how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
, N8 h# _6 s7 _

in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

5 }8 }" H8 y6 W+ c, S; Ethx
- Z! h% R+ g) v9 G
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
$ T1 x3 B8 x! A: O, G) c2 k一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻
; L0 c% Q! U- Z1 }
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
- d' q% t# J5 L# L- IGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
+ \$ F& J( H; I2 R; \& O5 cGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
5 \0 W6 M. c6 @0 J3 \2 j* vNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
( I# {& ?8 u' w5 i1 d
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
5 Z+ g2 t1 L1 z/ X
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
  {4 v# z1 |0 D6 a. ADoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
/ z+ Y: g, f$ g& M5 mAny idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
+ w$ ?7 F9 [4 N/ b1 ]% g3 s4 Y( s大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
. N$ |1 b9 q% r+ p: p8 iPower 會動的很厲害的話會漏電.
2 A* |# g  z1 ^. C  F( Q
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
1 O. f$ |# G1 C( I, \麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
2 |; X7 x4 H/ fPower 會動的很厲害的話會漏電.

) d1 V: d3 v- i/ m6 K是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
: F  C& w0 U7 s+ \$ IWhat do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
# v) v6 S4 i  ZGCNMOS not look like your picture circuit...
) A1 G, A7 b2 u( ~GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

/ x4 _- ]2 i/ ]8 S
不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
. b! l! v0 h9 k
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！