度，讓Diodes的SOT963封裝產品能夠滿足廣泛的超小型可攜式電子設備的要求。
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現階段推出的SOT963封裝產品，包括六款通用的雙極雙電晶體組合、三款小訊號雙MOSFET組合及一個四線配置TVS陣列DUP412VP5。這些設備的針腳封裝支援手焊及目測，省卻了X光檢測。
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採用了SOT963封裝的雙電晶體，包括雙NPN、雙PNP和互補NPN-PNP配對，額定集射極崩潰電壓 (VCEO) 為40V和45V。雙N型、雙P型及互補 MOSFET元件提供20V的額定汲源極崩潰電壓(BVDSS)，額定導通電阻 (RDS(ON)) 都在1.5V 下測量。

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Diodes 推出強韌型MOSFET 輕鬆應對VoIP通訊設備的嚴峻考驗

2 h6 N$ P3 f+ h: \Diodes 公司擴展其MOSFET產品系列，推出特別為網路語音 (VoIP) 通訊設備而設計的新型60V N通道產品。新型 Diodes DMN60xx 系列的設計針對處理產生端線和環線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈衝電流，以及抵擋在電源開關時所造成的雪崩能量(Avalanche energy)。這個元件能夠符合變壓器的用戶線路介面電路 (SLIC) DC/DC 轉換器對基本切換功能的嚴格要求。

& _# Z0 N$ r5 @2 f% p( c0 |Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的業界標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN6068SE、TO252 的DMN6068LK3、以及SO8封裝的單MOSFET DMN6066SSS 和雙MOSFET DMN6066SSD，後者能夠取代兩個獨立元件，有助減少零件數量和印刷電路板尺寸。  

這些MOSFET具備低閘道電荷和輸入電容，即使在極微甚至無緩衝的低邏輯層電壓(low logic level voltages)下亦能正常驅動，從而簡化了SLIC 電路設計，進一步減少零件數量和成本。DMN60xx平衡了閘電荷和導通電阻表現，為cable和DSL數據機、類比終端轉接器(analog terminal adaptors)和電話交換系統 (PBX)等VoIP應用提供值得信賴的特點。

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新型DIOFET元件提高負載點轉換器效率和可靠性  

Diodes 公司近日推出第一批使用DIOFET專利製程開發的產品，這種製程技術把一個功率MOSFET和反向平行Schottky二極體結合於單一晶片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 元件適用於同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低邊MOSFET位置，有助於提高效率，同時減少高容量運算、電信和工業應用中快速開關PoL 轉換器的操作溫度。

在10V 的Vgs電壓下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的導通電阻值(RDS(ON) ratings)分別只有10mΩ 和8.5mΩ。它們能夠把傳統上與低邊MOSFET相關的傳導損失(conduction losses)減至最低。同時，DIOFET整合Schottky二極體的順向電壓 (forward voltage)，較同類型的MOSFET或Schottky二極管低25%，也較典型MOSFET的本質二極體 (intrinsic body diodes)低48%，因而減少開關損耗、提高效率。DIOFET 整合Schottky二極體擁有低反向恢復電荷(QRR)，以及更軟性的逆向恢復特點，能夠進一步減少二極體的開關損耗。

+ c8 s0 h) s8 O8 K在基準測試中，DIOFET 的操作溫度較其他運算方案低5%。MOSFET 的接合溫度每降低10oC，DIOFET的永久可靠性便增加一倍，大幅提升PoL 轉換器的可靠性。

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Diodes 新型低壓降穩壓器在工業溫度範圍內達到2%精確度

1 `' r' D  v* W8 MDiodes 公司推出一對新型低壓降線性穩壓器 (LDO)，額定工業溫度為攝氏 -40 度至 +85度，適合機上盒、路由器和LCD顯示器等應用。這兩款分別為300mA、150mV 壓降AP7335穩壓器和600mA、300mV壓降AP7365 穩壓器能夠在以上工業溫度範圍內提供精確至2%的可調及固定輸出電壓操作。
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這兩款Diodes 元件擁有從2V到6V的廣泛輸入電壓，提供0.8V至5V的可調輸出電壓以及0.8V, 1.0V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.0V, 2.5V, 3.0V, 3.3V 和3.9V的固定電壓。它們的35µA極低靜態電流，顯示元件能夠有效為低功率電池操作的產品節省電力。
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9 @2 {( S/ D4 g: T# L  `Diodes AP73xx 能夠驅動低等效串聯電阻 (ESR) 1µF 積層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容，有助提高穩定性並降低電路成本。該系列元件亦能夠在1kHz的情況下，提供高達65db 的額定電源抑制比 (PSRR)，為音頻和無線電 (RF) 應用提供低噪音、高品質的電源供給。Diodes 穩壓器具有過流、溫度過高及短路保護功能，因此非常穩定。

