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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法
5 x4 M& g7 Y6 M. ]- ]一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時$ c* H! W. U; h. x9 a8 M
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
3 D- a8 W6 \9 P但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上8 K* ^( N; v4 y8 o. K  j. m
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
- @2 q/ @/ R* |5 K- w1 J2 d4 f) e9 q. t2 U- s
一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況9 f+ G: D- p9 u3 X) Z% [# c0 ~/ [
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
/ }* u/ w  B+ R$ y0 k8 w再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
. u! P  T3 D3 P, y9 o, x去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
/ [, W$ A. e( Y( l0 W很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上
# j" E! m0 F* o6 w* p就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
, `0 R* t( V  O3 ~( G- A( K( {所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
( Q! p8 r6 P" P: f# T讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
+ b. k3 ~* z9 R% n: [' g8 h% C  X
最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
* c' y* A: @4 B! v/ B  r不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式: U0 c1 S+ p, u# v4 N/ o
但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速5 V/ k8 F1 b+ u. g/ ^+ L
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
9 {" W0 N; [" U: F2 x6 y" \$ W- p只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.: x: }8 E2 t, Z9 L& G, G: b1 Q7 q
何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己8 @4 B% s* q3 V: v( U8 P
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.2 B) M  Z2 ^0 K/ c$ E2 f

0 k& W0 ]& q4 W[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選
. \- y* Q* e; h, ~; @從後段到前段難  從前段到後段易
0 @4 }! n9 `. n, a; g- r如果先做測試或設備工程師
9 M( y# P! ?4 m4 W" P- [$ X; i, l很可能就會像以前我大學老師說的一樣
: B+ {# T  }; x3 |  v一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .( L; Z* |7 s/ l: `6 z% n: R
PCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)6 o5 H. [& O! k
The reason is the failure rate curve of  "bath tub" . A' \: c" n$ L" l* y# Z) M
So we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by
  m$ U$ w* L" _, ?  X! psemiconductor degradation.
5 _5 e! [) H9 }  Y; P; Y( l# L; RI did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.5 }5 e$ m  N  ?( ~# w# V9 H
The operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.
" \% s) _8 ~1 ?0 F# U$ b& lOh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.$ [% c8 m' h0 l2 T+ A4 `8 K
I was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .' s* |/ B9 `7 L6 i3 y) J1 C

" L. t6 A8 A5 q, t" Q& J+ [' WI believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.; v8 `/ l! N/ M3 i. p) R

+ @$ \. Y) N4 }$ z' v  S- pEE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.6 a7 G" _+ `6 s$ {" p

7 v' h1 e: U  Y2 E5 NDo you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.
/ O4 A1 w$ ]5 n5 R; ]When we test some products, we should realize their specifications.
* y0 R! @. {$ u) RIf we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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