how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

# r3 {" B' w- ~3 I+ _( D$ n( X
- ]) a2 P7 y% o5 ]" w$ x: S! j2 G; F( Jin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
1 a. s3 m6 q) v0 a
' B0 K' _# l, j' r, H- M( _thx
8 x$ `7 h, L4 f/ n+ e  p; y4 R
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻
9 o0 p& m' x5 p8 y+ [2 U- u
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
# A- t- _  G/ B5 f以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
& a: R& [: M- [% P以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
/ ~- N2 z+ a. h. d
0 s. H9 t# A3 D) G參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
) F& p8 V3 T; R9 x! I, kGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
% Y8 P" Z$ W: |% j  eGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

' U6 W! [4 C; D: Y" L. W9 NFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

" j8 T, {- ^$ u# \1 ^3 sBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
3 s7 L9 T- k  i8 K; [) d, yDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
1 U2 T& a0 `& I" R) QWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
9 |- s0 k! R; s" T. I* p. O! t6 |: V大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
* U& ^: ?  q/ d5 R3 fPower 會動的很厲害的話會漏電.

& s2 X- j' X! w% s! ^- A. h是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
  X& P9 }- Z: @9 r( |, J( j9 dPower 會動的很厲害的話會漏電.
3 R+ T. H) Y* l' r
) T  j+ p) J/ h: G  M是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
1 d5 L6 |' w( e: k9 ?$ R那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
3 |0 e: |. B' E. p0 H% U( H& P麻煩請解惑 ,謝謝

+ p2 e; P& g+ C; u; p1 F
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
- n! }. D: Z! K" UGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
# _9 |$ Y! E  i9 E  JNor ...

不知道你使用的是什么工艺？
* |5 ?5 w$ q+ R- C6 K% z. n2 C我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

% C3 V/ a; y4 t# r  D+ j是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
* c, i# [2 ]% N6 A9 @
- J, C2 @5 u% m6 J, u延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！