|
提供一個之前用的方法,
' |' l W v6 y2 X4 r( R由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)1 e2 o! T. n8 E; L
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,6 A/ D" r9 U" W, \/ O
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
* {: N! U/ k) U2 s6 n" m& P( r- E" ~5 c$ W+ B, E
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)% X5 D6 H- Q1 {, a7 W2 N
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
+ i0 Q4 b5 r( q! n9 Y# k由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2). J- \' k2 @; v: L+ W8 l
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
. j- j7 ^9 i0 X8 k, w
/ J) U A+ F8 @/ _& C7 X4 @* h4 L將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
. H( Z; V- {# n( k! O7 y' jKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]& I/ @6 @. K' W& X' m
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
' [7 j' p- U0 Z$ P( z* t/ O5 w& J$ u# u/ J, H# `4 F
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
評分
-
查看全部評分
|