Diodes LDO提供多種業界標準封裝及針腳(pin-outs)以供選擇。兩款元件均提供SOT25 及DFN2020-6封裝，而AP7365另設有SOT89-3L及SOT223-3L封裝選擇。

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Diodes新型隨插即用裝置 為負載點轉換器提高效率

  N  f9 M. y  K5 {3 Y台灣—12月10日— Diodes公司近日擴展其DIOFET產品系列，加入了2款新型的雙通道裝置DMS3017SSD和DMS3019SSD。它們把一個經過最佳化的控制MOSFET和一個專利DIOFET，整合於單一SO8封裝之中，為消費性和工業應用中的負載點轉換器提供高效率解決方案。
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低側DIOFET裝置把一個功率MOSFET和反向平行(anti-parallel) Schottky二極體，整合於同一晶片內。DIOFET的典型RDS(ON)值較低，能夠確保傳導損耗保持於最低的水平。然而其正向電壓 (VSD) 卻較同類MOSFET/Schottky解決方案少25%，所以能夠在PWM停滯時間中，透過體二極體把傳導損耗減至最低。此外，包含於 DMS3017SSD和DMS3019SSD內的高側MOSFET，具有較低的閘電荷和快速開關功能，能夠把高側開關損耗減至最低。

通過這些特性，DMS3017SSD和DMS3019SSD可於全負載狀態下，達到94%的負載點轉換效率；同時減少佔位面積，並藉由減低與聯合封裝或外部黏著Schottky二極體相關的寄生電感，改善電路設計。
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在低於同類型解決方案的操作溫度下，DMS3017SSD和DMS3019SSD同樣可以提供這種效能。這些元件可以在更低的溫度下操作，有助於改善可靠性，因為當MOSFET的接合溫度每降低10oC，負載點轉換器的生存期可靠性都會增加一倍。

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Diodes可編程的電池充電器 為可攜式產品打造安全操作空間

. d! p! d" t1 _# w1 t; d台灣—1月26日—Diodes公司近日發表新型的APM860x鋰電池充電器IC，它們具備多種不同為保護小型可攜式產品而設計的安全充電功能。
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單通道的APM8600和雙通道的APM8601，能夠持續監控鋰離子和鋰聚合物電池的充電過程，避免出現過壓、充電時間過長或過熱情況，確保手機、多媒體播放器和耳機等產品的充電過程安全無慮。新元件提供高達28V的過壓保護，其中APM8601能夠自動選擇USB或DC 輸入，APM8600則為一款DC輸入元件。

兩款IC的充電演算法涵蓋所有鋰電池的充電階段，包括為耗盡電力的電池進行預先充電、恒流或恒壓快速充電和完全充電。快速充電的最大電流為1A，USB輸入的充電電流則視USEL輸入的邏輯層 (logic level)而設定於100mA或500mA。
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. A6 Y3 h3 j4 h. V% r5 pAPM86系列產品透過外部元件選擇進行完全編程。充電電流、預先充電和充電完畢等操作細節，取決於電阻值(resistor value)和電容值(capacitor value)當中的充電時間。電池附近配置一個標準熱敏電阻，用以測量電池溫度。這兩款元件並內建充電顯示器針腳，提供充電狀態顯示。

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Diodes 為新一代高壓整流器開發全新製程平台  

2 _: G- R/ m8 [  _( @; y8 x! N台灣— 3月1日— Diodes公司近日宣佈開發一種用於製造新一代高壓整流器的專有製程平台。這項名為DIODESTAR的製程技術，是在Diodes位於英國奧爾德姆 (Oldham) 的晶圓製造廠內開發，並且剛剛開始供應第一款元件 – 用於LCD-LED電視電源的高效率600V、8A整流器。
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DIODESTAR製程技術把Diodes在雙極和MOSFET半導體技術方面的專業經驗相結合，特點是具有高電壓處理能力、軟恢復和超快速開關功能。該製程將會用於生產一系列針對不同應用領域的高壓整流器產品，應用範圍涵蓋LCD-LED電視、筆記型電腦和桌上型電腦。
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Diodes 公司總裁兼執行長盧克修博士表示：「隨著法律指令和環保措施，如Energy Star等紛紛督促盡速改善效率，驅使整流器技術快速躍進。DIODESTAR製程能讓整流器以流暢和高速的方式進行開關切換，有助於設計人員滿足高效率的要求。」

