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老實說,! R5 ?/ q9 L# r4 p6 B( ^) O% t9 U
你問的問題很廣,5 ? K; i! A) [0 R% d8 x4 w
會根據不一樣的條件,
$ D; E) @: f3 Q, w7 ~# _而有不同的答案。
$ S+ U) B+ J+ c$ _' \$ ]
! B4 q6 D5 r% G. ?, c% u# f以nmos,body=source=ground的例子來說,
# v7 {; a; j0 k) G! B) K) \3 ^) x( a# o: w+ S' N# {' _* p
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
5 i) s. Q# h3 c) _- V/ h2 t1 `* I$ |如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
3 T e8 ?" o. m: s% [; h, V一般來說,應該不會,3 J/ c" a6 |# A* R+ }
因為SiO2的critical electric field滿大的,
2 F7 Y+ L F/ u5 d! Y2 h5 i3.3V device gate oxide還滿厚的。; E8 M: h% r' X6 D
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
, z; ~2 @! {% W% W* H9 p4 j# e$ Q這個值通常很大,
$ N! O( R$ I/ O7 {+ W& U. V/ e因為body=source=ground。
6 [! B* O& z8 c. g/ p# N5 G6 I+ N另外,如果channel length比較短,
1 |0 X6 u( i7 C+ [, N2 W這個值 "可能" 會跟channel length有關,) [' ]- i, |& V+ Q* R$ ^9 f
但如果channel length大到某種程度後,
! L9 t) F3 `# V) r! v2 h' N* p應該也沒影響力了。
6 e+ ?5 x$ Y( r- P. b4 P/ n4 R1 U7 `' t$ ]) z- X
(2) 如果gate=bias voltage,& X. c9 M; ?9 f3 i5 T+ q4 |7 J
這顆nmos可能當current source使用,1 a I7 T( w, o2 W0 U2 l; ^0 l# Z
這時候就要考慮其hot-electron的效應,
+ F/ g' e- V ~0 E0 G5 ?7 v/ r因為單位面積的current可能滿大的,
" Q0 \. L' z! B' v( [8 Q" H而vgd也不小。( o1 y, ^; H; ]6 _/ g
5 e8 a5 A+ S% `4 U$ W(3) 如果gate=darin=high-voltage,2 H6 j* ~2 p4 m8 U
這樣的單位電流會大到不行吧!9 w1 C) i) h( x
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2
; ` b% j3 g3 N' O C
; }7 A0 Z$ R. t3 P所以通常是case2會是要考慮的問題,
2 }) V1 U% B" ]6 b9 F J( ^不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
" L2 ], ?1 a( b0 e6 bn.n |
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