晶片中內置的信號終止裝置(ODT)簡化了PCB的設計––傳統上,通常會在外部添加終止電阻(termination resistor)以改善傳輸線中的阻抗匹配並避免信號反射,從而避免資料傳輸錯誤帶來劣化系統EMI性能的峰值電流。ODT將終止電阻整合在半導體晶片內,而不是在印刷線路板上。SAM3S的輸出端整合了多個典型值為35歐姆的電阻,能夠降低材料清單(BOM)成本、節省空間,並為PCB設計帶來更大的便利性。) z+ V: F- A( V$ ]$ }3 Q& d
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在工作頻率降低時優化功率 –– 愛特梅爾採取以下步驟, 將SAM3U器件在頻率為10MHz工作模式下的動態功降到最低,預計可將在1MHz下的功耗降低50%。
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6 {" s' A3 z2 ]- j電源電壓範圍從1.62V擴展到3.0V 2)
/ s. F+ b/ a- e6 w _+ P讀取週期結束之後,自動將快閃記憶體的感測放大器置於睡眠狀態 3)! a" O9 W" A D& h1 _5 L
快閃記憶體能夠以x64模式 (而不是x128模式)讀取,且不影響性能 4)% }% w" H ^2 \
自適應穩壓器能夠將電流消耗量當作電流吸收的函數來進行調節,而不需要任何軟體處理。 |