DSR8V600將成為第一款發表的DIODESTAR產品。這款600V、8A額定整流器是特別為升壓二極體而設計，適用於最高負載1,000W的單、雙級開關電源 (SMPS) 中的功率因素校正 (PFC) 電路。  

0 t& z4 f2 ^1 M4 {: v. P新系列的整流器為連續和邊界導通模式下的PFC任務進行了最佳化，可以提供同類型產品中最完善的軟恢復及超快速開關功能 (TRR少於30ns)，符合80 Plus Energy Star標準的開關電源。

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Diodes高電流閘極驅動器將開關損耗減至最低
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台灣— 3月24日— Diodes公司近日發表ZXGD3005E6 10A閘極驅動器，在電源供應器、太陽能逆變器和馬達驅動電路中，實現超快速的功率MOSFET和 IGBT負載切換。這款非反相的閘極驅動器使用射極跟隨器架構，可以提供少於10毫微秒的傳播延遲時間和低於20毫微秒的升降時間，減少開關損耗、簡化電路設計和改善系統的整體可靠性。

ZXGD3005E6透過分開的source輸出和sink輸出獨立控制升降時間，讓設計人員得以實現所需的開關特性。該元件的供應電壓範圍最大可至25V，可以全面強化被驅動的MOSFET或IGBT，一方面把導通損耗減至最低，另一方面又容許+15V至-5V的閘極驅動電壓工作模式，避免IGBT被無效的觸發。
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; u2 _  t  l2 Z  j3 h這款高增益、高速閘極驅動器，只需要1mA的輸入電流便可提供4A輸出電流，可以作為控制IC與負載開關之間的完美介面, 無需額外的緩衝級(buffer stage)。穩健的設計進一步減少了增設電路的需要，有助於避免鎖存、擊穿等問題。
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這款閘極驅動器採用了節省空間的短小SOT26封裝，最佳化的接腳配置能夠簡化PCB的佈局設計，有助於減少電路板佈線的寄生電感。

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台灣— 4月18日—Diodes公司近日推出新型的ZXCT11xx低功率高端電流監測器系列。新元件的操作電流只有3µA，能在各種馬達驅動、過載保護和安全應用中，提供準確、高效率的負載電流測量。
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這些元件以低操作電流的效能表現，配合 2.5V 至 36V 的一般模式電壓範圍，以及-40ºC至125ºC的操作溫度，全面滿足需要更高供應電壓的汽車、工業和家用電器電路設計。

2 j- h% g0 |0 S1 P$ H+ |  hZXCT11xx監測器只需要一個外部增益設定電阻，以及一個低值感應電阻 (low value sense resistor)便能夠運作。它們不但簡單易用，還可以把所需的元件數量減至最少。ZXCT11xx系列採用SOT23封裝，有助於節省空間，通過在高端感應電流更可以避免任何接地面受到破壞。
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8 Z# n/ i% x1 ^2 wZXCT11xx系列元件提供不同的針腳分佈，有助於電路板設計最佳化，ZXCT1107和 ZXCT1109皆採用3-pin的SOT23封裝。ZXCT1110則使用5-pin，同時具有獨立的接地腳 (ground pin)，有助於提升性能。

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台灣— 4月26日— Diodes公司近日推出完整的先進高速CMOS邏輯元件系列，達到較同類型高速CMOS邏輯元件更低更優越的功耗和更優越的切換速度。最新74AHC1Gxx邏輯系列的操作電壓介於2.0V和5.5V之間，可輕易替代用於不同種類的消費性電子產品中的業界標準邏輯零件。
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' p) V: f( ]( R+ Q該系列整合了AND、NAND、OR、NOR、XOR、反轉和緩衝等多種功能，並且內建Diodes第一款無緩衝單向逆變器。10種邏輯功能皆設有SOT25及SOT353封裝選項。這些元件可以作為單閘極解決方案，提供在應用點所需要的邏輯功能，有助於簡化佈線、實現最佳的電路板空間使用。

Diodes先進的高速CMOS邏輯元件系列，可以作為3.3V至5.5V系統設計的低功率替代元件。它們通過+/-8mA輸出驅動的最佳化，減少了動態開關功率，並將典型的傳播延遲維持在6ns。低功率的74AHC1Gxx邏輯系列能夠補足Diodes原有切換速度更快的74LVC1Gxx邏輯系列。

