how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

- R, n5 l0 v' h9 U$ k
% B  S( Y* f! U- Xin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

/ o  a$ b3 p+ l5 g" b, Lthx

[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻

以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
" D) z- ~/ a. x0 y& ?: W% h以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

) A9 i+ O; n; h3 \. ], H$ B參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
& _5 O2 _  C$ pGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
( x$ d" b0 `! L# t' a4 hNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
( _5 B* b& K# N  L/ \) \
) V  ^- m. R) q- D$ O8 `; {, ]For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

$ m# S6 I$ i! e7 E+ a; CBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
# l( L6 H) _5 l2 R$ nAny idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
; V* {8 z( n* S; g% j大面積的話  GCNMOS 比較好
1 T0 A9 f& c3 z; x+ @: h但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.
; X& f' W, }% \; y: x. \$ [! _
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
8 M- @  p3 x, R: y+ \5 }那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
+ S+ k8 K7 w& T3 ?0 |6 Q麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
7 O' ]6 d+ r; O- ^Power 會動的很厲害的話會漏電.
" X6 r0 I1 h5 N; L: p
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
  i/ f+ Y9 L3 `& i" a$ i0 k那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
- t( H  P: m# N4 d  C1 I麻煩請解惑 ,謝謝

是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
! N- d- Y6 \: V/ F2 Z* ]What do you want to know???
2 l  R" l+ \3 E- v; Y' {GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
# F! O& j+ P0 M7 g4 v" OGCNMOS not look like your picture circuit...
+ a9 i3 y  K! K' _' z' P7 C# r  @GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
6 j* Q7 Z8 v. k' g/ e9 C/ X+ kNor ...

不知道你使用的是什么工艺？
4 [4 o! s$ X( i$ A我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

. B/ @& h4 M# Y7 J' O是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
* M* ?4 H3 ?- [% q% A5 R2 X
4 I" ?2 U1 P, W- k8 O延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！