bandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！

wxw622486

大家好！！我现在在做一个BANDGAP 电路，我使用的结构如附件，我现在仿真的温度曲线，温度在0－120，一半曲线是开口向下的，但是我仿真的电路是开口向上的，想问问高手，开口向下和向上对于电路有和区别？？如何修改电路使开口向上变为开口向下！！是否和MODEL中的R,BJT 的温度系数有关？？我使用的是UMC的低压5V工艺。


- C& j" G$ E0 D* L1 |- T   请高手指教！！！
# q/ H2 n0 \  h; ], v
. s) i) m7 Y' o2 w1 ]# B以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
$ G2 r! T% L2 W+ `bandgap無法將壓差降低  
$ j- @, P( n, H% _Band-gap BJT 如果 layout 不 match
bandgap電路的loop gain模擬
  z" Z  e, w1 v如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
# O  F/ ^8 d- ]3 Q. Xbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
. P0 g" W6 M9 b+ j. r+ e7 w
$ u1 n  U/ k7 Q% _% j2 Y: c' i

[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:00 PM 編輯 ]

yalon

建議你試著改變電阻的特性, 再做一次仿真.
如果你原來是 poly 電阻, 就改用 diffusion 電阻試試.
/ H% V9 L8 Z9 R/ j$ M2 G
* e3 A3 o" ^; r5 o8 j( A  因為不同電阻  有不同thermal coefficient.
3 Z% n7 b# {. {8 }
玩玩看吧!!
1 m# ?. i: R* S共勉

wxw622486

好的。谢谢！！我试试哦！！！！！！！！！！

finster

我有大概看了一下你的電路
1 q/ n5 Y8 L% j感覺有幾個地方還蠻奇怪的
1 x+ e' p2 h. Z+ V' ~3 c9 ^1. 通常,若是Bandgap reference circuit,我們一般是不會使用HR poly電阻的,雖然它的1口電阻阻值比較大,但相對的,它在製程電阻變化比較大,這點你可以從SPICE Model中比對一下就可以知道,對於需要有精確溫度特性的Bandgap reference circuit來說,這點是我們不樂意見到的情況,故而,一般我們最常使用的是P+ diffusion電阻,建議你要改採這種電阻會比較合適
2. 你在電路中有使用Q1 ~ Q5的偏壓電路,M3 ~ M6是一個自我偏壓電路,在很多書籍中都有介紹這種架構,Q1 ~Q5的BJT並不是絕對需要存在,若省掉這些BJT電路依然可以動作,只是所產生出來的bias current會沒有對溫度的補償特性,若有這些BJT,那你要掃一下(單獨對M3 ~ M6 + Q1 ~ Q5)溫度的變化VS bias current的關係,若你不作這個動作,那有加和沒加這些BJT就失去了這個BJT本身特有的溫度補償特性,而且,你也不知道加了這些BJT對於溫度的補償究竟有沒有效果
- i  W1 q8 ~* N5 V8 W額外一提,基本上我個人是沒在加這些Q1 ~Q5的BJT的,因為真正要作到溫度補償特性只需有Q6 ~ Q15便足夠了
3. 個人不建議你將Y1的電壓由R11和R14分壓出來,嗯,更正確來說,你應該要從M30作current mirror,然後下面接R11和R14來分出Y1電壓,你目前這種接法,其R11和R14的阻值會影響Trim PAD上的電阻值和下方的電阻值以及M13的導通電阻(因為你是採電阻並聯方式),如此一來,溫度的補償會產生無法預期的變化,因為這三個並聯的path的電阻中最小的一個會成為支配這並聯後的電阻,而這樣子會讓溫度補償變得很難控制,故而,一般都是採current mirror的方式額外產生一條current path,然後再由R11和R14利用分壓定理分出所需要的電壓,或者直接從R16或者R15上拉出我們想要的電壓
) x& E# g$ t  I) u
- ?' O3 z. T" f' g& M- [最後,你的M7 ~ M11和MP782, MP780我看不出它的功用為何,照理說,提供給OP的bias voltage(current)由M3 ~ M6 + Q1 ~ Q5就可以了,所以我看不出M7 ~ M11的用途為何,也許你們有特殊的用途
) R2 f( L; [9 _. p6 u
另外,再補充一點,HR poly電阻並不適合作Trim PAD的功用(電阻),主因乃是HR poly的製程電阻值漂移量太大,相對的很難控制到很精準的單位(大小),若要作Trim的功用,建議採用poly或者P+ diffusion電阻會比較適合

