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提供一個之前用的方法,
6 R0 o; |& T x: }$ c L: ~由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
% H+ b2 F! t" G$ {; J3 f在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
7 ~; B! E7 b1 Q- A; X, |% t: _VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値7 I' }& ^( C4 {- ~% G
$ D+ V" f) k, y: v% Y/ F: Z
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)* Z5 C* z$ O4 h9 M9 l$ q! t; J/ {6 w
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
, m3 f0 \" v; V [: y由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)3 C: r; Z4 @: `$ C
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
4 F6 j/ b# ?( a+ g" x. {6 \) _% |) Y2 M; e/ S' x
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
- j- b! c) C6 @, u+ SKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]0 |- s: k* f+ J( t8 p/ n
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
6 D! g, Y ^$ y9 b0 I2 y
, t! L5 E$ K7 J1 v$ k之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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