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老實說,
% n4 ~- ?6 ?% n+ b t3 c你問的問題很廣,
0 s7 g3 v" S% e# p會根據不一樣的條件,/ R }- r+ `7 W6 X/ x! x
而有不同的答案。
5 o4 K# \: A `2 T" e
! h) Q. ~% m# r! S$ q以nmos,body=source=ground的例子來說,
6 Z' M P; H* z% b" T* C) C1 d6 c4 C; R
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,& P# a8 \; D0 E, R2 W; ^; V
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
e: C% G6 h, N9 n& W* J2 N一般來說,應該不會,
/ w/ k7 z. N# c2 ?5 g因為SiO2的critical electric field滿大的,; ^2 D* B% c, H" f3 R* u
3.3V device gate oxide還滿厚的。
7 K( U% }0 B! j8 F( O$ ]% yvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
0 M1 x6 g, s$ x `2 g# r0 n9 o這個值通常很大,- B/ S2 F$ e7 i
因為body=source=ground。
8 G4 j4 E2 `% U2 D( ~5 [' X: r另外,如果channel length比較短,5 k$ p8 G8 Z$ V% p# U3 s
這個值 "可能" 會跟channel length有關,
- U) y3 D: ^* L' V$ d但如果channel length大到某種程度後,+ ~( r! h, S! |( B
應該也沒影響力了。
- k, ?: j" a; ?, v
! ]7 V3 P0 U) _7 @' o# ?3 X% \(2) 如果gate=bias voltage,
& l. @* I! B ^6 Q* f4 G5 M8 y這顆nmos可能當current source使用,6 V z) O7 O' l/ }
這時候就要考慮其hot-electron的效應,. ^! q6 U7 J& J% F" r
因為單位面積的current可能滿大的,
) a6 S6 f9 i$ `) h6 T而vgd也不小。
! S, [2 H. g/ `: B- |* }8 f) d$ L: y# ^* C T2 |
(3) 如果gate=darin=high-voltage,2 E" M4 g; F1 h1 h/ t! u2 A
這樣的單位電流會大到不行吧!$ ?8 X3 s( @0 T
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2
% x& r$ q+ a5 t* d, w9 a
# b) q9 F5 `9 u所以通常是case2會是要考慮的問題,
% S' M5 Y6 i C; i+ L* ~) i3 C不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
. W4 o; C \4 ?* b% an.n |
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