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在這邊說說我的看法
5 x4 M& g7 Y6 M. ]- ]一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時$ c* H! W. U; h. x9 a8 M
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
3 D- a8 W6 \9 P但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上8 K* ^( N; v4 y8 o. K j. m
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
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一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況9 f+ G: D- p9 u3 X) Z% [# c0 ~/ [
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
/ }* u/ w B+ R$ y0 k8 w再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
. u! P T3 D3 P, y9 o, x去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
/ [, W$ A. e( Y( l0 W很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上
# j" E! m0 F* o6 w* p就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
, `0 R* t( V O3 ~( G- A( K( {所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
( Q! p8 r6 P" P: f# T讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
+ b. k3 ~* z9 R% n: [' g8 h% C X
最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
* c' y* A: @4 B! v/ B r不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式: U0 c1 S+ p, u# v4 N/ o
但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速5 V/ k8 F1 b+ u. g/ ^+ L
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
9 {" W0 N; [" U: F2 x6 y" \$ W- p只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.: x: }8 E2 t, Z9 L& G, G: b1 Q7 q
何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己8 @4 B% s* q3 V: v( U8 P
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.2 B) M Z2 ^0 K/ c$ E2 f
0 k& W0 ]& q4 W[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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