finster

再補充一點
$ a9 x2 o6 E1 \  L+ j# Y" ]模擬出來對溫度的變化的開口向上或者向下,取決於電阻的溫度係數,MOSFET的溫度係數和BJT的溫度係數三者的關係
% T, T- c2 n' V2 l2 J6 ABJT的size我一般都是用10*10的size
* _' Y( O% ?- s8 q) ^+ x" C+ I電阻用P+ diffusion電阻
1 U3 {& [6 @& w; J在微調對溫度的曲線模擬中,我都是先固定住MOSFET的size,然後調整電阻的比例值,然後再看曲線變化,除非電阻的變化比例己經無法調出開口向下的曲線,不然我是不太會去動MOSFET的size
最後,如果很在意整個電流消耗,那就把電阻加大

qw101

用diffusion電阻不是比用poly電阻的製程變異大嗎.那只要做出自己想要的規格,曲線向上還是向下有很重要嗎.

finster

在設計Bandgap reference circuit上的電阻使用,除了溫度係數與製程對電阻的變異性考量外
另外一項就是area的考量
以1口電阻要組成1K電阻來說,HR Poly電阻所需的面積最小,其次是P+ diffusion電阻,最佔面積的則是Poly電阻
一般來說,1口Poly電阻大概小於10歐姆以下,P+ diffusion電阻大概在1百多歐姆左右,而HR Poly電阻因為製程技術緣故,通常製程廠都是建議直接採用1K電阻作單位,依此大小作layout base,面積大概是P+ diffusion電阻的1/2左右
8 Y# C- U5 }; q5 T+ T故而,也正因如此,Bandgap reference circuit中很少使用Poly電阻,絕大部份都建議採用P+ diffusion電阻,乃因用Poly電阻的話,所佔的面積是P+ diffusion面積的10倍大左右,而對產品考量為導向的工程師而言,當然不會選Poly電阻

kokokiki

關於bandgap使用電阻的問題,不只阻值,面積,溫度係數需要考量,若使用非poly電阻,更需要考量電壓對阻值的變化,
+ x  D% R$ R4 ?& L/ n7 C7 V因junction電阻如P+,N+&NWELL電阻對電壓來講可是個可變電阻,且使用在low-power的bandgap電路,更需要注意
; I9 Q8 ]" j7 ^- Z! olayout可能造junction電阻漏電流的問題.

yoyo20701

嗯~~小弟前陣子也在研究bandgap多謝大大的講解喔~~~謝謝你~~�

wxw622486

谢谢！！我回去试试看！！！！有问题再请教高手！！！！

fmgay

Hi  finster:
; K! m. R* }6 f& ?6 w1 x1. HR poly電阻的变化是比较大，能否从工艺制程的角度来说明一下为什么HR poly電阻的阻值变化比较大？
4 N: U5 E, M% e# ~2. 依您所说：“P+ diffusion電阻大概在1百多歐姆左右,而HR Poly電阻因為製程技術緣故,通常製程廠都是建議直接採用1K電阻作單位,依此大小作layout base,面積大概是P+ diffusion電阻的1/2左右”。
* ~  a# g+ c* c为什么对于相同阻值的电阻，HR Poly電阻的面积是P+ diffusion電阻的1/2左右？难道是HRPoly電阻的pitch比P+ diffusion電阻大很多？
0 a) G( P& b) V在我的印象中，这两种电阻的pitch值不会差很多的
1 T. I9 c6 c: p4 B' z! B
+ n9 L6 d" Q6 a! z" @3. 在使用P+ diffusion电阻随电压的变化比HR poly电阻随电压的变化要大的多，如何考虑+ diffusion电阻由于不同的substrate电压带来的误差？
- l3 E4 p% ^( d; ^* |6 g
2 F5 R5 U. H2 [9 R另外，温度曲线开口向上还有另外一种原因：电路中OP的offset比较大。使得OP两个输入端的电位相等的假设不再成立。

