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發表於 2009-3-11 07:05:42
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eASIC eCore & LUT 架構
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eASIC早在2006年已經推出90nm的結構化ASIC產品Nextreme。與其他結構化ASIC不同之處在於,只要用單一
! S1 o& X3 n9 C8 N; y9 H) I/ Q, d過孔層就可實現各種設計電路的定制。對所有的設計而言,從矽片到每層金屬層都是通用的,唯一不同的是一 , t8 d5 q( |- U
層過孔Via6。 ?由於這一過孔層可直接用激光束打造(請參考eASC 網站詳細說明http://www.easic.com/cn/index.php?p=technology)
I- [3 O8 V% W8 q/ M% n實現無掩模定製樣片,處理時間快了10倍。因而無需 NRE費用,樣片時間縮短到4週。; j N6 D$ ?8 V$ j/ f$ r
在短短1年半時間內,eASIC就完成了120多個項目設計。令人驚訝的是,在90nm Nextreme ASIC產品快速成功的基礎上,3 y b, g5 N, _, i
eASIC跳過了65nm直接奔向45nm,2008年8月4日發布了其45nm產品Nextreme-2,站在了業界的前列。 2 ^1 V7 |: L/ a( c& `7 P! x* S* y
在45nm結構化ASIC產品Nextreme-2系列中,eASIC基本保持了第二代產品中的全金屬佈線,單一過孔編
& Z: w6 r) A% r: M3 e; N, d程定制的體系,只是將這一定製過孔層從第6層調整到了第4層。但在架構上、基本邏輯單元eCell的顆粒結 - N% l7 ?0 j! F% n+ G7 P, Z8 B' _1 h) @
構上和周邊的資源配置上做了重大改進。 1 I, A( F: K6 T3 [3 k' m
. X+ H2 B% F, U; j1 D- b* h7 k5 ZeASIC改良了查找表(LUT)的結構以進一步提供速度、降低功耗。摒棄了原有基於SRAM的查找表LUT結
/ k8 D9 g; X! H+ K9 W4 Y8 ]構,改用可編程過孔Via接地或者接Vcc來替代SRAM的輸出。此外,還省去了LUT第一級的開關晶體管, ' S; z. k! t* P, v- H* u
如圖所示。因此省掉了大量的晶體管。大大降低了靜態洩漏,提高了開關速度,使效率達到了最高。在同樣的
# q3 i$ k, Q" A# s' G工藝水平中,洩漏可以減少12%,速度提高17%,面積減少40%。與前一代90nm產品相比,靜態洩漏減
8 S0 @- t* j, g! e I3 h少了50%,動態功耗降低70%,延遲縮短了45%。此外,通過過孔編程,切斷芯片內部閒置的單元和存儲器 2 ]" ^8 R( W" @: V/ u* W% R; a c' V
的供電,還採取時鐘選通控制睡眠模式、動態功率管理。 Nextreme-2與最新工藝的FPGA相比,由於結合了三重氧
1 q ~' {! N2 u4 R化層晶體管、45nm低功耗工藝和eASIC專利的功率管理結構, Nextreme-2的功耗可以降低80%以上。
' g p1 q' o0 }5 K, sNextreme-2系列還嵌入了硬IP Core,包含多達56條MGIO (多G比特輸入輸出口)。每條IO都能工作在
0 J" z% g; Y2 S& ~: Z- u1 k6.5Gbps,總計提供364Gbps帶寬。在高性能網絡應用中,如交換機、路由器、流量管理、城域網傳輸設備 9 n+ Y. a; Y# `0 ~4 J, {4 p1 I: c
和移動回程設備,由於具備MGIO (多G比特輸入輸出口),Nextreme-2將成為FPGAs和ASICs之外最
2 U- a6 X6 f( E$ j/ `* z佳的選擇。 |
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