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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法% U$ @( N  L9 Q( U6 v1 {: o! d0 d
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
$ k* B4 @: `/ s( I找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試, `4 Y1 B. }9 ~! Z
但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上; m( Y5 P5 d2 g! D7 a- X
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
: H. x5 h# @6 _5 g9 A$ Q; R6 f3 ]/ u1 _7 F: c8 [& N
一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況( ^$ k6 h$ z# A7 t# y" h$ \1 R
但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
0 s5 S' V: U% c" D0 X再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓9 F& I( q- H& s4 v
去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 1 d8 W5 b/ j* G, }8 [5 ^5 b
很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上* f2 E+ e' q' e7 q
就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
% {5 y7 K+ h  o) @! @所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間* t$ n; O% g2 V  x
讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
2 F7 Q  N7 R. v% C' c: q) r
, m) B( y9 R4 h2 p& z% _7 ^最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
& w# s# k4 B( n# v* E% p% Q不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式1 w8 D# a5 K! Y8 q
但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速
9 b1 a- Z! _! X' e3 X畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事& M$ [6 P( Y9 ?$ `
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
) {9 \# _. M$ g# L! B2 a! }何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
: v! _% Z+ x; B( `7 F3 C所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
( O7 N  p! Z5 C# `
# m( ]4 t3 Y3 x5 b4 P: Z: v% k6 R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選( H7 E$ r. p5 X$ N2 S+ r9 q7 i
從後段到前段難  從前段到後段易! b4 ?. G# I* z: _* D
如果先做測試或設備工程師( u, U& F" s: v% ]" {$ L
很可能就會像以前我大學老師說的一樣; l1 r' B; m% }  d% a
一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .
6 x) w6 H' d4 Q% c# EPCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)' J2 x: N) u" H' N! A6 L
The reason is the failure rate curve of  "bath tub"
  t! G7 }4 q9 ]8 mSo we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by
& z1 G  I, a' w4 u4 ^) j% |9 Tsemiconductor degradation.
( P7 f% y! T5 iI did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.# v/ H/ ]  N4 F- ^- d
The operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.: {) E% F1 R. Z: V. _2 v
Oh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.
' o# K% ]6 M0 }  s/ MI was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .
2 [9 L! Z: c6 z3 Z: x5 `, I" F( ^9 ^: M3 M! f# f! L. K: \
I believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.2 V. t5 O) T$ T2 O) O/ e+ j9 k2 V  M& D  ?
/ u7 v) Y* A3 w4 j
EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
% H  u8 V) I" n; U/ F, I; }/ O+ a7 Z; p9 _
Do you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.
* Q  ?+ [7 x+ |' a- F& WWhen we test some products, we should realize their specifications.
3 N4 J$ M) N" U$ S- B$ x$ HIf we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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