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Diodes 推出40V閘極驅動器可減少IGBT開關損耗

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$ V: P! w8 |4 D" {台灣— 7月5日—Diodes公司推出專為切換高功率IGBT而設計的ZXGD3006E6閘極驅動器 (gate driver)，有助於提升太陽能逆變器、馬達驅動及電源應用的功率轉換效率。

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這款閘極驅動器僅需要1mA的輸入電流便可以提供4A的驅動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗以及IGBT的低輸入阻抗之間，高增益緩衝級的最佳選擇。ZXGD3006E6具備一個射極跟隨器配置，可防止鎖存 (latch-up) 及擊穿 (shoot-through)等問題，達到低於10ns的傳輸延遲時間。

ZXGD3006E6的操作範圍涵蓋40V，可全面改善開關元件以把通態損耗降至最低。該元件同時允許從+20V至-18V的閘極驅動，以防止由dV/dt引起的IGBT誤觸發 (false triggering)。
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為使電路設計工程師能為特定應用設定更佳的開關功能，這個閘極驅動器可提供獨立電源及sink輸出，可分別控制元件開啟及關閉時間。再加上10Amp的高峰電流(peak current)處理能力，該元件能控制大閘極容性負載的充電及放電，減少更高運作頻率下的電磁干擾(EMI) 問題和跨導 (cross conduction) 風險。
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該閘極驅動器採用堅固耐用的SOT26封裝，相較競爭元件能提供更高的脈衝電流，確保減少熱耗散，進而提升產品可靠性。此外，新元件的封裝針腳經過最佳化，能簡化印刷電路板佈線，並減少寄生電感。

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台灣— 3月14日— Diodes公司擴展其低壓通用(general-purpose) CMOS邏輯元件系列，除單閘(single-)及雙閘(dual-gate)產品之外，再新增十項備受歡迎的功能。這些新產品均以14-pin TSSOP封裝。
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; h; ^" T, v( [+ X全新的74LVCxx邏輯整合電路系列專為廣泛的運算應用而設計，包括桌上型電腦、筆記型電腦、硬碟和光碟機等電腦周邊產品，以及路由器和集線器等網路設備。同時，這些元件還適用於一系列消費性電子產品，例如電視、機上盒、數位錄放影機和遊戲機等。
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目前已提供的該系列元件包括：六路反向器 (hex inverter)、配備開漏輸出(open drain)的六路反向器和緩衝器，以及具備施密特觸發器 (Schmitt trigger)輸入的六路反向器。此外，四路反及閘(quadruple NAND)、及閘(AND)、或閘(OR)、互斥閘(XOR)，以及兩種三態緩衝器 (tri-state buffer gates)亦即將發售。

這些新邏輯元件系列擁有多項重要優勢，其中包括：操作電壓範圍涵蓋1.65V至5.5V，適用於以電池供電和傳統的5V應用；允許輸入電壓達到5.5V，適用於混合電壓環境；在多種應用中電源電流少於1µA；具備 輸出阻流電路，能在元件的電源中斷時切斷輸出電路，以防止電流回流。此外，這些元件的輸入能以3.3V或 5.5V的電壓驅動，適用於電壓轉換應用。     
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Diodes新整合電路元件系列不但可直接替換業界標準的元件，並且以極具競爭力的價格發售。

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Diodes推出微型高速開關二極體 減少電路版面積
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1 F1 Z8 E( A% Y0 h4 M台灣— 3月19日— Diodes Incorporated 推出一系列佔位面積小、採用薄型封裝的高速開關二極體，能夠大幅降低元件數量和電路版面積。這款產品線除了具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更採用微型塑膠SOT563、DFN1006-3和DFN2020-6封裝，以供客戶選擇。
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1 Z* j1 m; D+ Y+ Z/ V* \這些單二極體、雙二極體、以及dual-dual串聯和共陰極二極體配置能夠發揮多種功能，包括交流訊號整流、資料線保護、反向電池保護和直流/直流轉換，適用於對輕巧和纖薄產品設計有關鍵需求的行動電話、平板電腦和筆記型電腦。

這個開關二極體系列的總電容性能範圍從2pF到4pF，可以把高頻寬輸入訊號的失真或衰減情況減到最少。此外，這些二極體還具備高達85V的擊穿電壓，可以處理最強烈的開關電路瞬態尖峰。