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老實說,: R# V0 v" e( z- j& f9 `8 ?
你問的問題很廣,7 h& x6 N9 U7 X1 s% n% y5 k
會根據不一樣的條件,/ r& d' d4 M3 E E& h8 T
而有不同的答案。
, B0 Q: R$ l# K, Q5 x$ L* b6 v6 e
以nmos,body=source=ground的例子來說,4 b1 s- H/ e9 g9 w, C* w1 s
; M% d. ^8 w6 B8 n$ b) i
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
1 G6 }5 N- o; W3 n, [) r5 F如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,) B2 S U; q" i( ?/ ^& x( c
一般來說,應該不會,5 g, z4 c5 _! [0 M; K$ x
因為SiO2的critical electric field滿大的,1 f8 y6 F }$ J/ r/ y0 ~4 ` V8 I0 D
3.3V device gate oxide還滿厚的。
! x' W, F' Z$ n+ u, vvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
6 h5 Z: D8 H% L4 C% B$ ?. f. y這個值通常很大,
1 v9 O9 z$ q+ p" l3 |# Z. [/ m因為body=source=ground。8 e* f5 x3 F! u
另外,如果channel length比較短,# h- u7 h& v5 B; E- r
這個值 "可能" 會跟channel length有關,
, r! A& k7 \, j7 K& o但如果channel length大到某種程度後,4 Q* ]1 d( t" L' r6 n2 w
應該也沒影響力了。
* _( g6 [! L* C2 i( v+ ]# `3 {1 ?& B, i7 b) n* ?
(2) 如果gate=bias voltage,( N3 k; H1 F! g) y2 ]3 o+ ^
這顆nmos可能當current source使用,- i& e+ ^) C1 o6 e! i" u! o
這時候就要考慮其hot-electron的效應,1 S9 i3 e& q9 \: x' ~# a' R# H
因為單位面積的current可能滿大的,
8 l, X- Q9 u9 t; ]而vgd也不小。
6 K, @. \- z0 J' r4 | `4 e; B# Y; \) R, r0 m
(3) 如果gate=darin=high-voltage," y4 x8 K M7 m, e* ]- j7 H+ ]9 r
這樣的單位電流會大到不行吧!
& V# C% @6 t/ J! gId = kn'W/L * (vgs-vt)2
' F5 P. ~7 a( X& t) i
/ p( F1 O& [1 C! k% n$ _: k所以通常是case2會是要考慮的問題,
. U! p7 r! R+ I% Q8 c8 K) \5 v不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
& X6 z! {6 F7 L& V S' F* |n.n |
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