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提供一個之前用的方法,
0 _2 c5 t+ v+ q: O由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
) J& P4 P" T+ r* q9 M h在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
* P9 c# n w: i% jVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値4 E, k/ {1 J5 G. n; z$ e; J, P) A
Z; C% y0 k! s9 j
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
+ ]8 h0 w# F$ c# n: i/ c! h, W在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
& J. [/ L" w) C! n: p由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
7 r3 v v" h4 K8 N% Q9 x' |9 t9 s故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
, _* I1 A; I$ b: `, C p/ l! ?6 P1 [* L: t8 W
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
' R5 H$ e$ U2 n% T1 X1 a3 YKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
% @+ W. y8 R3 h = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
$ i& n) ]5 ^% N6 L7 B3 @* I
' |$ ]$ l& F# A% x之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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