IC ESD 相關問題請教

阿光

1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是？反正只要驗證 OK，先以縮小面積為考量，是這樣嗎？

2. 假設發生 ESD 問題了，找到亮點了，傷到內部電路，也層層剝下去觀察，知道 damage 在哪個 device 了，如果它是 design issue，接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢？尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下，有什麼大方向可先行檢查一遍嗎？ (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)

sjhor

1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍，這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料，就可以知道其耐受度。
: A. b+ x6 K" l% x1 N  ^" `8 g  q2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

ritafung

根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

manpao

Foundry 的 ESD rule 通常都大,
design by yourself is better

cthsu1

IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎？
如果有的話，Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接？
- {  ?; t; c8 y/ a) s$ |是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護？
如果都沒有，死在裡面也不是什麼很奇怪的事。

- C; E5 C! T7 ?: I5 a( J不過，如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔)，
" v( B5 M2 Q) n0 z可以把問題丟給他們，確認是Foundry的話，甚至可以談賠償，
不過，通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。

alvin0411

原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表
. S+ @6 ^3 y7 V2 Z* l* _. r根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

6 Z! E$ k; d7 W6 c1 x: c
" M, ~5 W& x/ q" A3 A9 |7 i
( k; ?' L$ e0 J- j/ e請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?

alvin0411

我也覺得常遇到的case都是死在內部電路
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.