semico_ljj

3。的说法不成立！还有更高的工艺采用非硅（矽）化的poly做的，方块值200∼300欧，HR poly 1K左右，P+ DIFFUSION 的做法在0。5秒以上才看的到！

semico_ljj

问题1：注入浓度不好控制，所以不好做的很精准！。。。。。。
# z4 U0 x+ \# b% c问题2，不太理解！

tigermouth

我遇到過bandgap溫度曲綫開口朝上的情形，在將電阻類型更換后，開口變成向下。
* }( Z6 ~/ }* J$ f: ~也遇到過無論使用什麽類型的電阻，甚至理想電阻，開口都會朝上。
" z! M8 }$ l! G# [, ]所以溫度曲綫開口向上向下，最主要取決於BJT，然後是RES，最後是MOS。
0 T% h& Q4 F5 p8 A" T3 d個人愚見，歡迎討論。

semico_ljj

"所以溫度曲綫開口向上向下，最主要取決於BJT，然後是RES，最後是MOS。"其实取决于RES的model，BJT的model基本差不多的！

donlion

诸位做的bandgap都需要用res的温度特性来补偿BJT的么？
' f2 W, [( U  C2 Y- f" }1 b这种结构应该没有教科书上，用等比例的电阻消除电阻本身的温度特性的结构好。

savage1394

其實從公式推導看，電阻的溫度系數是無關的，上下約掉了。我的經驗是，開口上下無所謂，用HR POLY開口向上，用P+ DIFF開口會向下。得出的基準電壓P+會高于HR POLY一點點，這都是電阻的溫度系數造成的。
' A( b8 w7 C/ q4 dfoundry的手冊上，P+與HR POLY電阻的偏差都差不多，沒有說哪個小，哪個大的說法，所以從面積上講，用HR Poly電阻比較合算，只是由此產生的電流溫度系數會比較大，不適合做基準電流

donlion

关于开口的朝向问题，我也有simu过不同的结构，各种制程下，Vbe温度系数的绝对值是随温度升高而升高的，如果是在正温度系数�定的情况下，要得到零温度系数，自然需要在低温的情况下，vbg呈现正温度系数，开口就是向下的；如果是因为结构的原因或者电路本身没有调节好，而使得正温度系数随温度上升而上升，并且其斜率比负温度系数的斜率高，既上升快，这样的情况下要得到零温度系数，自然需要在低温的情况下，vbg呈现负温度系数，才能在需要的温度得到零温度系数，此时的开口就是朝上的。
! p4 q$ B# C/ n9 Z一般的教科书结构，得到�定的正温度系数，而且从理论上说，电阻的温度系数被完全抵消了，因此开口都是向下的。
" k3 D7 f) H; M% k7 k) I6 v楼主的结构由于比较复杂，其本身制造的正温度系数随温度上升而上升，且其斜率比负温度系数的斜率高，得到开口向上的温度曲线完全是很正常的。

numberto

为什么要做这么复杂？ 电路很难读懂，主要疑惑是流入op输入端的两路BJT电流是多少？
, Q0 b7 l  @! `1 L5 v1 q' l8 X4 o这路电流有左边的PTAT current提供，但到了右边分成3路， 分压电阻一路，M13一路，剩下的给BJT这边有多少？
! F' v' |5 G' x) D* M这个拓扑你能推出VREF的理论值么？
关于BG Curve开口朝向问题， 一般来讲Vbg=Vt(lnN)*R2/R1+Vbe; 前项是正温度系数，后边是负温度系数，只要求出Vbg对温度的一阶导数就知道开口朝向了

qaz87511

什么要做这么复杂？ 电路很难读懂，主要疑惑是流入op输入端的两路BJT电流是多少？( V% `5 T; ]8 P& |& A$ V
( \  Q9 c. B4 d4 \0 a4 {这路电流有左边的PTAT current提供，但到了右边分成3路， 分压电阻一路，M13一路，剩下的给BJT这边有多少？
这个拓扑你能推出VREF的理论值么？  x* E  c5 Y  K0 E
4 Y! c$ Q$ F2 A1 v$ g& O# T- K关于BG Curve开口朝向问题， 一般来讲Vbg=Vt(lnN)*R2/R1+Vbe; 前项是正温度系数，后边是负温度系数，只要求出Vbg对温度的一阶导数就知道开口朝向了