bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
8 L, i# ?8 f, B: r+ \3 t6 S# d.35製程
9 z- x+ f; J0 u2 Y2 ~- g; R( yop db65
" e9 j* U& L4 r6 p9 r3 F' X* |不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
& s' @% ?0 o' K$ n7 |) f請各位大大幫忙
* U2 J4 @7 v8 ]) ?
6 d) p" P' @4 W! c  z  m$ _
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
. _! O* }; b' ?bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
3 a# U! X/ i' Y. r: z1 g2 q1 k如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
6 Z$ E( g6 t, R; `- C0 r6 g+ |BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

, j2 }! L6 k$ M9 N# v# G5 Z
5 o$ b. Q( I0 \$ L% G& }/ W6 q  J9 n
# T: |) _/ z- w' u[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
9 V: m- x# ]) |6 b2 ~# |0 M4 q: H- c至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
1 ~" s- f/ T" n2 C
如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
, a5 o6 a$ z6 z) _% v# w* H( YOP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
6 a) y- N7 S; J1 _我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25

' D' p8 |, i  `4 m" ?) A- p& k你還是秀圖吧~~
1 _' X) P3 \9 I- Z( z- f/ G) o
" [7 A: a2 q* l* B) a7 r) P) Gmos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:
% H0 Q; P' y$ T3 V) G4 a4 w
帶差:
; Z. C0 o$ s: o' n3 b+ v; A
  P4 h  E: v' R( V3 ^% [8 T2 D大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
" t3 G" L" ?1 V& m) Y2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
5 o2 l1 o- x1 [' Z3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
2 |* a% V# c- ]1 e1 m+ l現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教

[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?
+ r4 g, \4 _% ]8 P( H
下圖左半部是幹啥用的? start-up?

如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
5 g: j+ R- x( U! T# |+ |4 W0 w
1 A! \9 m1 C9 E+ y9 w! P2 _- l7 h如果不是...還請指教是幹啥的...

你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
# }2 c! q* v4 s5 d2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
. y) n2 P: ?3 ?3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
( {2 _" v' R. B* \8 `' |  c& I3 A3 R4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
( K% n( [* i5 _3 K; u5 n5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
: X8 D- j: V' y! A主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
" K. G6 M" h: r( R% V/ U7 U因為不少人也是用這種電路當bias的
6 v9 D, o' S3 w$ [, x2 ]
# ^2 a$ A6 w+ z; u, `7 F; a# h回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
5 `% z5 V- i+ m3 v4 H以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
1 ?6 b; k' J' M: G3 k0 N( ]
我的bjt顆數比為8:1
, f6 @( x) u. i' y5 t2 l我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
# K! P5 t$ w# R4 f6 J3 O' k
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
0 B8 O* M( ~3 p  P$ M
5 X/ b# ]/ g$ q' g& _, ]根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

( ~' f2 f+ K- x; W所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
4 S% e$ t) \, y$ g
& N! s1 O" e8 N7 x0 {: o, I8 Z: f也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

1 ~3 I6 \3 w  n* IBIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
. e3 F9 O/ h6 {6 c3 J% w
" k# k. N" @. e* g0 \建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

8 d: [$ N1 R% e- y.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
8 l( S5 W- f  Y' H9 V: K最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