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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法; |& B2 R2 e  Z
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時/ V. H6 J  X3 H- \2 ~
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
7 Y& k- I9 W0 r% j  {. j但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
6 s$ Y  L8 t# E' |7 w: b肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
0 Q, c7 K8 W' h# v$ S+ \. P7 U/ [; T' Z* V/ f8 ~9 @: y* u6 A
一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況
! K( I/ S$ e( W; B6 @* I2 c5 h但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
, G+ e( f/ W+ U1 W再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
0 X, }# p& u- c6 ~4 K4 X* x去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
; j* y9 R% U$ r8 x很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上
; C1 G' j0 I# Z; Y3 }4 E9 F9 M就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期6 D# P# l$ T1 ]4 g8 Y* ~0 X
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
# b- D+ }. y/ p, J1 t讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
& u5 T0 v- x; |- \( G. E
1 ^$ _0 _; K7 P最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命0 _; T* ]0 m% g+ i5 W; R
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式. G# y3 f' t. W4 d; p. z
但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速
/ l% P( D+ s# d畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
0 f; i; Z' M( F9 R2 }2 f8 b* c只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
  T* C7 t4 t% b. r何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
3 G% ?' A- T: P6 y+ K所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
( D: G# T" u7 \, D7 y* z, m' j4 r! Z2 S  b, w8 j% R6 Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選
+ O/ m7 |% H) s& T! u. E% C2 L從後段到前段難  從前段到後段易3 w3 }' n# w+ L4 c% j# e
如果先做測試或設備工程師
% p! A; q: X, e) F4 H很可能就會像以前我大學老師說的一樣+ g! m1 b- m  L& y+ a
一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .
& u& I/ x5 a' F4 p1 APCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)
" G% _" u; W5 v- YThe reason is the failure rate curve of  "bath tub"
6 W; N" @" |8 z% TSo we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by - x) a' B" F- M4 H
semiconductor degradation.$ l6 z( t+ p+ o5 O" p1 v- Z5 r; l
I did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.
" m% Y( g5 ]4 t& O- x' T+ RThe operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it., R" `% M; f4 T6 ?  Q6 K; t% Z
Oh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.: r+ H! W' |# B9 {" \
I was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .
3 W4 Z2 D9 p( a) w, [  t
- ?3 s& G5 R5 J/ [4 G/ ?I believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.& w- Z! T6 S9 t8 c  C1 v
5 l; K4 ^/ K- k/ E. t  D4 U. m9 b0 R
EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
0 @- J5 Z+ ]* k) {- t- e6 X3 K& W  Q3 D( o4 n
Do you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.
' q! b: A" }7 jWhen we test some products, we should realize their specifications.; h  }0 y" c# t$ `, E4 |
If we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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