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在這邊說說我的看法; |& B2 R2 e Z
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時/ V. H6 J X3 H- \2 ~
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
7 Y& k- I9 W0 r% j {. j但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
6 s$ Y L8 t# E' |7 w: b肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
0 Q, c7 K8 W' h# v$ S+ \. P7 U/ [; T' Z* V/ f8 ~9 @: y* u6 A
一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
! K( I/ S$ e( W; B6 @* I2 c5 h但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
, G+ e( f/ W+ U1 W再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
0 X, }# p& u- c6 ~4 K4 X* x去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
; j* y9 R% U$ r8 x很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上
; C1 G' j0 I# Z; Y3 }4 E9 F9 M就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期6 D# P# l$ T1 ]4 g8 Y* ~0 X
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
# b- D+ }. y/ p, J1 t讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
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1 ^$ _0 _; K7 P最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命0 _; T* ]0 m% g+ i5 W; R
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式. G# y3 f' t. W4 d; p. z
但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速
/ l% P( D+ s# d畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
0 f; i; Z' M( F9 R2 }2 f8 b* c只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
T* C7 t4 t% b. r何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
3 G% ?' A- T: P6 y+ K所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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